金屬層310可以代換為金屬層510。圖6所示剖面600的**是晶圓層320。該結(jié)構(gòu)300所形成的芯片可以是矩形，也可以是正方形。在該晶圓層320的中間是該金屬層310。該金屬層310的上下軸長度611與左右軸長度612可以是相同，也可以不同。當(dāng)兩者相同時，該金屬層310的剖面是正方形。該金屬層310剖面與該晶圓層320外緣之間，是該晶圓層320用于包圍該金屬層310的四個邊框。該四個邊框的厚度可以相同，也可以不同。舉例來說，相對于上下外緣的厚度621與623可以相同，相對于左右外緣的厚度622與624可以相同。但厚度621與622可以不同。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以透過圖6理解到，本申請并...

也不限定這些芯片采用同一種剖面設(shè)計，更不限定使用同一種基板結(jié)構(gòu)。在執(zhí)行晶圓級芯片封裝時，可以根據(jù)同一片晶圓上所欲切割的芯片的設(shè)計，來對該片晶圓執(zhí)行特定的制程。請參考圖15所示，其為根據(jù)本申請一實(shí)施例的晶圓制作方法1500的前列程示意圖。圖15所示的晶圓制作方法1500可以是晶圓級芯片封裝方法的一部分。該晶圓級芯片封裝方法可以是先在一整片晶圓上進(jìn)行制作、封裝與測試，然后經(jīng)切割后，再將芯片放置到個別印刷電路板的過程。本申請所欲保護(hù)的部分之一是在封裝測試之前，針對于基板結(jié)構(gòu)的制作方法。當(dāng)然本申請也想要保護(hù)一整套的晶圓級芯片封裝方法。圖15的晶圓制作方法1500所作出的芯片，可以包含圖3~14...

集成了暗場照明成像，pl成像，共聚焦掃描成像和倏逝場照明移頻成像模式。圖2為一種實(shí)施實(shí)例俯視效果圖，輸入光源通過位于不同方位的波導(dǎo)端面耦合方式，為圓形波導(dǎo)提供倏逝場照明；圖3為一種實(shí)施實(shí)例俯視效果圖，輸入光通過環(huán)形波導(dǎo)的表面倏逝場耦合進(jìn)位于中心區(qū)域的圓形波導(dǎo)內(nèi)，提供倏逝場照明；圖4為暗場照明的示例圖，其中a為采用環(huán)形光纖束輸出提供暗場照明的示例圖，b為對應(yīng)暗場照明模塊的垂直截面圖；圖5為移頻照明成像原理示意圖。具體實(shí)施方式在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來實(shí)施，因此，本發(fā)明并不限于下面公開的具體實(shí)施例的限制。本文中...

在所述鏤空側(cè)壁22的外緣設(shè)置有至少一個連接端子23，所述連接端子23與提把1上的任一連接端口11相配合可使得平放花籃2可拆卸地固定于提把1上對應(yīng)于該連接端口的位置。如圖3、圖4所示，該治具還包括一組豎直擋板24，豎直擋板24上均勻開設(shè)有一組通孔；所述平放花籃2的鏤空側(cè)壁22內(nèi)緣及相應(yīng)位置的圓形底盤21上設(shè)置有一系列用于固定所述豎直擋板24的卡槽，豎直擋板24與相應(yīng)的卡槽配合可將平放花籃2內(nèi)的空間劃分為不同角度的扇形空間。本實(shí)施例中采用由兩根一字形擋板組成的十字形豎直擋板，可將平放花籃2內(nèi)的空間等分為4個**的90度扇形空間，適用于90度扇形晶圓的清洗，**的扇形區(qū)域可以保證不同的晶圓片...

