閃爍晶體有其他的說法，你知道嗎？不知道的話就和小編一起來看看吧，閃爍晶體又稱熒光晶體。由放射線激發(fā)產(chǎn)生高效發(fā)光的熒光晶體。當其受到X射線、γ射線或其他荷電粒子輻照時，其中的價電子就會因受到激發(fā)而進入激發(fā)態(tài)，即由價帶進入導帶。當電子由導帶自發(fā)躍遷返回價帶時，多余的能量即以熒光形式發(fā)射出來，從而產(chǎn)生熒光。由無機物質用提拉法或坩堝下降法生長制成。國際上發(fā)現(xiàn)、研究和開發(fā)了為數(shù)較多的閃爍晶體。希望以上的一些相關的介紹能夠對你有一些幫助。如今無機閃爍晶體的閃爍機制不斷得到改進和發(fā)展。雙摻CeYAG晶體直銷
根據(jù)經(jīng)典熒光理論，參數(shù)q也可以由公式(1.15) [14]計算。公式中，Wr和Wnr分別為輻射和非輻射躍遷概率；c是猝滅常數(shù)，Eq是猝滅能，kb是為玻爾茲曼常數(shù)，t是完全溫度。分析表明，光輸出主要與晶體的帶隙、基體的組成和結構、能量傳輸效率和溫度有關。當帶隙變?yōu)榱銜r，閃爍晶體將獲得比較大光輸出。但一般情況下，當Eg小于2eV時，無輻射躍遷的概率會增大，從而Q變小，光輸出變小。結果表明，摻鈰離子閃爍晶體的光輸出差異主要是由S 的差異引起的。雙摻CeYAG晶體直銷閃爍晶體是典型的光電轉換材料。
Ce:YAG閃爍晶體的研究概況釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質材料以及光學襯底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)獲得廣泛應用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料引起人們的注意則是在1992年[81]。Moszynski[82]和Ludziejewski[83]等人分別于1994年和1997年對Ce:YAG晶體的閃爍性能進行了較為系統(tǒng)的研究，并指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)良的閃爍性能。Ce:YAG具有快衰減（80ns）以及在530nm發(fā)射熒光，發(fā)光波長與硅光電二極管的探測靈敏區(qū)匹配，使得它可以應用于中低能量γ射線α粒子的探測等領域。
一種藍光半導體激光器激發(fā)CeYAG晶體的激光照明系統(tǒng)，包括藍光半導體激光器，光學耦合透鏡組，光纖，CeYAG晶體模塊，光學透鏡組，上述元件依次排列于同一光路上.其中N個(N≥1)藍光半導體激光器經(jīng)過光學耦合透鏡組的準直和聚焦，耦合進光纖，多根光纖可以進行捆綁合束，也可以進行熔融拉錐合束，從光纖出來的藍光半導體激光激發(fā)具有高激光損傷閾值的CeYAG晶體模塊，產(chǎn)生490～700nm波段的熒光(即受激發(fā)熒光)，并通過對CeYAG晶體模塊的光學設計達到對透射的藍色激光和受激發(fā)熒光的勻化，光學透鏡組對CeYAG晶體模塊勻化后的光線進行配光曲線的調節(jié)，從而產(chǎn)生用于照明領域的均勻白光。Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力。
一般來說，m值越大意味著檢波器的信噪比越好。當光線與閃爍晶體相互作用時，晶體中電子空穴對Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設電子空穴對轉化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對到發(fā)光中心的能量轉移效率和發(fā)光中心的量子效率有關)，可以得出：無機閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48，000 ph/mev)。將其他無機閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進行比較得到的相對值(%NaI(Tl))稱為“相對光輸出”。相對光輸出通常用于表征無機閃爍晶體的光輸出。閃爍晶體置于光電倍增管和準直器之間，其作用是將熒光轉化為γ射線。雙摻CeYAG晶體直銷
CeYAG晶體具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖。雙摻CeYAG晶體直銷
隨著人們對閃爍晶體材料進一步深入的研究和科技的發(fā)展，閃爍晶體材料一般可用于X射線、γ射線、中子及其他高能粒子的探測。經(jīng)過100多年的發(fā)展，以閃爍晶體為關鍵的探測和成像技術已經(jīng)在核醫(yī)學、高能物理、安全檢查、工業(yè)無損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應用。閃爍晶體可以發(fā)出透明的熒光，在高能射線或其他放射性粒子通過時，會發(fā)出閃爍光，該種材料可以應用在射線、中子、高能粒子的探測中，經(jīng)過了百年的發(fā)展，閃爍晶體材料已經(jīng)在安全檢查、高能物理、核醫(yī)學等領域得到推廣。雙摻CeYAG晶體直銷
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