微流控鍵合機(jī)原理

Plessey工程副總裁JohnWhiteman解釋說(shuō)：“GEMINI系統(tǒng)的模塊化設(shè)計(jì)非常適合我們的需求。在一個(gè)系統(tǒng)中啟用預(yù)處理，清潔，對(duì)齊（對(duì)準(zhǔn)）和鍵合，這意味著擁有更高的產(chǎn)量和生產(chǎn)量。EVG提供的有質(zhì)服務(wù)對(duì)于快速有效地使系統(tǒng)聯(lián)機(jī)至關(guān)重要?！盓VG的執(zhí)行技術(shù)總監(jiān)PaulLindner表示：“我們很榮幸Plessey選擇了我們蕞先進(jìn)的GEMINI系統(tǒng)來(lái)支持其雄心勃勃的技術(shù)開發(fā)路線圖和大批量生產(chǎn)計(jì)劃?！痹摴鏄?biāo)志著Plessey在生產(chǎn)級(jí)設(shè)備投資上的另一個(gè)重要里程碑，該設(shè)備將GaN-on-Si硅基氮化鎵單片microLED產(chǎn)品推向市場(chǎng)。 EVG鍵合機(jī)頂部和底部晶片的duli溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù)，實(shí)現(xiàn)無(wú)應(yīng)力鍵合和出色的溫度均勻性。微流控鍵合機(jī)原理

EVG®301技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性材質(zhì)：不銹鋼和藍(lán)寶石刷子材質(zhì)：PVA可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）可調(diào)參數(shù)（刷壓縮，介質(zhì)分配） 微流控鍵合機(jī)原理晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)）EVG?510 ，擁有150、200mm晶圓單腔系統(tǒng) ；擁有EVG?501 鍵合機(jī)所有功能。

對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合是晶圓級(jí)涂層，晶圓級(jí)封裝，工程襯底zhizao，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過(guò)來(lái)，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長(zhǎng)。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑，陽(yáng)極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機(jī)廠家EVG擁有超過(guò)25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn)，擁有累計(jì)2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工。同時(shí)，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 

EVG®850LT的LowTemp?等離子計(jì)獲模塊 2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體：N2和O2以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar，He，Ne等）和形成氣體（N2，Ar含量蕞/高為4％的氣體）2） 通用質(zhì)量流量控制器：蕞多可對(duì)4種工藝氣體進(jìn)行自校準(zhǔn)，可對(duì)配方進(jìn)行編程，流速蕞/高可達(dá)到20.000sccm 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件），高頻RF發(fā)生器和匹配單元 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞/高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線（1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站。晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究。

EVG®850鍵合機(jī)EVG®850鍵合機(jī)特征生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP操作無(wú)污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動(dòng)盒帶到盒帶操作預(yù)鍵合室對(duì)準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±°結(jié)合力：ZUI高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）清潔站清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選）腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（ZUI大）。2％濃度（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：ZUI高3000rpm。 EVG鍵合機(jī)晶圓鍵合類型如下：陽(yáng)極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。研究所鍵合機(jī)有誰(shuí)在用

EVG鍵合機(jī)晶圓鍵合類型有：陽(yáng)極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合等多類型。微流控鍵合機(jī)原理

EVG®510晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)：用于研發(fā)或小批量生產(chǎn)的晶圓鍵合系統(tǒng)-與大批量生產(chǎn)設(shè)備完全兼容。特色：EVG510是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理從碎片到200mm的基板尺寸。該工具支持所有常見(jiàn)的晶圓鍵合工藝，例如陽(yáng)極，玻璃粉，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計(jì)允許對(duì)不同的晶圓尺寸和工藝進(jìn)行快速便捷的重新工具化，轉(zhuǎn)換時(shí)間不到5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué)、研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的鍵合室設(shè)計(jì)相同，鍵合程序易于轉(zhuǎn)移，可輕松擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。微流控鍵合機(jī)原理