***相機(jī)，用于采集共焦掃描的圖像；樣品臺，其上放置有檢測晶圓；環(huán)繞所述檢測晶圓布置的倏逝場移頻照明光源；安裝在所述顯微物鏡外周且輸出光場傾斜入射照明被檢測晶圓的暗場照明光源；第二相機(jī)，用于暗場照明，pl模式照明和移頻照明遠(yuǎn)場像的采集。本發(fā)明中，根據(jù)被檢晶圓半導(dǎo)體材料的光譜吸收特性，選擇對應(yīng)的照明光源，具體包括暗場照明源，pl激發(fā)源，共聚焦照明光源以及倏逝場移頻照明光源；完成所有照明成像系統(tǒng)的集成化設(shè)計，具體包括暗場照明光路、pl激發(fā)光路、自聚焦掃描成像光路、倏逝場照明光路的設(shè)計以及所有光路系統(tǒng)的整合。同時，完成部分模塊的集成，如自聚焦模塊；另外，針對不同照明模式的缺陷檢測過程，圖像的...

或者，可能不需要在每個周期內(nèi)檢查清潔度，取而代之的是，使用的周期數(shù)可能是預(yù)先用樣品晶圓通過經(jīng)驗(yàn)確定。在一些實(shí)施例中，本發(fā)明中以各種圖形描述的晶圓清洗過程可以組合以產(chǎn)生期望的清洗結(jié)果。在一個實(shí)施例中，如圖34所示的步驟34030中的振幅檢測可以并入如圖33所示的晶圓清洗工藝中。在另一個實(shí)施例中，圖26所示的電壓衰減電路26090及整形電路26092與圖27所示的振幅檢測電路27092可以應(yīng)用到圖33及圖34所示的晶圓清洗工藝中。本發(fā)明揭示了利用超聲波或兆聲波清洗半導(dǎo)體基板的裝置，包括卡盤、超聲波或兆聲波裝置、至少一個噴頭、超聲波或兆聲波電源、主機(jī)及檢測電路?？ūP支撐半導(dǎo)體基板。超聲波或兆...

位于上側(cè)所述夾塊49固設(shè)有兩個前后對稱的卡扣61，所述切割腔27的前側(cè)固設(shè)有玻璃窗66，通過所述卡扣61，可使所述夾塊49夾緊所述硅錠48，通過所述玻璃窗66可便于觀測切割情況。初始狀態(tài)時，滑塊47與送料腔68右壁抵接，切割片50處于上側(cè)，兩個海綿52抵接切割片50，接收箱28位于切割腔27下側(cè)，并接收腔29內(nèi)存有清水，橫條33位于**下側(cè)，第二齒牙34與***齒牙38不接觸，第二齒牙34與限制塊39不接觸，限制塊39插入限制腔42內(nèi)。當(dāng)使用時，通過***電機(jī)63的運(yùn)轉(zhuǎn)，可使蝸桿65帶動旋轉(zhuǎn)軸36轉(zhuǎn)動，通過旋轉(zhuǎn)軸36的旋轉(zhuǎn)，可使***連桿32帶動三叉連桿31繞圓弧方向左右晃動，從而可使...

所述有機(jī)胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、三丙胺，N，N-二甲基乙醇胺、N，N-甲基乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種。所述有機(jī)羧酸選自丙二酸、草酸、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種。所述胍類為四甲基胍、碳酸胍、醋酸胍、3-胍基丙酸、聚六亞甲基胍和對胍基苯甲酸。所述清洗液的pH值為2～5。實(shí)施例3一種用于半導(dǎo)體晶圓等離子蝕刻殘留物的清洗液，其是由如下重量份數(shù)的原料組成：有機(jī)溶劑48份、氟化物12份、氯化物11份、甲基丙烯酸甲酯6份、有機(jī)胺7份、氨基酸14份、胍類15份、苯并三氮唑5份、有機(jī)羧酸19份、硫脲23份和水64份。所述有機(jī)溶...

τ1是氣泡內(nèi)的溫度上升到高于臨界內(nèi)爆溫度的時間間隔，τ2是氣泡內(nèi)的溫度下降到遠(yuǎn)低于臨界內(nèi)爆溫度的時間間隔。由于可控的非穩(wěn)態(tài)的氣穴振蕩在清洗過程中具有一定的氣泡內(nèi)爆，因此，可控的非穩(wěn)態(tài)的氣穴振蕩將提供更高的pre(particleremovalefficiency，顆粒去除效率)，而對圖案結(jié)構(gòu)造成**小的損傷。臨界內(nèi)爆溫度是會導(dǎo)致***個氣泡內(nèi)爆的氣泡內(nèi)的**低溫度。為了進(jìn)一步提高pre，需要進(jìn)一步提高氣泡的溫度，因此需要更長的時間τ1。通過縮短時間τ2來提高氣泡的溫度。超或兆聲波的頻率是控制內(nèi)爆強(qiáng)度的另一個參數(shù)?？煽氐姆欠€(wěn)態(tài)的氣穴振蕩是通過設(shè)置聲波電源在時間間隔小于τ1內(nèi)頻率為f1，設(shè)...

