腦片膜片鉗單細(xì)胞

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-02-24

1980年,Sigworth、Hamill、Neher等在記錄電極內(nèi)施加負(fù)壓吸引,得到了10~100GΩ的高阻封接(gigaseal),降低記錄噪聲,實(shí)現(xiàn)了單根電極既鉗制膜電位又記錄單通道電流。獲1991年Nobel獎(jiǎng)。1955年,Hodgkin和Keens應(yīng)用電壓鉗(Voltageclap)在研究神經(jīng)軸突膜對(duì)鉀離子通透性時(shí)發(fā)現(xiàn)放射性鉀跨軸突膜的運(yùn)動(dòng)很像是通過許多狹窄空洞的運(yùn)動(dòng),并提出了"通道"的概念。1963年,描述電壓門控動(dòng)力學(xué)的Hodgkin-Hx上模型(簡(jiǎn)稱H-H模型)榮獲譜貝爾醫(yī)學(xué)/生理學(xué)獎(jiǎng)。1976年,Neher和Sakmann建立膜片鉗(Patchclamp)按術(shù)。1983年10月,《Single-ChannelRecording》一書問世,奠定了膜片鉗技術(shù)的里程碑。1991年,Neher和Sakmann的膜片鋪技術(shù)榮獲諾貝爾醫(yī)學(xué)/生理學(xué)獎(jiǎng)。想要深入了解離子通道?膜片鉗技術(shù)是您不可或缺的研究工具!腦片膜片鉗單細(xì)胞

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電壓鉗的缺點(diǎn)∶電壓鉗技術(shù)目前主要用于巨火細(xì)胞的全細(xì)胞電流研究,特別在分子克隆的卵母細(xì)胞表達(dá)電流的鑒定中發(fā)揮其它技術(shù)不能替代的作用。但也有其致命的弱點(diǎn)1、微電極需刺破細(xì)胞膜進(jìn)入細(xì)胞,以致造成細(xì)胞漿流失,破壞了細(xì)胞生理功能的完整性;2、不能測(cè)定單一通道電流。因?yàn)殡妷恒Q制的膜面積很大,包含著大量隨機(jī)開放和關(guān)閉著的通道,而且背景噪音大,往往掩蓋了單一通道的電流。3、對(duì)體積小的細(xì)胞(如哺乳類***元,直徑在10-30μm之間)進(jìn)行電壓鉗實(shí)驗(yàn),技術(shù)上有更大的困難。由于電極需插入細(xì)胞,不得不將微電極的前列做得很細(xì),如此細(xì)的前列致使電極阻抗很大,常常是60~-8OMΩ或120~150MΩ(取決于不同的充灌液)。這樣大的電極阻抗不利于作細(xì)胞內(nèi)電流鉗或電壓鉗記錄時(shí)在短時(shí)間(0.1μs)內(nèi)向細(xì)胞內(nèi)注入電流,達(dá)到鉗制膜電壓或膜電流之目的。再者,在小細(xì)胞上插入的兩根電極可產(chǎn)生電容而降低測(cè)量電壓電極的反應(yīng)能力。滔博生物TOP-Bright專注基于多種離子通道靶點(diǎn)的化合物體外篩選,服務(wù)于全球藥企的膜片鉗公司,快速獲得實(shí)驗(yàn)結(jié)果,專業(yè)團(tuán)隊(duì),7*43小時(shí)隨時(shí)人工在線咨詢.德國(guó)可升級(jí)膜片鉗離子通道膜電位Vm由高輸入阻抗的電壓跟隨器所測(cè)量。

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膜片鉗技術(shù):從一小片膜(約幾平方微米)上獲取電子信息的技術(shù),即保持跨膜電壓恒壓箝位的技術(shù),從而測(cè)量通過膜的離子電流。通過研究離子通道中的離子流動(dòng),可以了解離子輸運(yùn)、信號(hào)傳遞等信息?;驹?利用負(fù)反饋電子電路,將前排微電極吸附的細(xì)胞膜電位固定在一定水平,動(dòng)態(tài)或靜態(tài)觀察通過通道的微小離子電流,從而研究其功能。一種研究離子通道的電生理技術(shù)是施加負(fù)壓,使玻璃微電極前沿(開口直徑約1μm)與細(xì)胞膜緊密接觸,形成高阻抗密封,可以準(zhǔn)確記錄離子通道的微小電流。可制備成三種單通道記錄模式:細(xì)胞貼附、內(nèi)面向外、外面向內(nèi),以及另一種多通道全細(xì)胞記錄模式。膜片鉗技術(shù)實(shí)現(xiàn)了小膜的隔離和高阻密封的形成。由于高阻密封,背景噪聲水平降低,記錄頻帶范圍相對(duì)變寬,分辨率提高。此外,它還具有良好的機(jī)械穩(wěn)定性和化學(xué)絕緣性。小膜隔離使得研究單個(gè)離子通道成為可能。

