和小編來看看YbYAG晶體的發(fā)展預測，針對未來幾年摻鐿釔鋁石榴石（YbYAG）晶體的發(fā)展前景預測，本文預測到2026年，主要包括全球和主要地區(qū)銷量、收入的預測，分類銷量和收入的預測，以及主要應用摻鐿釔鋁石榴石（YbYAG）晶體的銷量和收入預測等。據(jù)研究顯示，2...

不同摻雜濃度的YbYAG晶體，通過不同Yb3雜濃度30at﹪的YbYAG晶休的陰極射線發(fā)光譜，衰減時間，光輸出及其溫度依賴關(guān)系的測量研究了YbYAG晶體的閃爍性能。不同Yb3，摻雜濃度的YbYAG晶體具有不同的光輸出和淬滅溫度，光輸出隨Yb，摻雜濃度升高而降低...

假設(shè)電子空穴對轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān))，因此，無機閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān).NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約4...

比較了摻雜不同價離子對Ce: YAP晶體自吸收的影響。發(fā)現(xiàn)二價離子對Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強的負面影響，而四價離子有助于提高晶體的閃爍性能。還研究了錳離子摻雜對Ce: YAP晶體性能的影響。利用溫度梯度法，生長了直徑為110毫米的Ce: YAG閃爍晶...

YbYAG晶體是一種發(fā)展前景巨大的固體激光工作物質(zhì)，由于Yb4+ 離子具有 4f13 電子結(jié)構(gòu)，它的吸收和發(fā)射譜帶簡單，激光上能級無激發(fā)態(tài)自吸收和上轉(zhuǎn)換，輻射量子效率高，峰值位于 940nm 和 970nm 的吸收線寬寬，吸收系數(shù)大，與InGaAs二極管發(fā)光波...

一輛高級轎車需要稀土永磁材料約0.5kg-3.5kg，在新能源汽車上這些量更大。每輛混合動力車較傳統(tǒng)汽車要多消耗5kg釹鐵硼；純電動車中，稀土永磁電機替代傳統(tǒng)電機要多使用5-10KG釹鐵硼。稀土VS半導體較近幾年，稀土市場會拿出來和半導體一起進行討論。但值得注...

Tm:YAP和Tm:LSO兩微米波段激光晶體生長、光譜和激光性能的研究.1. 采用TPM法計算了Tm:YAP晶體JO參數(shù)：Ω2＝0.8×10-19cm2，Ω4＝1.6×10-19 cm2，Ω6＝1.1×10-19 cm2，擬合得到的JO參數(shù)與文獻報道的非常接近...

除了主要摻雜的鈰元素外，鋯元素占很大比例，其含量超過10ppm，這應該是由于生長過程中少量氧化鋯絕緣蓋碎片落入熔體中造成的，但鋯對YAP: Ce晶體[104]的閃爍特性有一定的積極影響。其他元素的含量太小，不足以引起足夠數(shù)量的吸收中心。但晶體生長所用原料的純度...

隨著我們過經(jīng)濟的飛速發(fā)展，脫貧致富，實現(xiàn)小康之路觸手可及。值得注意的是有限責任公司（自然）企業(yè)的發(fā)展，特別是近幾年，我國的電子企業(yè)實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。從電子元器件的外國采購在出售。電子元器件加工是聯(lián)結(jié)上下游供求必不可少的紐帶，目前電子元器件企業(yè)商已承擔了終端應用中...

采用提拉法生長CeYAG單晶，通過X射線衍射和激發(fā)發(fā)射光譜對其晶相結(jié)構(gòu)和光譜特性進行了表征，研究了CeYAG單晶封裝白光LED的較佳摻雜濃度.在455 nm藍光激發(fā)下，CeYAG單晶的發(fā)射光譜可由中心波長526 nm(5d12 EgГ8g→4f12 F7/2Г...

