Ce:YAG閃爍晶體的研究概況釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學(xué)襯底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)獲得廣泛應(yīng)用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料引起人們的注意則是在1992年[81]。Moszynski[82...

到目前為止，2m激光器經(jīng)歷了近50年的發(fā)展，已經(jīng)普遍應(yīng)用于科學(xué)研究、醫(yī)療等領(lǐng)域。綜上所述，目前2m激光主要通過(guò)以下方式實(shí)現(xiàn)：摻Tm3固態(tài)激光器。摻Tm3固體激光器是2m波段**重要的固體激光器。Tm3離子在790nm附近的吸收與商用二極管的吸收匹配良好，2m波...

稀土與官方半導(dǎo)體與稀土在很多領(lǐng)域都是如影隨形的，比如在官方領(lǐng)域，沒(méi)有稀土與半導(dǎo)體的官方，無(wú)法形成強(qiáng)大的威懾力。如今，幾乎所有的大中型武器都實(shí)現(xiàn)了電子信息化，小到夜視儀，大到飛機(jī)、坦克和航母，半導(dǎo)體無(wú)處不在，而稀土在特定的官方領(lǐng)域，也發(fā)揮著極強(qiáng)的作用。根據(jù)美國(guó)國(guó)...

Tm:YAP和Tm:LSO兩微米波段激光晶體生長(zhǎng)、光譜和激光性能的研究.1. 采用TPM法計(jì)算了Tm:YAP晶體JO參數(shù)：Ω2＝0.8×10-19cm2，Ω4＝1.6×10-19 cm2，Ω6＝1.1×10-19 cm2，擬合得到的JO參數(shù)與文獻(xiàn)報(bào)道的非常接近...

YbYAG晶體的生長(zhǎng)與激光性能，隨著InGaAs激光二極管的不斷發(fā)展，YbYAG晶體熱效率低、適合LD泵浦的優(yōu)點(diǎn)被重新認(rèn)識(shí)，是一種新型的LD泵浦的固體激光器增益介質(zhì)。從理論上講，YbYAG激光器更適合高平均功率、連續(xù)波或高重復(fù)頻率的脈沖應(yīng)用，可用作武器的小型、...

關(guān)于YbYAG晶體的一些相關(guān)的介紹在這里了，感興趣的可以來(lái)看看，提拉法生長(zhǎng)直徑8 inch YbYAG激光晶體，設(shè)計(jì)制造了適于生長(zhǎng)直徑8 inch YbYAG激光晶體的生長(zhǎng)系統(tǒng)和熱場(chǎng)，采用感應(yīng)加熱提拉法成功生長(zhǎng)出了直徑8英寸YbYAG激光晶體，晶體等徑部分較小...

國(guó)外生長(zhǎng)的YAP單晶已達(dá)到50毫米，長(zhǎng)約150毫米，重約1380克。隨著生長(zhǎng)技術(shù)的提高，中科院上海光學(xué)力學(xué)研究所已經(jīng)能夠生長(zhǎng)出直徑為50 mm的大單晶，但形狀控制和質(zhì)量有待進(jìn)一步提高。比較了不同價(jià)離子摻雜對(duì)Ce: YAP晶體閃爍性能的影響。結(jié)果表明，二價(jià)離子摻...

隨著核物理和高能物理的發(fā)展，出現(xiàn)了一個(gè)必須解決的問(wèn)題，那就是粒子質(zhì)量的起源。為了理解這個(gè)問(wèn)題，世界上正在建造能量不斷增加的大型對(duì)撞機(jī)和加速器。這些裝置上用來(lái)測(cè)量各種質(zhì)子、電子、Uons、介子等粒子能量的探針?lè)Q為電磁量熱儀，閃爍晶體是構(gòu)建電磁量熱儀的中心材料。例...

有時(shí)線性吸收系數(shù)被質(zhì)量吸收系數(shù)微米=/d (d袋表密度)代替。因?yàn)橘|(zhì)量吸收系數(shù)與材料的晶體結(jié)構(gòu)和相態(tài)無(wú)關(guān)。與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)異的熱力學(xué)性質(zhì)和穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)。因此，鈰離子摻雜的無(wú)機(jī)氧化物閃爍晶體，包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽和磷酸鹽，已經(jīng)引起...

不同摻雜濃度的YbYAG晶體，通過(guò)不同Yb3雜濃度30at﹪的YbYAG晶休的陰極射線發(fā)光譜，衰減時(shí)間，光輸出及其溫度依賴關(guān)系的測(cè)量研究了YbYAG晶體的閃爍性能。不同Yb3，摻雜濃度的YbYAG晶體具有不同的光輸出和淬滅溫度，光輸出隨Yb，摻雜濃度升高而降低...

