但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，晶圓制作方法1500的各個(gè)步驟不*可以對(duì)一整個(gè)晶圓進(jìn)行，也可以針對(duì)單一個(gè)芯片進(jìn)行。在一實(shí)施例當(dāng)中，如果要讓內(nèi)框結(jié)構(gòu)的晶圓層厚度小于邊框結(jié)構(gòu)的晶圓層厚度，可以反復(fù)執(zhí)行步驟1520與1530。在***次執(zhí)行步驟1520時(shí)，屏蔽層的圖樣*包含邊框區(qū)域。***次執(zhí)行蝕刻步驟1530時(shí)，蝕刻的深度到達(dá)內(nèi)框結(jié)構(gòu)的厚度。接著，第二次執(zhí)行步驟1530，屏蔽層的圖樣包含了內(nèi)框區(qū)域。接著，第二次的蝕刻步驟1530可以將晶圓層蝕刻到一半的高度。如此一來，就有厚薄不一的邊框結(jié)構(gòu)與方框結(jié)構(gòu)。步驟1540：去除晶圓上的屏蔽層。如圖16d所示，屏蔽層1610已經(jīng)被去除。本領(lǐng)域普通技術(shù)...

氣泡內(nèi)氣體或蒸汽的溫度不需要冷卻至室溫或清洗液的溫度。它可以是高于室溫或清洗液溫度的一定溫度。較佳地，該溫度是明顯低于內(nèi)爆溫度ti。根據(jù)公式(8)和(9)，如果已知(δt-δt)，可以計(jì)算出內(nèi)爆時(shí)間τi。但通常情況下，(δt-δt)不太容易被計(jì)算出或直接得到。然而可以憑經(jīng)驗(yàn)直接得到τi的值。圖7e揭示了根據(jù)經(jīng)驗(yàn)得出內(nèi)爆時(shí)間τi值的流程圖。在步驟7210中，基于表1，選擇五個(gè)不同的時(shí)間段τ1作為實(shí)驗(yàn)設(shè)定(doe)的條件。在步驟7220中，選擇至少是τ1十倍的時(shí)間段τ2，在***次測(cè)試時(shí)**好是100倍的τ1。在步驟7230中，使用確定的功率水平p0運(yùn)行以上五種條件來分別清洗具有圖案結(jié)構(gòu)的...

也不限定這些芯片采用同一種剖面設(shè)計(jì)，更不限定使用同一種基板結(jié)構(gòu)。在執(zhí)行晶圓級(jí)芯片封裝時(shí)，可以根據(jù)同一片晶圓上所欲切割的芯片的設(shè)計(jì)，來對(duì)該片晶圓執(zhí)行特定的制程。請(qǐng)參考圖15所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的晶圓制作方法1500的前列程示意圖。圖15所示的晶圓制作方法1500可以是晶圓級(jí)芯片封裝方法的一部分。該晶圓級(jí)芯片封裝方法可以是先在一整片晶圓上進(jìn)行制作、封裝與測(cè)試，然后經(jīng)切割后，再將芯片放置到個(gè)別印刷電路板的過程。本申請(qǐng)所欲保護(hù)的部分之一是在封裝測(cè)試之前，針對(duì)于基板結(jié)構(gòu)的制作方法。當(dāng)然本申請(qǐng)也想要保護(hù)一整套的晶圓級(jí)芯片封裝方法。圖15的晶圓制作方法1500所作出的芯片，可以包含圖3~14...

因此晶圓1010須旋轉(zhuǎn)以在整個(gè)晶圓1010上接收均勻的聲波能量。雖然在圖1a及圖1b中*示意了一個(gè)聲波裝置1003，但是在其他實(shí)施例中，也可以同時(shí)或間歇使用兩個(gè)或多個(gè)聲波裝置。同理，也可以使用兩個(gè)或多個(gè)噴頭1012以更均勻的輸送清洗液1032。參考圖2a至圖2g所示的不同形狀的超聲波或兆聲波換能器。圖2a示意了三角形或餅形的傳感器；圖2b示意了矩形的傳感器；圖2c示意了八邊形的傳感器；圖2d示意了橢圓形的傳感器；圖2e示意了半圓形的傳感器；圖2f示意了1/4圓形的傳感器；圖2g示意了圓形的傳感器。這些形狀中的每一個(gè)聲波換能器可以用于代替圖1所示的聲波裝置1003中的壓電式傳感器1004...