大芯層尺寸YbYAG晶體波導的設(shè)計，采用無膠鍵合(AFB)技術(shù)制備的晶體波導具有良好的模式限制作用。在考慮模式競爭的情況下，對晶體波導的單橫模條件進行計算，得出在芯層材料為原子數(shù)分數(shù)為1%的YbYAG，內(nèi)包層材料為原子數(shù)分數(shù)為0.5%的ErYAG中，芯層和內(nèi)包...

YbYAG晶體的生長與激光性能，隨著InGaAs激光二極管的不斷發(fā)展，YbYAG晶體熱效率低、適合LD泵浦的優(yōu)點被重新認識，是一種新型的LD泵浦的固體激光器增益介質(zhì)。從理論上講，YbYAG激光器更適合高平均功率、連續(xù)波或高重復頻率的脈沖應用，可用作武器的小型、...

不同濃度Tm:YAP與純YAP的XRD譜，根據(jù)衍射數(shù)據(jù)算得不同濃度Tm:YAP晶體的晶胞參數(shù)示，其晶格常數(shù)a、b、c及晶胞體積分別略小于純YAP相應值，并且基本上隨Tm3+摻雜濃度增大而進一步減小，但總得說來，基質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)的畸變較小。這主要是因為Tm3+與Y3...

YbYAG晶體的優(yōu)勢：1、光學品質(zhì)優(yōu)良。2、斜率效率高。3、激光上能級無激發(fā)態(tài)自吸收和上轉(zhuǎn)換。4、吸收線寬。5、熱導性能和機械性能好。6、能方便的用InGaAs二極管泵浦。YbYAG是一種在釔鋁石榴石晶體中摻有三價離子的激光晶體，可發(fā)射1030 nm近紅外激光...

Ce: YAP晶體的退火，剛出爐的Ce:YAP單晶由于內(nèi)部熱應力較大，在加工過程中容易開裂，提拉法生長的晶體明顯，同時由于鈰離子的價態(tài)(Ce2、Ce3、Ce4)不同，高溫閃爍晶體中只有三價鈰離子(Ce3)作為發(fā)光中心，因此不同的退火工藝條件對高溫閃爍晶體的閃爍...

兩項一般性意見如下：如上所述，快電子在非彈性散射過程中會損失能量。這是文學中常見的表達。但是，能量實際上并沒有損失，而是分布到了二次電子激發(fā)。閃爍體中真正的能量損失是由以下與閃爍競爭的過程引起的：點缺陷的形成、聲子，的產(chǎn)生、二次電子和光子從晶體中逃逸以及長期磷...

一種藍光半導體激光器激發(fā)CeYAG晶體的激光照明系統(tǒng)，包括藍光半導體激光器，光學耦合透鏡組，光纖，CeYAG晶體模塊，光學透鏡組，上述元件依次排列于同一光路上.其中N個(N≥1)藍光半導體激光器經(jīng)過光學耦合透鏡組的準直和聚焦，耦合進光纖，多根光纖可以進行捆綁合...

YbYAG晶體的生長與激光性能，隨著InGaAs激光二極管的不斷發(fā)展，YbYAG晶體熱效率低、適合LD泵浦的優(yōu)點被重新認識，是一種新型的LD泵浦的固體激光器增益介質(zhì)。從理論上講，YbYAG激光器更適合高平均功率、連續(xù)波或高重復頻率的脈沖應用，可用作武器的小型、...

閃爍晶體有其他的說法，你知道嗎？不知道的話就和小編一起來看看吧，閃爍晶體又稱熒光晶體。由放射線激發(fā)產(chǎn)生高效發(fā)光的熒光晶體。當其受到X射線、γ射線或其他荷電粒子輻照時，其中的價電子就會因受到激發(fā)而進入激發(fā)態(tài)，即由價帶進入導帶。當電子由導帶自發(fā)躍遷返回價帶時，多余...

YbYAG晶體有哪些生長方法？是如何生長的？如果感興趣的就一起來看看吧，YbYAG激光晶體的生長方法，一般用提拉法生長YbYAG晶體，得到的晶體呈藍色。這是因為存在Yb2+和Re-F色心。由于晶體中含有Yb2+，使晶格發(fā)生畸變，不但使晶格缺陷大量增加，而且也對...

