采用提拉法生長CeYAG單晶，通過X射線衍射和激發(fā)發(fā)射光譜對其晶相結構和光譜特性進行了表征，研究了CeYAG單晶封裝白光LED的較佳摻雜濃度.在455 nm藍光激發(fā)下，CeYAG單晶的發(fā)射光譜可由中心波長526 nm(5d12 EgГ8g→4f12 F7/2Г8u)的寬發(fā)射帶(500650 nm)組成激發(fā)光譜由343 nm (4f12F5/2Г7u→5d12EgГ7g)和466 nm(4f12F5/2Г7u→5d12EgГ8g)2個激發(fā)峰組成Stokes位移為2448cm-1，Huang-Rhys因子為6.12.研究結果表明，CeYAG單晶中Ce離子摻雜濃度與封裝的白光LED之間有對應關系，在650nm紅粉調(diào)節(jié)下Ce離子較佳摻雜濃度范圍為0.0340.066。在5KV之內(nèi)以及超過100KV的更高加速電壓下，CeYAG晶體具有更好的響應。海南雙折射CeYAG晶體直銷
CeYAG晶體，屬于無機閃爍體。無機閃爍晶體研究的真正前奏始于半個世紀前羅伯特霍夫斯塔德發(fā)現(xiàn)NaI(Tl)單晶的優(yōu)異閃爍性能。經(jīng)過半個多世紀的發(fā)展，無機閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體，如BGO、銫：Na、鋇F2、PWO和鈰Ce:LSO等，而且極大地拓展了閃爍晶體在高能物理和核物理、醫(yī)療、安檢、工業(yè)等領域的應用[2]-[12]；此外，無機閃爍晶體[13]-[23]、[41]、[51]、[56]-[58]的閃爍機制不斷得到改進和發(fā)展，為改進現(xiàn)有閃爍體和尋找性能更好的新型無機閃爍晶體提供了堅實的理論基礎。海南雙折射CeYAG晶體直銷CeYAG晶體還用作陰極射線管的熒光體。
通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強度從零瞬開始增加，并達到比較大值I0(t=0)，然后閃爍光將指數(shù)衰減(當用一階動力學處理時)，晶體生長的適宜溫度場主要通過選擇和調(diào)整石墨加熱器、鉬坩堝和鉬反射保溫屏的形狀和相對位置來獲得。所用鉬坩堝的尺寸為78毫米h70毫米，鉬坩堝錐形下部的籽晶槽中填充有111方向的純釔鋁石榴石籽晶。Ce:YAG晶體的生長溫度約為1970，生長周期約為15天。結晶完成后，晶體在爐內(nèi)原位退火，待爐內(nèi)溫度降至室溫后取出晶體。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數(shù)大于鉬，容易從鉬坩堝中取出，但晶體下部經(jīng)常與坩堝粘結，導致出坩堝取晶體時晶體下部邊緣開裂。整個晶體內(nèi)部質量完好無損
隨著高能物理、核物理及相關科學技術的快速發(fā)展，傳統(tǒng)無機閃爍晶體的缺點日益突出。尋找新的高光輸出快速衰減的無機閃爍晶體具有重要的科學意義和巨大的市場價值。20世紀80年代末和90年代初，國際上掀起了對高光輸出快速衰減的無機閃爍晶體的研究熱潮。其中，1990年成立的隸屬于歐洲核中心(CERN)的“水晶透明協(xié)作”研究小組，是由來自十幾個國家的材料科學家、固體物理學家和探測器專家組成的跨學科研究小組[39]。其主要目標是研究和開發(fā)新的無機閃爍晶體，以滿足日益增長的大型強子對撞機(LHC)和其他高能物理實驗對閃爍探測器的需求。Ce:YAG晶體的光學吸收譜多少？
閃爍晶體的本質是一種能量轉換器，所以能量轉換效率()是表征所有閃爍晶體0基本的參數(shù)，是指閃爍晶體輻射的光子能量(Ep)與閃爍晶體吸收的總能量(er)之比。閃爍晶體發(fā)射光子的平均能量是發(fā)射的閃爍光子數(shù)。光輸出(LR)是反映閃爍體晶體，能量轉換效率的重要的物理參數(shù)，是指閃爍體吸收并消耗1mV射線能量后發(fā)出的可見/紫外光子數(shù)。即閃爍過程中產(chǎn)生的閃爍光子數(shù)與閃爍晶體中光線或粒子損失的能量之比。除了熔點溫度高（1970oC）外， Ce:YAG晶體中存在的主要缺點是Ce離子在晶體中的分布不均勻，主要是由于Ce3+(0.118nm)和Y3+(0.106nm)離子的半徑相差較大，其分凝系數(shù)較小（~ 0.1）造成的。CeYAG晶體發(fā)光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設備有效耦合。海南雙折射CeYAG晶體直銷
CeYAG晶體具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖。海南雙折射CeYAG晶體直銷
關于新型閃爍晶體及其應用的國際學術交流極其頻繁和活躍。例如，關于新閃爍晶體及其應用的第1次國際會議“水晶2000”于1992年在法國夏蒙尼舉行，由“水晶透明協(xié)作”小組主辦。隨后，研究合作小組分別于1994年、1995年、1997年、1999年和2001年在美國，荷蘭，中國和俄羅斯舉行了兩年一次的新型閃爍材料學術研討會[39]。這些研討會極大地促進了具有高光輸出和快速衰減的無機閃爍晶體的研究和發(fā)展。特別是鈰離子摻雜的無機閃爍晶體，如Ce:YAP、Ce:LSO和Ce:LuAP，受到了極大的關注，被認為是新一代高光輸出、快衰減的無機閃爍晶體材料。提拉法生長Ce:YAG晶體?海南雙折射CeYAG晶體直銷
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