對(duì)比臺(tái)積電（50%）和中芯國(guó)際（25%）的毛利率發(fā)現(xiàn)前者是后者的兩倍之多。因此，大陸半導(dǎo)體制造業(yè)，在經(jīng)歷開荒式的野蠻增長(zhǎng)后，未來需要精耕細(xì)作，通過良率的提升來增加國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。臺(tái)積電和中芯國(guó)際毛利率對(duì)比圖但是同樣是先進(jìn)制程，臺(tái)積電和中芯國(guó)際良率差別如此之大，究竟是為什么呢？檢測(cè)設(shè)備能在其中發(fā)揮什么作用呢？在晶圓的整個(gè)制造過程中，光刻步驟越多造成的缺陷就越多，這是產(chǎn)生不良率的主要來源。因此即使是使用相同的阿斯麥的EUV光刻機(jī)，不同晶圓廠制造良率也會(huì)存在差別。光刻機(jī)對(duì)晶圓圖形化的過程中，如果圖片定位不準(zhǔn)，則會(huì)讓整個(gè)電路失效。因此，制造過程的檢測(cè)至關(guān)重要。晶圓檢測(cè)設(shè)備主要分為無圖案缺陷檢測(cè)設(shè)備...

預(yù)計(jì)短期內(nèi)硅晶圓產(chǎn)業(yè)將同步受益。根據(jù)2016年全球主要硅晶圓廠商營(yíng)收資料，前六大廠商全球市占率超過90%，其中前兩大日本廠商Shin-Etsu和SUMCO合計(jì)全球市占率超過50%，中國(guó)臺(tái)灣環(huán)球晶圓由于并購新加坡廠商SunEdisonSemiconductor，目前排名全球第三，2016年銷售占比達(dá)17%。中國(guó)半導(dǎo)體材料分類占比市場(chǎng)狀況與全球狀況類似，硅晶圓和封裝基板分別是晶圓制造和封裝材料占比比較大的兩類材料。從增長(zhǎng)趨勢(shì)圖可看到2016～2017年中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，無論是晶圓制造材料還是封裝材料，增長(zhǎng)幅度都超過10%。圖：2012~2017年中國(guó)晶圓制造材料市場(chǎng)變化中國(guó)晶圓制...

在步驟1550之后，可以獲得圖3、圖8a或圖8b所示的基板結(jié)構(gòu)300或800。在步驟1550之后，流程可以前往可選的步驟1570。在一實(shí)施例當(dāng)中，還可以前往步驟1580。可選的步驟1570：涂布樹酯層。為了形成如圖4、5a、5b、9、10a與10b所示的基板結(jié)構(gòu)400、500、900與1000，可以在步驟1550之后執(zhí)行本步驟1570。圖16h~j所示的實(shí)施例，分別是在圖16e~g所示實(shí)施例的金屬層上涂布樹酯層之后的結(jié)果。步驟1580：后續(xù)的封裝。步驟1580可以包含多個(gè)子步驟，例如將晶圓貼上膠膜(通常是藍(lán)色pvc膠膜)進(jìn)行保護(hù)。接著，打印芯片卷標(biāo)，用于標(biāo)示芯片的制造商、芯片型號(hào)、制造...

逐步縮短時(shí)間τ2來運(yùn)行doe，直到可以觀察到圖案結(jié)構(gòu)被損傷。由于時(shí)間τ2被縮短，氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度不能被足夠冷卻，從而會(huì)引起氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的平均溫度的逐步上升，**終將會(huì)觸發(fā)氣泡內(nèi)爆，觸發(fā)時(shí)間稱為臨界冷卻時(shí)間τc。知道臨界冷卻時(shí)間τc后，為了增加安全系數(shù)，時(shí)間τ2可以設(shè)置為大于2τc的值。因此，可以確定清洗工藝的參數(shù)，使得施加聲能的清洗效果導(dǎo)致的產(chǎn)量提高大于因施加聲能造成的損傷而導(dǎo)致的產(chǎn)量下降。也可以例如由客戶規(guī)定損傷百分比的預(yù)定閾值?？梢源_定清洗工藝的參數(shù)，使得損傷百分比低于預(yù)定閾值，或者基本上為零，甚至為零。預(yù)定閾值可以是例如，10％,5％,2％,或1％。如果晶圓生產(chǎn)的*...