作為自由離子，Ce3的4f和5d能級差為6.134 eV (202nm/49340cm-1) [14]。在晶體場的作用下，4f和5d之間的能級距離普遍減小。晶體場力越大，能級間距越小。從前面的討論可以看出，4f能級在內(nèi)層被屏蔽，基本不受晶場影響。5d態(tài)被晶體...

發(fā)光中心分布在晶體中分布不均勻?qū)е绿綔y元件閃爍性能的差異，在一定程度上降低了閃爍探測器的整機性能。研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對Ce3+離子濃度有較強的依賴關(guān)系。下列圖表分別表示了Ce:YAG閃爍晶體的光輸出和衰減常數(shù)(快成分與慢成分)隨Ce離子的...

YbYAG晶體有哪些生長方法？是如何生長的？如果感興趣的就一起來看看吧，YbYAG激光晶體的生長方法，一般用提拉法生長YbYAG晶體，得到的晶體呈藍色。這是因為存在Yb2+和Re-F色心。由于晶體中含有Yb2+，使晶格發(fā)生畸變，不但使晶格缺陷大量增加，而且也對...

為了了解過渡金屬摻雜對Ce: YAP自吸收可能產(chǎn)生的影響，我們對比了Cu(0.5%), Fe(0.5%)，Mn(0.5%) 等過渡金屬摻雜的純YAP晶體的透過譜。由此可見，Mn摻雜YAP在480nm處有明顯吸收峰，Cu 摻雜則在370nm左右存在吸收峰，F(xiàn)e摻...

根據(jù)吸收光譜計算出Tm:YAP晶體的JO參數(shù)為： 2=0.8 10-19cm2， 4=1.6 10-19cm2， 6=1.1 10-19cm2，均方根偏差為1.5110-22 cm2。根據(jù)吸收和發(fā)射的重疊積分，計算了tm3360 yap中的能量交叉測試了濃度為...

一個類似于輻射長度的物理量叫做摩爾半徑(RM):RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.13)，小摩爾半徑有利于減少其他粒子對能量測量的污染。吸收系數(shù)、輻射長度和摩爾半徑與晶體密度直接或間接成反比。因此，尋找高密度閃爍晶體已成為未來閃爍晶體的一個重要研究方...

Tm:YAP晶體熒光譜及熒光壽命的溫度依賴特性多少？為了更好了解Tm3+在Tm:YAP晶體中吸收躍遷特性以及其溫度依賴特性，我們測試了4at%Tm:YAP晶體b向樣品的變溫吸收譜。圖4-7為3H6→3H4躍遷對應的變溫吸收譜。低溫下Tm3+吸收為尖銳譜線，隨溫...

Tm:YAP晶體能級結(jié)構(gòu)通過低溫吸收譜和熒光譜，可以比較準確的確定Tm:YAP晶體的能級結(jié)構(gòu)。如圖4-17，由吸收譜和發(fā)射譜交疊，可確定3F4能級零聲子線位置EZL=5621cm-1，然后根據(jù)發(fā)射譜確定基態(tài)13個stark能級，再根據(jù)吸收譜確定激發(fā)態(tài)能級，在這...

下面以Tm:YAP吸收和發(fā)射光譜為基礎(chǔ)，對這些參數(shù)進行了計算。Tm:YAP晶體生長、光譜和激光性能研究。室溫下晶體的吸收光譜是在JASCO V-570 type ultraviolet/visible/near-IR spectrophotometer 光譜儀...

根據(jù)吸收光譜計算出Tm:YAP晶體的JO參數(shù)為： 2=0.8 10-19cm2， 4=1.6 10-19cm2， 6=1.1 10-19cm2，均方根偏差為1.5110-22 cm2。根據(jù)吸收和發(fā)射的重疊積分，計算了tm3360 yap中的能量交叉測試了濃度為...