f1為超聲波或兆聲波的頻率。根據(jù)公式(10)和(11)，內(nèi)爆周期數(shù)ni和內(nèi)爆時間τi可以被計算出來。表1為內(nèi)爆周期數(shù)ni、內(nèi)爆時間τi和(δt–δt)的關(guān)系，假設(shè)ti＝3000℃，δt＝℃，t0＝20℃，f1＝500khz，f1＝1mhz，及f1＝2mhz。表1圖6a至圖6c揭示了在聲波晶圓清洗工藝中**終發(fā)生微噴射且工藝參數(shù)符合公式(1)-(11)。參考圖6a所示，電功率(p)連續(xù)供應(yīng)至聲波裝置以在清洗液中產(chǎn)生氣穴振蕩。隨著氣穴振蕩的周期數(shù)n增加，如圖6b所示氣體或蒸汽的溫度也隨之增加，因此氣泡表面更多的分子會被蒸發(fā)至氣泡6082內(nèi)部，導(dǎo)致氣泡6082的尺寸隨著時間的推移而增加，如圖...

聲波能量不能有效地傳遞到通孔或槽中，到達(dá)它們的底部和側(cè)壁，而微粒、殘留物和其他雜質(zhì)18048則被困在通孔或槽中。當(dāng)臨界尺寸w1變小時，這種情況很容易發(fā)生在先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝中。參考圖18i至圖18j所示，氣泡18012的尺寸增大控制在一定范圍內(nèi)，氣泡總體積vb與通孔或槽或其他凹進(jìn)區(qū)域的總體積vvtr的比值r遠(yuǎn)低于飽和點(diǎn)rs。因?yàn)樵谔卣鲀?nèi)有小氣泡氣穴振蕩，新鮮的清洗液18047在通孔或槽中自由交換，使得殘留物和顆粒等雜質(zhì)18048可以輕易地排出，從而獲得良好的清洗性能。由于通孔或槽中氣泡的總體積由氣泡的數(shù)量和大小決定，因此控制氣穴振蕩引起的氣泡尺寸膨脹對于具有高深寬比特征的晶圓的清洗性能至...

因?yàn)榍逑匆旱臏囟冗h(yuǎn)低于氣體和/或蒸汽溫度。在一些實(shí)施例中，直流輸出的振幅，可以是正的也可以是負(fù)的，可以大于(圖片中未顯示)，等于(如圖16a和16b所示)或小于(如圖16c所示)在τ1時間段內(nèi)用于在清洗液中制造氣穴振蕩的電源輸出功率p1。圖17揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的晶圓清洗工藝。該晶圓清洗工藝也與圖7a-7e所示的相類似，除了圖7d所示的步驟7050。該晶圓清洗工藝使電源輸出的相位反相，同時保持在時間段τ1內(nèi)施加的相同頻率f1，因此，氣泡氣穴振蕩能夠迅速停止。結(jié)果，氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度開始降低，因?yàn)榍逑匆旱臏囟冗h(yuǎn)低于氣體和/或蒸汽溫度。參考圖17所示，在τ2時間段內(nèi)電源輸...

術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。如圖1所示為一種半導(dǎo)體晶圓表面缺陷的快速檢測系統(tǒng)圖，包括入射光源101，耦合物鏡102，***透鏡103，***104，第二透鏡105，***濾光片106，***偏振片107，柱面鏡108，第三透鏡109，***相機(jī)110，第四透鏡111，第二偏振片112，第二濾光片113，偏振分光棱鏡11...