并均勻地到達(dá)位于腔室c內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓200。在實(shí)際應(yīng)用中，半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100包含多個(gè)微波產(chǎn)生器130。一般而言，微波產(chǎn)生器130平均地環(huán)繞腔室c分布，如此一來，微波w可均勻地進(jìn)入腔室c內(nèi)，并均勻地到達(dá)位于腔室c內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓200，從而促進(jìn)半導(dǎo)體晶圓200的干燥過程。舉例而言，如圖1所示，至少兩個(gè)微波產(chǎn)生器130平均地分布于殼體120外側(cè)，使其平均地環(huán)繞腔室c分布。另外，應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的殼體120基本上可設(shè)置于產(chǎn)業(yè)中現(xiàn)有的單晶圓濕處理設(shè)備(圖未示)上。一般而言，單晶圓濕處理設(shè)備具有旋轉(zhuǎn)基座，其用以承載單一片半導(dǎo)體晶圓，以于單晶圓濕處理設(shè)備內(nèi)對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行各種處理。經(jīng)單晶圓...

聲波能量不能有效地傳遞到通孔或槽中，到達(dá)它們的底部和側(cè)壁，而微粒、殘留物和其他雜質(zhì)18048則被困在通孔或槽中。當(dāng)臨界尺寸w1變小時(shí)，這種情況很容易發(fā)生在先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝中。參考圖18i至圖18j所示，氣泡18012的尺寸增大控制在一定范圍內(nèi)，氣泡總體積vb與通孔或槽或其他凹進(jìn)區(qū)域的總體積vvtr的比值r遠(yuǎn)低于飽和點(diǎn)rs。因?yàn)樵谔卣鲀?nèi)有小氣泡氣穴振蕩，新鮮的清洗液18047在通孔或槽中自由交換，使得殘留物和顆粒等雜質(zhì)18048可以輕易地排出，從而獲得良好的清洗性能。由于通孔或槽中氣泡的總體積由氣泡的數(shù)量和大小決定，因此控制氣穴振蕩引起的氣泡尺寸膨脹對(duì)于具有高深寬比特征的晶圓的清洗性能至...

進(jìn)行物理檢測(cè)，并通過算法分析自動(dòng)分揀良品及次品的光學(xué)檢測(cè)設(shè)備。檢測(cè)設(shè)備主要用來保證和提升良率，良率是決定晶圓廠盈利的關(guān)鍵，因此，其**驅(qū)動(dòng)力是晶圓廠對(duì)**率的需求。近十年來，半導(dǎo)體的蕭條期（2011-2013年）半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備占整個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備銷量重從10%上升至14%，而半導(dǎo)體景氣期（2015-2017年），半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備占比又下降至10%左右。根據(jù)《芯片制造》一書中對(duì)良率模型測(cè)算結(jié)果：“在未來，隨著工藝制程步驟增加、制程尺寸縮小，芯片對(duì)任何一個(gè)較小缺陷的敏感性增加，并且更加致命”。按照電子系統(tǒng)故障檢測(cè)中的“十倍法則”：如果一個(gè)芯片中故障沒在芯片測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)，那么在電路板（PCB）級(jí)別發(fā)...

聲波能量不能有效地傳遞到通孔或槽中，到達(dá)它們的底部和側(cè)壁，而微粒、殘留物和其他雜質(zhì)18048則被困在通孔或槽中。當(dāng)臨界尺寸w1變小時(shí)，這種情況很容易發(fā)生在先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝中。參考圖18i至圖18j所示，氣泡18012的尺寸增大控制在一定范圍內(nèi)，氣泡總體積vb與通孔或槽或其他凹進(jìn)區(qū)域的總體積vvtr的比值r遠(yuǎn)低于飽和點(diǎn)rs。因?yàn)樵谔卣鲀?nèi)有小氣泡氣穴振蕩，新鮮的清洗液18047在通孔或槽中自由交換，使得殘留物和顆粒等雜質(zhì)18048可以輕易地排出，從而獲得良好的清洗性能。由于通孔或槽中氣泡的總體積由氣泡的數(shù)量和大小決定，因此控制氣穴振蕩引起的氣泡尺寸膨脹對(duì)于具有高深寬比特征的晶圓的清洗性能至...