YAP晶體的生長(zhǎng)過(guò)程：(1)籽晶：的選擇籽晶的走向和質(zhì)量直接影響直拉晶體的質(zhì)量。對(duì)于YAP單晶，由于其嚴(yán)重的各向異性，B軸的熱膨脹系數(shù)遠(yuǎn)大于A軸和C軸(A:4.2 10-6 oc-1，B:11.7 10-6 oc-1，C:5.1 10-6 oc-1)，在...

下文介紹的是與YbYAG晶體相關(guān)的知識(shí)，感興趣的就來(lái)看看吧，YbYAG晶體的合作發(fā)光現(xiàn)象。當(dāng)用940nm的近紅外光激發(fā)時(shí)，YbYAG晶體有明顯的上轉(zhuǎn)換藍(lán)色發(fā)光。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)498 nm的藍(lán)色發(fā)光強(qiáng)度與激發(fā)功率的平方成正比，而且Yb3+摻雜濃度越高，藍(lán)色發(fā)光越強(qiáng)。分...

CeYAG晶體，屬于無(wú)機(jī)閃爍體。無(wú)機(jī)閃爍晶體研究的真正前奏始于半個(gè)世紀(jì)前羅伯特霍夫斯塔德發(fā)現(xiàn)NaI(Tl)單晶的優(yōu)異閃爍性能。經(jīng)過(guò)半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，無(wú)機(jī)閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體，如BGO、銫：Na、鋇F2、PWO和鈰Ce:LSO等，而且極大地拓展了...

稀土與官方半導(dǎo)體與稀土在很多領(lǐng)域都是如影隨形的，比如在官方領(lǐng)域，沒(méi)有稀土與半導(dǎo)體的官方，無(wú)法形成強(qiáng)大的威懾力。如今，幾乎所有的大中型武器都實(shí)現(xiàn)了電子信息化，小到夜視儀，大到飛機(jī)、坦克和航母，半導(dǎo)體無(wú)處不在，而稀土在特定的官方領(lǐng)域，也發(fā)揮著極強(qiáng)的作用。根據(jù)美國(guó)國(guó)...

Ce:YAG閃爍晶體的主要應(yīng)用在哪里？高溫閃爍晶體今后的發(fā)展趨勢(shì)主要包括以下幾個(gè)方面：1、尋求優(yōu)化的高溫閃爍晶體生長(zhǎng)方法以及工藝技術(shù)。目前，多數(shù)高溫閃爍晶體主要是通過(guò)提拉法生長(zhǎng)的，探索改進(jìn)的提拉法或其它的工程化生長(zhǎng)工藝技術(shù)對(duì)研究開(kāi)發(fā)高溫閃爍晶體具有十分重要的意...

對(duì)YbYAG晶體感興趣的可以來(lái)看看下文的一些相關(guān)知識(shí)的介紹，激光二極管抽運(yùn)低溫YbYAG再生放大器，對(duì)YbYAG晶體熒光譜線的分析，討論了其低溫條件下的增益特性.利用激光二極管作為抽運(yùn)源，采用背向端面抽運(yùn)方式，使用摻雜原子數(shù)分?jǐn)?shù)為8%的片狀YbYAG晶體，搭建...

CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰，這是Ce3+的特征吸收峰。目前商用白光LED中使用的藍(lán)光芯片的發(fā)射波長(zhǎng)為460nm。中心波長(zhǎng)460nm的CeYAG單晶的寬吸收帶表明，它能有效地吸收藍(lán)晶片發(fā)出的藍(lán)光，將藍(lán)晶片發(fā)出的藍(lán)光和CeYAG晶片發(fā)出...

在弱還原氣氛下生長(zhǎng)的Ce:YAP晶體，發(fā)現(xiàn)自吸收得到有效緩解，2mm厚度晶體透過(guò)邊藍(lán)移近30nm，熒光激發(fā)的發(fā)光強(qiáng)度提高了50%以上。同時(shí)研究了還原氣氛生長(zhǎng)對(duì)Ce:YAP晶體其他閃爍性能的影響。1．生長(zhǎng)了不同價(jià)態(tài)離子摻雜的Ce:YAP晶體，以研究電荷補(bǔ)償效應(yīng)對(duì)...

Nd:YAG激光的另一個(gè)波長(zhǎng)1320 nm，可適用于由于血液逆流導(dǎo)致的大、小隱靜脈曲張及無(wú)功能性的淺表支靜脈曲張等疾病的醫(yī)治。Nd:YAP(摻釹鋁酸釔)激光器輸出的1.3 μm激光與該波長(zhǎng)相近，由于人眼相對(duì)安全的特性，這種波長(zhǎng)激光在醫(yī)用手術(shù)中曾被普遍看好，并可...