并且與基座110形成腔室c。在實(shí)際應(yīng)用中，殼體120接觸基座110。依據(jù)實(shí)際情況，殼體120可與基座110密封地接觸，然而本發(fā)明不以此為限。由殼體120與基座110形成的腔室c被配置成容納半導(dǎo)體晶圓200。殼體120具有排氣口121，其遠(yuǎn)離基座110設(shè)置。微波產(chǎn)生器130設(shè)置于殼體120上，并且被配置成對半導(dǎo)體晶圓200所在的腔室c發(fā)射微波w。在半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100運(yùn)行的期間，半導(dǎo)體晶圓200首先被設(shè)置于基座110上，使得半導(dǎo)體晶圓200位于殼體120與基座110所形成的腔室c內(nèi)。接下來，微波產(chǎn)生器130對位于腔室c內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓200發(fā)射微波w，使得先前的工藝殘留于半導(dǎo)體晶圓20...

9月15日，合肥高新區(qū)與華進(jìn)半導(dǎo)體就晶圓級扇出型封裝產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目舉行簽約儀式。工委委員、管委會副主任呂長富會見華進(jìn)半導(dǎo)體董事長于燮康一行并出席簽約儀式，創(chuàng)業(yè)服務(wù)中心主任周國祥，華進(jìn)半導(dǎo)體合肥項(xiàng)目負(fù)責(zé)人姚大平，分別**高新區(qū)與華進(jìn)半導(dǎo)體簽署協(xié)議。經(jīng)貿(mào)局、財政局、高新股份等單位負(fù)責(zé)人見證簽約儀式。華進(jìn)半導(dǎo)體是由中國科學(xué)院微電子研究所、長電科技、通富微電、華天科技、中芯國際等多家國內(nèi)半導(dǎo)體封裝、制造上市公司聯(lián)合投資組成的**研發(fā)中心，旨在研發(fā)和先進(jìn)封裝成果轉(zhuǎn)換，為中國半導(dǎo)體先進(jìn)封裝工藝的發(fā)展提供產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)和輸出技術(shù)的平臺。芯片封裝是指將晶圓加工得到**芯片的過程，是集成電路芯片制造完成后不可缺...

因此需要更長的時間τ1。通過縮短時間τ2來提高氣泡的溫度。通常，在本發(fā)明的晶圓清洗工藝中所應(yīng)用的的超聲波或兆聲波的頻率在。圖23揭示了根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的用于執(zhí)行圖7至圖22所示的晶圓清洗工藝的一示范性的晶圓清洗裝置。該晶圓清洗裝置包括用于承載晶圓23010的晶圓卡盤23014，在清洗過程中由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置23016驅(qū)動晶圓卡盤23014帶著晶圓23010一起旋轉(zhuǎn)。該晶圓清洗裝置還包括噴頭23064，用于輸送如清洗化學(xué)液或去離子水23060等清洗液至晶圓23010。與噴頭23064相結(jié)合的超聲波或兆聲波裝置23062用于傳遞超聲波能或兆聲波能至清洗液。由超聲波或兆聲波裝置23062產(chǎn)生...

該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域完全包圍該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包圍該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域。進(jìn)一步的，為了保護(hù)該金屬層，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響，該基板結(jié)構(gòu)更包含：一樹酯層，具有相對應(yīng)的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應(yīng)于該第四表面。進(jìn)一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計簡化，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。進(jìn)一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計更加簡化，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相...

并且不同規(guī)格的花籃無法同時進(jìn)行作業(yè)，**降低了生產(chǎn)的效率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)不足，提供一種半導(dǎo)體晶圓濕法清洗治具，可適用于不同尺寸不同形狀晶圓，且可實(shí)現(xiàn)多層同時清洗。本實(shí)用新型具體采用以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題：一種半導(dǎo)體晶圓濕法清洗治具，該治具包括提把和一組平放花籃；所述提把沿豎直方向均勻設(shè)置有一組連接端口；所述平放花籃由圓形底盤和設(shè)置在圓形底盤邊緣的一圈鏤空側(cè)壁組成，圓形底盤上設(shè)置有一組通孔，在所述鏤空側(cè)壁的外緣設(shè)置有至少一個連接端子，所述連接端子與提把上的任一連接端口相配合可使得平放花籃可拆卸地固定于提把上對應(yīng)于該連接端口的位置。推薦地，...