一些氣泡內(nèi)爆繼續(xù)發(fā)生，然后，在時(shí)間段τ2內(nèi)，關(guān)閉聲波功率，氣泡的溫度從tn冷卻至初始溫度t0。ti被確定為通孔和/或槽的圖案結(jié)構(gòu)內(nèi)的氣泡內(nèi)爆的溫度閾值，該溫度閾值觸發(fā)***個(gè)氣泡內(nèi)爆。由于熱傳遞在圖案結(jié)構(gòu)內(nèi)是不完全均勻的，溫度達(dá)到ti后，越來越多的氣泡內(nèi)爆將不斷發(fā)生。當(dāng)內(nèi)爆溫度t增大時(shí)，氣泡內(nèi)爆強(qiáng)度將變的越來越強(qiáng)。然而，氣泡內(nèi)爆應(yīng)控制在會(huì)導(dǎo)致圖案結(jié)構(gòu)損傷的內(nèi)爆強(qiáng)度以下。通過調(diào)整時(shí)間△τ可以將溫度tn控制在溫度td之下來控制氣泡內(nèi)爆，其中tn是超/兆聲波對(duì)清洗液連續(xù)作用n個(gè)周期的氣泡**高溫度值，td是累積一定量的氣泡內(nèi)爆的溫度，該累積一定量的氣泡內(nèi)爆具有導(dǎo)致圖案結(jié)構(gòu)損傷的**度(能量)...

可以利用多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，例如回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)來加強(qiáng)結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。所謂的回字型，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例當(dāng)中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是同心的，以便簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。在另一實(shí)施例當(dāng)中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)的框的寬度是相同的。在更一實(shí)施例當(dāng)中，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相應(yīng)的。舉例來說，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相同的，但大小不同?？虻膶挾瓤梢耘c內(nèi)框結(jié)構(gòu)的大小成比例。在一實(shí)施例當(dāng)中，可以具有兩個(gè)以上的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參考圖11b所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖。圖11b所示的實(shí)施例，為回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。本申請(qǐng)所欲保...

可以利用多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，例如回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)來加強(qiáng)結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。所謂的回字型，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例當(dāng)中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是同心的，以便簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。在另一實(shí)施例當(dāng)中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)的框的寬度是相同的。在更一實(shí)施例當(dāng)中，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相應(yīng)的。舉例來說，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相同的，但大小不同。框的寬度可以與內(nèi)框結(jié)構(gòu)的大小成比例。在一實(shí)施例當(dāng)中，可以具有兩個(gè)以上的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參考圖11b所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖。圖11b所示的實(shí)施例，為回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。本申請(qǐng)所欲保...

在圖8b所示的實(shí)施例當(dāng)中，示出四個(gè)內(nèi)框結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以從圖8a與圖8b理解到，本申請(qǐng)并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的數(shù)量、位置、形狀等配置的參數(shù)。在一實(shí)施例當(dāng)中，如圖8a所示，在內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822之處，晶圓層820的厚度與在邊框結(jié)構(gòu)的厚度是相同的。在另一實(shí)施例當(dāng)中，內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822的厚度與邊框結(jié)構(gòu)的厚度可以是不同的。舉例來說，在內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822的晶圓層厚度，可以較在邊框結(jié)構(gòu)的晶圓層厚度來得小。由于在芯片中間所承受的應(yīng)力與/或熱應(yīng)力可以比在邊緣來得小，因此可以使用較薄的內(nèi)框結(jié)構(gòu)作為補(bǔ)強(qiáng)。一方面降低基板結(jié)構(gòu)的電阻值，另一方面還能補(bǔ)強(qiáng)基板結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參考圖9所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)...

集成了暗場(chǎng)照明成像，pl成像，共聚焦掃描成像和倏逝場(chǎng)照明移頻成像模式。圖2為一種實(shí)施實(shí)例俯視效果圖，輸入光源通過位于不同方位的波導(dǎo)端面耦合方式，為圓形波導(dǎo)提供倏逝場(chǎng)照明；圖3為一種實(shí)施實(shí)例俯視效果圖，輸入光通過環(huán)形波導(dǎo)的表面倏逝場(chǎng)耦合進(jìn)位于中心區(qū)域的圓形波導(dǎo)內(nèi)，提供倏逝場(chǎng)照明；圖4為暗場(chǎng)照明的示例圖，其中a為采用環(huán)形光纖束輸出提供暗場(chǎng)照明的示例圖，b為對(duì)應(yīng)暗場(chǎng)照明模塊的垂直截面圖；圖5為移頻照明成像原理示意圖。具體實(shí)施方式在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來實(shí)施，因此，本發(fā)明并不限于下面公開的具體實(shí)施例的限制。本文中...

