長久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來,立即在業(yè)內掀起了市場閣命。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力,這種新穎的方法已成為當今的工藝標準,EVG的鍵合機設備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額,并且安裝的機臺已經超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供蕞/佳的總擁有成本(TCO),并具有多種設計功能,可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS,3D集成或gao級封裝的不同市場需求,EVG優(yōu)化了用于對準的多個模塊。下面是關于EVG的鍵合機EVG500系列介紹。EVG服務:高真空對準鍵合、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱、混合鍵合、機械或者激光剖離、黏合劑鍵合。重慶鍵合機三維芯片應用
EVG®301特征使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器(可選)進行高/效清潔單面清潔刷(選件)用于晶圓清洗的稀釋化學品防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過程選件帶有紅外檢查的預鍵合臺非SEMI標準基材的工具技術數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室,旋轉器和清潔臂腔室:由PP或PFA制成(可選)清潔介質:去離子水(標準),其他清潔介質(可選)旋轉卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉:蕞高3000rpm(5秒內)超音速噴嘴頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:30-60W去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域:? 4.0mm材質:聚四氟乙烯中國香港鍵合機當?shù)貎r格EVG鍵合機也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化的黏合劑,可選的鍵合室蓋里具有UV源。
用晶圓級封裝制造的組件被guangfan用于手機等消費電子產品中。這主要是由于市場對更小,更輕的電子設備的需求,這些電子設備可以以越來越復雜的方式使用。例如,除了簡單的通話外,許多手機還具有多種功能,例如拍照或錄制視頻。晶圓級封裝也已用于多種其他應用中。例如,它們用于汽車輪胎壓力監(jiān)測系統(tǒng),可植入醫(yī)療設備,軍SHI數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)等。晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸,從而節(jié)省材料并進一步降低生產成本。然而,更重要的是,減小的封裝尺寸允許組件用于更guangfan的高級產品中。晶圓級封裝的主要市場驅動因素之一是需要更小的組件尺寸,尤其是減小封裝高度。
目前關于晶片鍵合的研究很多,工藝日漸成熟,但是對于表面帶有微結構的硅片鍵合研究很少,鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝問題,提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,實現(xiàn)表面帶有微結構硅晶圓之間的鍵合,解決鍵合對硅晶圓表面要求極高,環(huán)境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時,金層發(fā)生流動、互融,從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高,即當金層發(fā)生氧化時就會影響鍵合質量。清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB,使用去離子水和溫和的化學清潔劑去除顆粒。
對準晶圓鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯底zhizao,晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術。反過來,這些工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底,例如SOI(絕緣體上硅)。 主流鍵合工藝為:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗,擁有累計2000多年晶圓鍵合經驗的員工。同時,EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標準。 晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501適用于學術界和工業(yè)研究。原裝進口鍵合機鍵合精度
EVG鍵合機頂部和底部晶片的duli溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù),實現(xiàn)無應力鍵合和出色的溫度均勻性。重慶鍵合機三維芯片應用
針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝展開研究,以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象,提出一種表面帶有微結構的硅—硅共晶鍵合工藝,以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質含量,以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度,使用恒溫爐進行低溫退火,解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,環(huán)境要求苛刻等問題。高低溫循環(huán)測試試驗與既定拉力破壞性試驗結果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時,具有工藝溫度低、容易實現(xiàn)圖形化、應力匹配度高等優(yōu)點。重慶鍵合機三維芯片應用