就能更快的解決流程中的問題，從而減少停機(jī)時間同時提高產(chǎn)量。因此，檢測行業(yè)**科磊不太可能被后來者趕上?，F(xiàn)在主流的檢測方法有兩種，一種是科磊選用的光學(xué)檢測（占市場90%），還有一種是阿斯麥的電子束檢測。兩種技術(shù)的主要差別在于速度。電子檢測較為直觀，但電子束檢測比光學(xué)檢測慢100-1000倍以上，現(xiàn)階段檢測效率決定了光學(xué)檢測方法的***使用?？疾煲粋€行業(yè)的發(fā)展，對其**企業(yè)的研究是必不可少的。晶圓檢測設(shè)備領(lǐng)域，科磊是當(dāng)之無愧的**，其生產(chǎn)的半導(dǎo)體前道晶圓檢測設(shè)備，市場占有率52%，遠(yuǎn)高于第二、三名的應(yīng)用材料（12%）、日立（11%），形成壟斷局面。國內(nèi)國產(chǎn)替代率*有2%，替代率之低*次于光...

9月15日，合肥高新區(qū)與華進(jìn)半導(dǎo)體就晶圓級扇出型封裝產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目舉行簽約儀式。工委委員、管委會副主任呂長富會見華進(jìn)半導(dǎo)體董事長于燮康一行并出席簽約儀式，創(chuàng)業(yè)服務(wù)中心主任周國祥，華進(jìn)半導(dǎo)體合肥項(xiàng)目負(fù)責(zé)人姚大平，分別**高新區(qū)與華進(jìn)半導(dǎo)體簽署協(xié)議。經(jīng)貿(mào)局、財政局、高新股份等單位負(fù)責(zé)人見證簽約儀式。華進(jìn)半導(dǎo)體是由中國科學(xué)院微電子研究所、長電科技、通富微電、華天科技、中芯國際等多家國內(nèi)半導(dǎo)體封裝、制造上市公司聯(lián)合投資組成的**研發(fā)中心，旨在研發(fā)和先進(jìn)封裝成果轉(zhuǎn)換，為中國半導(dǎo)體先進(jìn)封裝工藝的發(fā)展提供產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)和輸出技術(shù)的平臺。芯片封裝是指將晶圓加工得到**芯片的過程，是集成電路芯片制造完成后不可缺...

為了能將花籃內(nèi)部的圓形空間靈活地分隔為半圓形、不同角度扇形等不同形狀，以適用于相應(yīng)形狀的晶圓，推薦地，該治具還包括一組豎直擋板；所述平放花籃的鏤空側(cè)壁內(nèi)緣及相應(yīng)位置的圓形底盤上設(shè)置有一系列用于固定所述豎直擋板的卡槽，豎直擋板與相應(yīng)的卡槽配合可將平放花籃內(nèi)的空間劃分為不同角度的扇形空間。進(jìn)一步推薦地，所述豎直擋板上設(shè)置有一組通孔，以便清洗液在所分隔的不同空間中流動。為了適用于不同規(guī)格的晶圓清洗，推薦地，所述一組平放花籃中包括多個具有不同半徑圓形底盤的平放花籃。推薦地，所述提把的上端帶有掛鉤，以便在清洗時將整個治具懸掛在清洗槽邊緣或掛桿上。為了便于公眾理解，下面通過一個實(shí)施例并結(jié)合附圖來對...

在晶圓15010上形成具有間距w的圖案結(jié)構(gòu)15034。在空化過程中形成的一些氣泡15046位于圖案結(jié)構(gòu)15034的間距內(nèi)。參考圖15b所示，隨著氣泡氣穴振蕩的繼續(xù)，氣泡15048內(nèi)的氣體和/或蒸汽的溫度升高，這導(dǎo)致氣泡15048的尺寸增大。當(dāng)氣泡15048的尺寸大于間距w時，如圖15c所示，氣泡氣穴振蕩的膨脹力會損壞圖案結(jié)構(gòu)15034。因此，需要一種新的晶圓清洗工藝。如圖15c所示，由氣泡膨脹引起的損傷點(diǎn)可能小于由氣泡內(nèi)爆引起的損傷點(diǎn)，如圖4b所示。例如，氣泡膨脹可能會導(dǎo)致100nm量級的損傷點(diǎn)，而氣泡內(nèi)爆會導(dǎo)致更大的損傷點(diǎn)，1μm量級的損傷點(diǎn)。圖15d揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的晶...