在清洗過程中晶圓24010浸沒在清洗液24070中。在上述實(shí)施例中，在晶圓清洗工藝中，如果聲波電源的所有關(guān)鍵工藝參數(shù)，例如功率水平、頻率、通電時(shí)間(τ1)、斷電時(shí)間(τ2)都預(yù)設(shè)在電源控制器中，而不是實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，在晶圓清洗過程中，由于一些異常情況，仍然可能發(fā)生圖案結(jié)構(gòu)損傷。因此，需要一種實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)聲波電源工作狀態(tài)的裝置和方法，如果參數(shù)不在正常范圍，則聲波電源應(yīng)該關(guān)閉且需要發(fā)出警報(bào)信號(hào)并報(bào)告。圖25揭示了本發(fā)明的一實(shí)施例的使用超聲波或兆聲波清洗晶圓過程中監(jiān)測(cè)聲波電源運(yùn)行參數(shù)的控制系統(tǒng)。該控制系統(tǒng)包括主機(jī)25080、聲波發(fā)生器25082、聲波換能器1003、檢測(cè)電路25086和通信電纜2508...

因此晶圓1010須旋轉(zhuǎn)以在整個(gè)晶圓1010上接收均勻的聲波能量。雖然在圖1a及圖1b中*示意了一個(gè)聲波裝置1003，但是在其他實(shí)施例中，也可以同時(shí)或間歇使用兩個(gè)或多個(gè)聲波裝置。同理，也可以使用兩個(gè)或多個(gè)噴頭1012以更均勻的輸送清洗液1032。參考圖2a至圖2g所示的不同形狀的超聲波或兆聲波換能器。圖2a示意了三角形或餅形的傳感器；圖2b示意了矩形的傳感器；圖2c示意了八邊形的傳感器；圖2d示意了橢圓形的傳感器；圖2e示意了半圓形的傳感器；圖2f示意了1/4圓形的傳感器；圖2g示意了圓形的傳感器。這些形狀中的每一個(gè)聲波換能器可以用于代替圖1所示的聲波裝置1003中的壓電式傳感器1004...

結(jié)構(gòu)500所包含的該金屬層510的第四表面514并不是像該結(jié)構(gòu)400所包含的該金屬層310的第四表面314一樣是平面。第四表面514的剖面相應(yīng)于該金屬層的第三表面513的剖面。該金屬層510的第四表面514與該晶圓層320的***表面321的**短距離，要小于該金屬層310的第四表面314與該晶圓層320的***表面321的**短距離。由于該結(jié)構(gòu)500的金屬層510的大部分比該結(jié)構(gòu)400的金屬層310的大部分較薄，因此可以節(jié)省金屬本身的成本，也可以節(jié)省制作該金屬層510的步驟的成本。請(qǐng)參考圖5b所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)500的剖面示意圖。圖5b所示的實(shí)施例是圖5a...

為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片，其中該半導(dǎo)體晶圓當(dāng)中預(yù)定切割出一第二芯片區(qū)域，包含如該***芯片區(qū)域相同的該基板結(jié)構(gòu)，該***芯片區(qū)域與該第二芯片區(qū)域的形狀不同。在一實(shí)施例中，為了使用晶圓級(jí)芯片制造技術(shù)來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作，其中該半導(dǎo)體晶圓當(dāng)中預(yù)定切割出多個(gè)芯片區(qū)域，該多個(gè)芯片區(qū)域當(dāng)中的每一個(gè)都包含如該***芯片區(qū)域相同的該基板結(jié)構(gòu)，該多個(gè)芯片區(qū)域當(dāng)中的每一個(gè)芯片區(qū)域和該***芯片區(qū)域的形狀都相同。根據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施例，提供一種晶圓制造方法，其特征在于，包含：據(jù)所欲切割的多個(gè)芯片區(qū)域的大小與圖樣，在一晶圓層的一第二表面上涂布屏蔽層，在該多個(gè)芯片區(qū)域其中的一***芯...

