河北人工TmYAP晶體品牌

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-03-19

不同濃度Tm:YAP與純YAP的XRD譜,根據(jù)衍射數(shù)據(jù)算得不同濃度Tm:YAP晶體的晶胞參數(shù)示,其晶格常數(shù)a、b、c及晶胞體積分別略小于純YAP相應(yīng)值,并且基本上隨Tm3+摻雜濃度增大而進(jìn)一步減小,但總得說來(lái),基質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)的畸變較小。這主要是因?yàn)門m3+與Y3+同屬于鑭系的三價(jià)稀土離子,Tm3+的半徑0.88 ?略小于Y3+的半徑(0.9 ?),因此Tm3+的摻入使晶胞參數(shù)略微減小而不會(huì)改變YAP基質(zhì)晶體的結(jié)構(gòu)。2m激光的發(fā)射波長(zhǎng)范圍一般為1.87-2.16米,主要以Tm3和Ho3作為活性離子。2m固體激光器由于其在水中的吸收系數(shù)高、大氣傳輸性好、對(duì)人眼安全等優(yōu)點(diǎn),在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用,主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:醫(yī)用手術(shù)刀。 TmYAP晶體LD泵浦吸收帶寬比TmYAG晶體寬4nm。河北人工TmYAP晶體品牌

3at%Tm:YAP激光實(shí)驗(yàn)在水冷溫度18℃下進(jìn)行,樣品垂直b向切割,尺寸為4×4×8mm3,當(dāng)注入功率22W時(shí),獲得5W 波長(zhǎng)為1.94mm激光輸出,光光轉(zhuǎn)換效率23%。輸出鏡透射耦合率5%和8mm長(zhǎng)晶體配合使用時(shí),由于諧振腔透射損耗減小,增益較低的1.98~1.99mm波長(zhǎng)振蕩輸出。對(duì)H2退火前后晶體激光性能進(jìn)行了比較,3at%Tm:YAP晶體經(jīng)過氫氣退火處理,斜率效率較未經(jīng)退火的提高40%,可見H2退火使晶體中雜質(zhì)離子(Fe3+等)及缺陷減少,提高了晶體的激光性能,具體原因還有待于進(jìn)一步分析。河北人工TmYAP晶體品牌低溫下TmYAP有少量尖銳發(fā)射峰。

Tm:YAP和Tm:LSO兩微米波段激光晶體生長(zhǎng)、光譜和激光性能的研究.1. 采用TPM法計(jì)算了Tm:YAP晶體JO參數(shù):Ω2=0.8×10-19cm2,Ω4=1.6×10-19 cm2,Ω6=1.1×10-19 cm2,擬合得到的JO參數(shù)與文獻(xiàn)報(bào)道的非常接近;由JO參數(shù)計(jì)算得3F4能級(jí)輻射壽命為4.8ms。2. 計(jì)算了Tm:YAP中能量交叉弛豫參數(shù)CD-A=1.53×10-40cm6/s,能量交叉弛豫半徑為6.2?,施主與施主離子能量轉(zhuǎn)移參數(shù)CD-D=2.48×10-39cm6/s;對(duì)不同濃度能量傳遞速率WEE進(jìn)行計(jì)算,并結(jié)合速率方程求解,得出泵浦效率h隨濃度增加而增加。

我們提供的Tm:YAG晶體,摻銩釔鋁石榴石晶體如下: I)Tm:YAG晶體摻雜濃度從1 at.% 到8 at % Tm/Y; II)摻銩釔鋁石榴石晶體棒的直徑為從2mm到7mm,棒的長(zhǎng)度達(dá)100mm; III)Tm:YAG晶體,摻銩釔鋁石榴石晶體可提供增透,局部或高反等諸多鍍膜選擇。 Tm:YAG晶體中文名摻銩釔鋁石榴石晶體,Tm:YAG晶體具有2微米波長(zhǎng)固體激光源的理想介質(zhì)?;谝陨现匾膽?yīng)用價(jià)值,2m激光一直是激光發(fā)展的重要方向之一。早在1962年,Johnson L F團(tuán)隊(duì)就報(bào)道了摻Ho3和摻TM3的2M帶的激光輸出是在鎢酸鈣(CaWO4)晶體中中實(shí)現(xiàn)的。Tm:YAP晶體的常溫?zé)晒庾V及熒光壽命?

Tm:YAP晶體能量轉(zhuǎn)移參數(shù)計(jì)算結(jié)果如何?由于Tm:YAP的各向異性,對(duì)3F4→3H6躍遷的發(fā)射截面,我們采用F-L公式以及偏振發(fā)射譜進(jìn)行了計(jì)算。F-L公式可表示為:(4-3)式中c為光速,λ為波長(zhǎng),I(λ)為熒光光譜上某一波長(zhǎng)λ處的熒光強(qiáng)度,n為折射率,τrad為上能級(jí)輻射壽命。5at%Tm:YAP各偏振方向發(fā)射截面計(jì)算結(jié)果如圖4-19所示,其中E//a方向在1934nm具有比較大發(fā)射截面4.5×10-21cm2,接近于[25]報(bào)道數(shù)據(jù)5.0×10-21cm2。3at%Tm:YAP、4at%Tm:YAP、5at%Tm:YAP晶體E//a發(fā)射截面在1934nm處基本相同。Tm:YAG晶體摻雜濃度從1 at.% 到8 at % Tm/Y。廣東國(guó)產(chǎn)TmYAP晶體現(xiàn)貨供應(yīng)

用直拉法可成功地生長(zhǎng)了濃度分別為1at%、3at%、4at%、5at%和15at%的Tm:YAP晶體。河北人工TmYAP晶體品牌

在半導(dǎo)體靶材領(lǐng)域,也有稀土相關(guān)身影出現(xiàn),雖然絕大多數(shù)半導(dǎo)體芯片的濺射靶材都是采用的銅、鋁等傳統(tǒng)金屬,但仍有相當(dāng)一部分采用的是鉭靶、鉬靶等為主。比如鉬和氧化銦常被用做平板顯示靶材,鉭被用做芯片的靶材,鎢被用作存儲(chǔ)器芯片的靶材。稀土的另一大用途則是在激光方面,甚至有觀點(diǎn)認(rèn)為稀土孕育了人造激光。目前已知約有320種激光晶體,其中約290種是摻入稀土作為觸活離子的,比如摻釹釔鋁石榴石晶體,可以用作重復(fù)頻率高的脈沖激光器,氟化鋰釔可以被用作二極管泵浦的激光晶體。河北人工TmYAP晶體品牌

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