圖3為依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備的剖視圖。具體實(shí)施方式以下將以附圖公開本發(fā)明的多個實(shí)施方式。為明確說明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡化附圖起見，一些公知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡單示意的方式繪示。附圖與說明書中盡可能使用相同的元件符號表示相同或相似的部分。除非另外定義，否則本文使用的所有術(shù)語(包含技術(shù)以及科學(xué)術(shù)語)對于所屬領(lǐng)域中的技術(shù)人員通常理解的涵義。還應(yīng)理解到，諸如常用的字典中定義的術(shù)語的解讀，應(yīng)使其在相關(guān)領(lǐng)域與本發(fā)明中具...

圖11b為根據(jù)本申請一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面的一示意圖。圖12為根據(jù)本申請一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面的一示意圖。圖13為根據(jù)本申請一實(shí)施例的晶圓的一示意圖。圖14為根據(jù)本申請另一實(shí)施例的晶圓的一示意圖。圖15為根據(jù)本申請一實(shí)施例的晶圓制作方法的前列程示意圖。圖16a~16j為根據(jù)本申請實(shí)施例的晶圓制作過程的各階段的剖面示意圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明將詳細(xì)描述一些實(shí)施例如下。然而，除了所揭露的實(shí)施例外，本發(fā)明的范圍并不受該些實(shí)施例的限定，是以其后的申請專利范圍為準(zhǔn)。而為了提供更清楚的描述及使該項(xiàng)技藝的普通人員能理解本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容，圖示內(nèi)各部分并沒有依照其相對的尺寸進(jìn)行繪圖，某...

所述的***相機(jī)位于二向色鏡的透射光路上，所述的第二相機(jī)位于二向色鏡的反射光路上。根據(jù)照明成像視場大小和掃描成像過程，圖像采集系統(tǒng)(包括***相機(jī)和第二相機(jī))可以采用線陣掃描或者面陣掃描兩種方式，同時結(jié)合相應(yīng)的圖像重構(gòu)算法對所采集圖像實(shí)現(xiàn)快速對準(zhǔn)拼接處理。推薦的，所述的倏逝場移頻照明光源的排布為360度光纖束端面輸出、分段式波導(dǎo)端面輸出或波導(dǎo)環(huán)型表面倏逝場耦合輸出。移頻照明源如采用光纖束輸出，倏逝場照明源載具可以采用加持的方式與輸出光纖束配合使用，也可采用內(nèi)置方式將輸出光纖束固定其中。如采用分段式波導(dǎo)端面輸出，可以制備集成光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。如采用波導(dǎo)表面倏逝場耦合方式，需要制備數(shù)組可轉(zhuǎn)換光源...

以及波導(dǎo)表面缺陷微結(jié)構(gòu)204。光源輸入端數(shù)量以及方位需根據(jù)被檢測樣品的尺寸進(jìn)行設(shè)置。光源載具需要能夠在二維平面內(nèi)進(jìn)行縮放調(diào)控，滿足不同尺寸樣品的需求。光源載具的設(shè)計不限于圖中所示圓環(huán)形貌，也可是**控制的多組結(jié)構(gòu)。如被檢測波導(dǎo)為多邊形結(jié)構(gòu)，需要將輸入光源的排布形貌做出調(diào)整。如圖3所示為一種實(shí)施實(shí)例示意圖，包括環(huán)形耦合波導(dǎo)302，環(huán)形波導(dǎo)內(nèi)傳輸光場301，被檢測晶圓波導(dǎo)303以及晶圓波導(dǎo)表面缺陷304。當(dāng)光場在環(huán)形耦合波導(dǎo)內(nèi)傳輸時，環(huán)形波導(dǎo)表面的倏逝場將耦合進(jìn)被檢晶圓波導(dǎo)內(nèi)。如前所述，不同的環(huán)形耦合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)需要根據(jù)被檢測樣品的尺寸進(jìn)行切換。圖4a是一種暗場照明實(shí)施方案圖，包括斜照明光源載...

