除了主要摻雜的鈰元素外，鋯元素占很大比例，其含量超過10ppm，這應該是由于生長過程中少量氧化鋯絕緣蓋碎片落入熔體中造成的，但鋯對YAP: Ce晶體[104]的閃爍特性有一定的積極影響。其他元素的含量太小，不足以引起足夠數(shù)量的吸收中心。但晶體生長所用原料的純度為5N，測量結(jié)果表明總雜質(zhì)含量大于1ppm，已經(jīng)超出純度限值一個數(shù)量級。過量的雜質(zhì)可能來自晶體生長過程或配料過程，因此在未來的生長和制備過程中應注意可能的雜質(zhì)污染。CeYAP的TL主發(fā)光峰峰溫較高(701 K)。安徽大尺寸CeYAP晶體現(xiàn)貨
對于摻Ce3的無機閃爍晶體，高能射線作用下的閃爍機制一般認為如下[16，17]:晶體吸收高能射線后，晶體內(nèi)部產(chǎn)生大量的熱化電子空穴對。由于鈰元素的四階電離能是所有稀土元素中比較低的(如圖1-6所示)，晶體發(fā)光中心的Ce3離子首先俘獲一個空穴形成Ce4離子。然后一個電子被捕獲，變成Ce3。此時，電子和空穴被鈰離子重組。復合產(chǎn)生的能量將Ce3離子從4f基態(tài)激發(fā)到5d激發(fā)態(tài)，然后Ce3離子從5d激發(fā)態(tài)輻射弛豫到4f基態(tài)發(fā)光由于摻雜鈰離子的無機閃爍體通常具有高光輸出和快速衰減的特點。安徽大尺寸CeYAP晶體現(xiàn)貨籽晶的選擇籽晶的走向和質(zhì)量直接影響直拉晶體的質(zhì)量。
紫外線照射對Ce: YAP晶體自吸收的影響，我們用8W的紫外燈功率和255nm的波長照射厚度為2mm、濃度為0.3%的Ce: YAP樣品。樣品輻照時間分別為15、30和60分鐘。從紫外輻射吸收光譜可以清楚地看出，隨著輻照時間的增加，Ce: YAP樣品的吸收邊發(fā)生紅移，樣品在254nm處的吸收系數(shù)也相應增加。退火和輻照純度對YAP和Fe: YAP晶體吸收光譜的影響，據(jù)報道，F(xiàn)e3和Fe2離子分別在260納米和227納米附近有吸收[98，99]，純YAP在260納米附近也有吸收。為了了解255納米附近的吸收峰特性，我們生長并研究了純YAP晶體和濃度為0.2%的YAP:鐵。通過透射率的比較，我們粗略分析了純YAP和YAP: Fe晶體中可能的色心及其對ce3360ap自吸收的影響。
近年來，出現(xiàn)了一些新的快速閃爍材料，如Zn0基閃爍體、摻鐠氧化物晶體[2，3]、Yb: YAG等。Zn0和Yb: YAG的衰減時間小于1ns，但出光率低，Zn0晶體的生長非常困難。由于Pr3中d-f躍遷發(fā)光的存在，其氧化物晶體的衰變時間比摻鈰氧化物晶體快。比如Pr3360YAG是17ns，但是Pr的復雜能級對光產(chǎn)額影響很大。0近有報道稱，摻鎵Zn0的發(fā)光強度有了很大的提高，對時間特性影響不大。由于各種原因，這些新的閃爍材料在實際應用之前還有很長的路要走。閃爍材料會議也經(jīng)常舉行。由于存在Ce3+離子的非輻射躍遷，Ce,Mn:YAP的衰減時間的快慢成分均變?yōu)樵瓉淼囊话搿?/p>
為了了解過渡金屬摻雜對Ce: YAP自吸收可能產(chǎn)生的影響，我們對比了Cu(0.5%), Fe(0.5%)，Mn(0.5%) 等過渡金屬摻雜的純YAP晶體的透過譜。由此可見，Mn摻雜YAP在480nm處有明顯吸收峰，Cu 摻雜則在370nm左右存在吸收峰，F(xiàn)e摻雜YAP并將在下節(jié)討論。我們生長的Ce: YAP 在350nm到500nm范圍內(nèi)不存在額外吸收峰，少量過渡金屬離子的存在對吸收只會造成線性疊加影響, 且低濃度吸收并不足以造成Ce: YAP晶體的自吸收，因此過渡金屬離子污染造成Ce: YAP吸收帶紅移可能性不大。CeYAP是一種性能優(yōu)良的快閃爍晶體，它擁有較高的光輸出、快的衰減時間。安徽大尺寸CeYAP晶體現(xiàn)貨
CeYAP等被認為是新一代高性能無機閃爍晶體。安徽大尺寸CeYAP晶體現(xiàn)貨
發(fā)光是一種能量被物體吸收并轉(zhuǎn)化為光輻射(不平衡輻射)的過程，具有普遍的應用領域。閃爍體作為高能粒子探測和核醫(yī)學成像，是目前發(fā)光領域的重要研究內(nèi)容。閃爍現(xiàn)象是指粒子束或射線作用于某種物質(zhì)產(chǎn)生的脈沖光。它更重要的特點是發(fā)出的光具有極快的衰減時間。具有這種性質(zhì)的材料稱為閃爍體或閃爍材料。利用熒光物質(zhì)的發(fā)光現(xiàn)象來記錄核輻射早就開始了。長期以來，閃爍體作為一種非常重要的電磁量熱儀材料，在高能物理、核醫(yī)學成像、核技術和工程中得到了普遍的應用。安徽大尺寸CeYAP晶體現(xiàn)貨
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