為了了解過(guò)渡金屬摻雜對(duì)Ce: YAP自吸收可能產(chǎn)生的影響，我們對(duì)比了Cu(0.5%), Fe(0.5%)，Mn(0.5%) 等過(guò)渡金屬摻雜的純YAP晶體的透過(guò)譜。由此可見(jiàn)，Mn摻雜YAP在480nm處有明顯吸收峰，Cu 摻雜則在370nm左右存在吸收峰，F(xiàn)e摻...

一種生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法技術(shù)，坩堝下降法生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法。該晶體化學(xué)式為：(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12；0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.05；其中A為L(zhǎng)u、Tb、Pr、La、Gd中的一種；B為Ga、Ti...

我們提供的Tm:YAG晶體,摻銩釔鋁石榴石晶體如下： I）Tm:YAG晶體摻雜濃度從1 at.％ 到8 at ％ Tm/Y; II)摻銩釔鋁石榴石晶體棒的直徑為從2mm到7mm,棒的長(zhǎng)度達(dá)100mm; III)Tm:YAG晶體,摻銩釔鋁石榴石晶體可提供增透...

熱導(dǎo)率測(cè)試本實(shí)驗(yàn)中采用激光脈沖法對(duì)所生長(zhǎng)晶體熱導(dǎo)率進(jìn)行了測(cè)量。激光脈沖法是常用的測(cè)試熱導(dǎo)率方法之一，可以獲得不同溫度下樣品的熱導(dǎo)率。其原理為：在四周絕熱的薄圓片試樣的正面，輻照一個(gè)垂直于試樣正面的均勻的激光脈沖進(jìn)行加熱，熱量在樣品中擴(kuò)散，使樣品背部的溫度上升。...

目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長(zhǎng)方法主要為提拉法和溫梯法。近年來(lái), Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)也備受人們的關(guān)注.為了填補(bǔ)我國(guó)在高溫閃爍晶體研究...

對(duì)于中頻感應(yīng)加熱提拉法(Czochralski Method)生長(zhǎng)的高摻雜濃度(原子數(shù)分?jǐn)?shù)0.30)YbYAG晶體，經(jīng)退火后采用差示掃描量熱計(jì)法測(cè)量了晶體的比熱容，通過(guò)激光脈沖法測(cè)量了不同摻雜濃度(原子數(shù)分?jǐn)?shù)0.05～0.30YbYAG晶體的熱擴(kuò)散率和熱導(dǎo)率。...

Mn: YAP 和Ce, Mn: YAP 的熒光激發(fā)發(fā)射譜，714nm 和685nm發(fā)射峰為Mn4+ 離子 2E - 4A2 躍遷[113]。332 nm, 373 nm 和 480 nm ( λem=714nm) 分別屬于Mn4+離子的4A2→4T1 (4F...

電子元器件行業(yè)規(guī)模不斷增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)表現(xiàn)優(yōu)于國(guó)際市場(chǎng)，多個(gè)下游企業(yè)的應(yīng)用前景明朗，電子元器件行業(yè)具備廣闊的發(fā)展空間和增長(zhǎng)潛力。閃爍過(guò)程的第四階段可以稱為遷移階段，因?yàn)檫w移的電子激發(fā)并向發(fā)光中心轉(zhuǎn)移能量。通過(guò)電子空穴對(duì)與激子轉(zhuǎn)移能量是可能的。在第一種情況下，通過(guò)...

據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前，我國(guó)電子元器件加工產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值已占電子信息行業(yè)的五分之一，是我國(guó)電子信息行業(yè)發(fā)展的根本。汽車電子、互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品、移動(dòng)通信、智慧家庭、5G、消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域成為中國(guó)電子元器件市場(chǎng)發(fā)展的源源不斷的動(dòng)力，帶動(dòng)了電子元器件的市場(chǎng)需求，也加快電子元器件更...

閃爍晶體可以應(yīng)用的領(lǐng)域有很多，你知道嗎？可來(lái)看看下文的一些介紹，閃爍晶體在工業(yè)探傷領(lǐng)域，人們利用閃爍晶體探測(cè)X射線，在工業(yè)CT上獲取工件內(nèi)部的缺陷結(jié)構(gòu)和分布，避免工件失效和改善工件品質(zhì)；在醫(yī)院，人們采用閃爍晶體探測(cè)注入人體內(nèi)的放射性示蹤劑產(chǎn)生的高能伽馬射線，在...

不同摻雜濃度的YbYAG晶體，通過(guò)不同Yb3雜濃度30at﹪的YbYAG晶休的陰極射線發(fā)光譜，衰減時(shí)間，光輸出及其溫度依賴關(guān)系的測(cè)量研究了YbYAG晶體的閃爍性能。不同Yb3，摻雜濃度的YbYAG晶體具有不同的光輸出和淬滅溫度，光輸出隨Yb，摻雜濃度升高而降低...