中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，官方目標(biāo)是以「制造」帶動(dòng)上下游全產(chǎn)業(yè)鏈共同進(jìn)步，在此過程中，需要不斷完善和優(yōu)化產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)，掌握**環(huán)節(jié)重點(diǎn)突破，逐步擺脫**領(lǐng)域長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的窘境。半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)具有產(chǎn)品驗(yàn)證周期長(zhǎng)和**壟斷等特點(diǎn)，想要順利打入國(guó)際**客戶廠商將非常困難，一般芯片生產(chǎn)商在成功認(rèn)證材料商后，很少會(huì)更換供應(yīng)商，例如全球前六大硅晶圓廠商幾乎供應(yīng)全球90%以上的硅晶圓，中國(guó)集成電路硅晶圓基本上全部依賴進(jìn)口。中國(guó)半導(dǎo)體材料廠商要想盡快打入市場(chǎng)，不*要加強(qiáng)研發(fā)和拿出高質(zhì)量產(chǎn)品，還要在**的支持和協(xié)調(diào)下，優(yōu)先從當(dāng)?shù)匦酒圃鞆S商著手，完成在當(dāng)?shù)刂髁餍酒a(chǎn)廠商的成功認(rèn)證，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)以中國(guó)...

預(yù)計(jì)短期內(nèi)硅晶圓產(chǎn)業(yè)將同步受益。根據(jù)2016年全球主要硅晶圓廠商營(yíng)收資料，前六大廠商全球市占率超過90%，其中前兩大日本廠商Shin-Etsu和SUMCO合計(jì)全球市占率超過50%，中國(guó)臺(tái)灣環(huán)球晶圓由于并購新加坡廠商SunEdisonSemiconductor，目前排名全球第三，2016年銷售占比達(dá)17%。中國(guó)半導(dǎo)體材料分類占比市場(chǎng)狀況與全球狀況類似，硅晶圓和封裝基板分別是晶圓制造和封裝材料占比比較大的兩類材料。從增長(zhǎng)趨勢(shì)圖可看到2016～2017年中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，無論是晶圓制造材料還是封裝材料，增長(zhǎng)幅度都超過10%。圖：2012~2017年中國(guó)晶圓制造材料市場(chǎng)變化中國(guó)晶圓制...

金屬層310可以代換為金屬層510。圖6所示剖面600的**是晶圓層320。該結(jié)構(gòu)300所形成的芯片可以是矩形，也可以是正方形。在該晶圓層320的中間是該金屬層310。該金屬層310的上下軸長(zhǎng)度611與左右軸長(zhǎng)度612可以是相同，也可以不同。當(dāng)兩者相同時(shí)，該金屬層310的剖面是正方形。該金屬層310剖面與該晶圓層320外緣之間，是該晶圓層320用于包圍該金屬層310的四個(gè)邊框。該四個(gè)邊框的厚度可以相同，也可以不同。舉例來說，相對(duì)于上下外緣的厚度621與623可以相同，相對(duì)于左右外緣的厚度622與624可以相同。但厚度621與622可以不同。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以透過圖6理解到，本申請(qǐng)并...

為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片，其中該半導(dǎo)體晶圓當(dāng)中預(yù)定切割出一第二芯片區(qū)域，包含如該***芯片區(qū)域相同的該基板結(jié)構(gòu)，該***芯片區(qū)域與該第二芯片區(qū)域的形狀不同。進(jìn)一步的，為了使用晶圓級(jí)芯片制造技術(shù)來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作，其中該半導(dǎo)體晶圓當(dāng)中預(yù)定切割出多個(gè)芯片區(qū)域，該多個(gè)芯片區(qū)域當(dāng)中的每一個(gè)都包含如該***芯片區(qū)域相同的該基板結(jié)構(gòu)，該多個(gè)芯片區(qū)域當(dāng)中的每一個(gè)芯片區(qū)域和該***芯片區(qū)域的形狀都相同。根據(jù)本申請(qǐng)的一方案，提供一種晶圓制造方法，其特征在于，包含：據(jù)所欲切割的多個(gè)芯片區(qū)域的大小與圖樣，在一晶圓層的一第二表面上涂布屏蔽層，在該多個(gè)芯片區(qū)域其中的一***芯片區(qū)域...

之后為f3，**后為f4,且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個(gè)實(shí)施例中，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f4,之后為f3，**后為f1，且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個(gè)實(shí)施例中，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f1，之后為f4，**后為f3，且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個(gè)實(shí)施例中，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f3,之后為f4，**后為f1，且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個(gè)實(shí)施例中，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f3,之后為f1，**后為f4...