圖3為依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備的剖視圖。具體實(shí)施方式以下將以附圖公開本發(fā)明的多個實(shí)施方式。為明確說明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡化附圖起見，一些公知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡單示意的方式繪示。附圖與說明書中盡可能使用相同的元件符號表示相同或相似的部分。除非另外定義，否則本文使用的所有術(shù)語(包含技術(shù)以及科學(xué)術(shù)語)對于所屬領(lǐng)域中的技術(shù)人員通常理解的涵義。還應(yīng)理解到，諸如常用的字典中定義的術(shù)語的解讀，應(yīng)使其在相關(guān)領(lǐng)域與本發(fā)明中具...

所述第二螺桿57的外周上螺紋連接設(shè)有螺套58，所述螺套58與所述第四連桿54之間鉸接設(shè)有第五連桿56，通過所述第二螺桿57的間歇性正反轉(zhuǎn)動，可使所述螺套58間歇性升降移動，進(jìn)而可使所述第五連桿56帶動所述第四連桿54間歇性往返左右移動，從而可使所述移動塊53帶動所述海綿52間歇性往返左右移動，則可使所述海綿52在所述切割片50上升時向所述切割片50移動并抵接，以及在所述切割片50下降時向所述移動腔13方向打開，通過所述冷卻水腔14內(nèi)的冷卻水，可保證所述海綿52處于吸水狀態(tài)。另外，在一個實(shí)施例中，所述傳動腔55的上側(cè)開設(shè)有皮帶腔60，所述皮帶腔60的底壁上轉(zhuǎn)動設(shè)有豎軸12，所述第二螺桿5...

在圖8b所示的實(shí)施例當(dāng)中，示出四個內(nèi)框結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以從圖8a與圖8b理解到，本申請并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的數(shù)量、位置、形狀等配置的參數(shù)。在一實(shí)施例當(dāng)中，如圖8a所示，在內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822之處，晶圓層820的厚度與在邊框結(jié)構(gòu)的厚度是相同的。在另一實(shí)施例當(dāng)中，內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822的厚度與邊框結(jié)構(gòu)的厚度可以是不同的。舉例來說，在內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822的晶圓層厚度，可以較在邊框結(jié)構(gòu)的晶圓層厚度來得小。由于在芯片中間所承受的應(yīng)力與/或熱應(yīng)力可以比在邊緣來得小，因此可以使用較薄的內(nèi)框結(jié)構(gòu)作為補(bǔ)強(qiáng)。一方面降低基板結(jié)構(gòu)的電阻值，另一方面還能補(bǔ)強(qiáng)基板結(jié)構(gòu)。請參考圖9所示，其為根據(jù)本申請一實(shí)...

在清洗過程中晶圓24010浸沒在清洗液24070中。在上述實(shí)施例中，在晶圓清洗工藝中，如果聲波電源的所有關(guān)鍵工藝參數(shù)，例如功率水平、頻率、通電時間(τ1)、斷電時間(τ2)都預(yù)設(shè)在電源控制器中，而不是實(shí)時監(jiān)測，在晶圓清洗過程中，由于一些異常情況，仍然可能發(fā)生圖案結(jié)構(gòu)損傷。因此，需要一種實(shí)時監(jiān)測聲波電源工作狀態(tài)的裝置和方法，如果參數(shù)不在正常范圍，則聲波電源應(yīng)該關(guān)閉且需要發(fā)出警報信號并報告。圖25揭示了本發(fā)明的一實(shí)施例的使用超聲波或兆聲波清洗晶圓過程中監(jiān)測聲波電源運(yùn)行參數(shù)的控制系統(tǒng)。該控制系統(tǒng)包括主機(jī)25080、聲波發(fā)生器25082、聲波換能器1003、檢測電路25086和通信電纜2508...