離子通道的近代觀念源于Hodgkin、Huxley、Katz等人在20世紀(jì)30—50年代的開創(chuàng)性研究。在1902年,Bernstein創(chuàng)造性地將Nernst的理論應(yīng)用到生物膜上,提出了“膜學(xué)說”。他認(rèn)為在靜息狀態(tài)下,細(xì)胞膜只對(duì)鉀離子具有通透性;而當(dāng)細(xì)胞興奮的瞬間,膜的破裂使其喪失了選擇通透性,所有的離子都可以自由通過。Cole等人在1939年進(jìn)行的高頻交變電流測(cè)量實(shí)驗(yàn)表明,當(dāng)動(dòng)作電位被觸發(fā)時(shí),雖然細(xì)胞的膜電導(dǎo)大為增加,但膜電容卻只略有下降,這個(gè)事實(shí)表明膜學(xué)說所宣稱的膜破裂的觀點(diǎn)是不可靠的。1949年Cole在玻璃微電極技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)明了電壓鉗位(voltageclamptechnique)技術(shù)滔博生物TOP-Bright專注基于多種離子通道靶點(diǎn)的化合物體外篩選,服務(wù)于全球藥企的膜片鉗公司,快速獲得實(shí)驗(yàn)結(jié)果,專業(yè)團(tuán)隊(duì),7*59小時(shí)隨時(shí)人工在線咨詢.準(zhǔn)確、穩(wěn)定、高效,膜片鉗技術(shù)讓您的研究更上一層樓!

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電壓鉗技術(shù),是20世紀(jì)初由Cole發(fā)明,Hodgkin和Huxley完善,其設(shè)計(jì)的主要目的是為了證明動(dòng)作電位的產(chǎn)生機(jī)制,即動(dòng)作電位的峰電位是由于膜對(duì)鈉的通透性發(fā)生了一過性的增大過程。但當(dāng)時(shí)沒有直接測(cè)定膜通透性的方法,于是就用膜對(duì)某種離子的電導(dǎo)來**該種離子的通透性,膜電導(dǎo)測(cè)定的依據(jù)是電學(xué)中的歐姆定律,如膜的Na電導(dǎo)GNa與電化學(xué)驅(qū)動(dòng)力(Em-ENa)和膜電流INa的關(guān)系GNa=INa/(Em-ENa).因此可通過測(cè)量膜電流,再利用歐姆定律來計(jì)算膜電導(dǎo),但是,利用膜電流來計(jì)算膜電導(dǎo)時(shí),記錄膜電流期間的膜電位必須保持不變,否則膜電流的變化就不能**膜電導(dǎo)的變化。這一條件是利用電壓鉗技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。下張幻燈中的右邊兩張圖是Hodgkin和Huxley在半個(gè)世紀(jì)以前利用電壓鉗記錄的搶烏賊的動(dòng)作電位和動(dòng)作電位過程中的膜電流的變化圖,他們的實(shí)驗(yàn)***證明參與動(dòng)作電位的離子流由Na,k,漏(Cl)三種成分組成。并對(duì)這些離子流進(jìn)行了定量分析。這一技術(shù)對(duì)闡明動(dòng)作電位的本質(zhì)和離子通道的的研究做出了極大的貢獻(xiàn)。滔博生物TOP-Bright專注基于多種離子通道靶點(diǎn)的化合物體外篩選,服務(wù)于全球藥企的膜片鉗公司,快速獲得實(shí)驗(yàn)結(jié)果,專業(yè)團(tuán)隊(duì),7*34小時(shí)隨時(shí)人工在線咨詢.神經(jīng)遞質(zhì)的釋放、腺體的分泌、肌肉的運(yùn)動(dòng)、學(xué)習(xí)和記憶。美國(guó)雙電極膜片鉗電流鉗制

膜片鉗,開啟細(xì)胞電生理研究新篇章!腦片膜片鉗單細(xì)胞

電壓鉗的缺點(diǎn):目前電壓鉗技術(shù)主要用于研究巨火細(xì)胞的全細(xì)胞電流,特別是在分子克隆卵母細(xì)胞表達(dá)電流的鑒定中,發(fā)揮著不可替代的作用。然而,它也有其致命的弱點(diǎn):1。微電極需要刺穿細(xì)胞膜進(jìn)入細(xì)胞,導(dǎo)致細(xì)胞質(zhì)丟失,破壞細(xì)胞生理功能的完整性;2、不能確定單通道電流。由于電壓鉗位薄膜面積大,包含大量隨機(jī)開關(guān)的通道,背景噪聲大,往往會(huì)掩蓋單通道的電流。3.在小細(xì)胞(如直徑10-30μm的哺乳動(dòng)物細(xì)胞)上進(jìn)行電壓鉗實(shí)驗(yàn),技術(shù)難度更大。因?yàn)殡姌O需要插入到細(xì)胞中,所以微電極的前端必須做得非常薄。如此薄的前端導(dǎo)致電極阻抗較大,往往為60~-80mω或120~150MΩ(視灌注液不同而定)。如此大的電極阻抗,不利于用細(xì)胞內(nèi)電流鉗或電壓鉗記錄時(shí),短時(shí)間(0.1μs)內(nèi)將電流注入細(xì)胞,從而達(dá)到鉗制膜電壓或膜電流的目的。此外,插在小電池上的兩個(gè)電極會(huì)產(chǎn)生電容并降低電壓測(cè)量電極的反應(yīng)能力。腦片膜片鉗單細(xì)胞