為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片，其中該半導(dǎo)體晶圓當(dāng)中預(yù)定切割出一第二芯片區(qū)域，包含如該***芯片區(qū)域相同的該基板結(jié)構(gòu)，該***芯片區(qū)域與該第二芯片區(qū)域的形狀不同。進(jìn)一步的，為了使用晶圓級(jí)芯片制造技術(shù)來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作，其中該半導(dǎo)體晶圓當(dāng)中預(yù)定切割出多個(gè)芯片區(qū)域，該多個(gè)芯片區(qū)域當(dāng)中的每一個(gè)都包含如該***芯片區(qū)域相同的該基板結(jié)構(gòu)，該多個(gè)芯片區(qū)域當(dāng)中的每一個(gè)芯片區(qū)域和該***芯片區(qū)域的形狀都相同。根據(jù)本申請(qǐng)的一方案，提供一種晶圓制造方法，其特征在于，包含：據(jù)所欲切割的多個(gè)芯片區(qū)域的大小與圖樣，在一晶圓層的一第二表面上涂布屏蔽層，在該多個(gè)芯片區(qū)域其中的一***芯片區(qū)域...

因?yàn)榍逑匆旱臏囟冗h(yuǎn)低于氣體和/或蒸汽溫度。在一些實(shí)施例中，直流輸出的振幅，可以是正的也可以是負(fù)的，可以大于(圖片中未顯示)，等于(如圖16a和16b所示)或小于(如圖16c所示)在τ1時(shí)間段內(nèi)用于在清洗液中制造氣穴振蕩的電源輸出功率p1。圖17揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗工藝。該晶圓清洗工藝也與圖7a-7e所示的相類似，除了圖7d所示的步驟7050。該晶圓清洗工藝使電源輸出的相位反相，同時(shí)保持在時(shí)間段τ1內(nèi)施加的相同頻率f1，因此，氣泡氣穴振蕩能夠迅速停止。結(jié)果，氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度開始降低，因?yàn)榍逑匆旱臏囟冗h(yuǎn)低于氣體和/或蒸汽溫度。參考圖17所示，在τ2時(shí)間段內(nèi)電源輸...

x0-x)│0x0-1＝sx0p0ln(x0)(2)其中，s為汽缸截面的面積，x0為汽缸的長(zhǎng)度，p0為壓縮前汽缸內(nèi)氣體的壓強(qiáng)。方程式(2)不考慮壓縮過程中溫度增長(zhǎng)的因素，因此，由于溫度的增加，氣泡內(nèi)的實(shí)際壓強(qiáng)會(huì)更高，實(shí)際上由聲壓做的機(jī)械功要大于方程式(2)計(jì)算出的值。假設(shè)聲壓做的機(jī)械功部分轉(zhuǎn)化為熱能，部分轉(zhuǎn)換成氣泡內(nèi)高壓氣體和蒸汽的機(jī)械能，這些熱能完全促使氣泡內(nèi)部氣體溫度的增加(沒有能量轉(zhuǎn)移至氣泡周圍的液體分子)，假設(shè)壓縮前后氣泡內(nèi)氣體質(zhì)量保持不變，氣泡壓縮一次后溫度增量δt可以用下面的方程式表達(dá)：δt＝q/(mc)＝βwm/(mc)＝βsx0p0ln(x0)/(mc)(3)其中，q是...

集成了暗場(chǎng)照明成像，pl成像，共聚焦掃描成像和倏逝場(chǎng)照明移頻成像模式。圖2為一種實(shí)施實(shí)例俯視效果圖，輸入光源通過位于不同方位的波導(dǎo)端面耦合方式，為圓形波導(dǎo)提供倏逝場(chǎng)照明；圖3為一種實(shí)施實(shí)例俯視效果圖，輸入光通過環(huán)形波導(dǎo)的表面倏逝場(chǎng)耦合進(jìn)位于中心區(qū)域的圓形波導(dǎo)內(nèi)，提供倏逝場(chǎng)照明；圖4為暗場(chǎng)照明的示例圖，其中a為采用環(huán)形光纖束輸出提供暗場(chǎng)照明的示例圖，b為對(duì)應(yīng)暗場(chǎng)照明模塊的垂直截面圖；圖5為移頻照明成像原理示意圖。具體實(shí)施方式在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來實(shí)施，因此，本發(fā)明并不限于下面公開的具體實(shí)施例的限制。本文中...