結構500所包含的該金屬層510的第四表面514并不是像該結構400所包含的該金屬層310的第四表面314一樣是平面。第四表面514的剖面相應于該金屬層的第三表面513的剖面。該金屬層510的第四表面514與該晶圓層320的***表面321的**短距離，要小于該金屬層310的第四表面314與該晶圓層320的***表面321的**短距離。由于該結構500的金屬層510的大部分比該結構400的金屬層310的大部分較薄，因此可以節(jié)省金屬本身的成本，也可以節(jié)省制作該金屬層510的步驟的成本。請參考圖5b所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結構500的剖面示意圖。圖5b所示的實施例是圖5a所示實施例的一種變形。和圖5a的金屬層510相比，圖5b所示實施例的金屬層510比較厚。圖5b所示實施例的其余特征均與圖5a所示實施例相同。請參考圖6所示，為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結構的剖面600的一示意圖。該結構的剖面600可以是圖3所示結構300的aa線剖面，也可以是圖4所示結構400的aa線剖面，還可以是圖5b所示結構500的bb線剖面。為了方便說明起見，圖6所示的實施例是圖3所示的結構300，因此使用了金屬層310與晶圓層320的符號。但本領域普通技術人員可以理解到，剖面600可以適用于結構400或500。開封怎么樣半導體晶圓?上海半導體晶圓推薦貨源
在所述鏤空側壁22的外緣設置有至少一個連接端子23，所述連接端子23與提把1上的任一連接端口11相配合可使得平放花籃2可拆卸地固定于提把1上對應于該連接端口的位置。如圖3、圖4所示，該治具還包括一組豎直擋板24，豎直擋板24上均勻開設有一組通孔；所述平放花籃2的鏤空側壁22內(nèi)緣及相應位置的圓形底盤21上設置有一系列用于固定所述豎直擋板24的卡槽，豎直擋板24與相應的卡槽配合可將平放花籃2內(nèi)的空間劃分為不同角度的扇形空間。本實施例中采用由兩根一字形擋板組成的十字形豎直擋板，可將平放花籃2內(nèi)的空間等分為4個**的90度扇形空間，適用于90度扇形晶圓的清洗，**的扇形區(qū)域可以保證不同的晶圓片**放置，避免碰撞產(chǎn)生碎片；也可以用一根一字形擋板將平放花籃2內(nèi)的空間等分為2個半圓形空間，從而適用于半圓形晶圓的清洗。在進行晶圓清洗時，可將5個不同尺寸規(guī)格的平放花籃2分別固定在提把1的5個連接端口處，并通過相應豎直擋板將各個平放花籃分隔為半圓、90度扇形等不同形狀的**區(qū)域，這樣就可實現(xiàn)同時清洗不同尺寸圓形、扇形、半圓形等多種形狀，不同工藝工序相同工藝條件的晶圓片，提高生產(chǎn)產(chǎn)能，降低單一清洗治具的設計與定制成本。成都半導體晶圓鄭重承諾國內(nèi)哪家做半導體晶圓比較好？
其為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結構的剖面700的一示意圖。該結構的剖面700可以是圖5a所示結構500的bb線剖面。該樹酯層540與該金屬層510外緣之間，是該金屬層510用于包圍該樹酯層540的四個金屬邊框。該四個金屬邊框的厚度可以相同，也可以不同。舉例來說，相對于上下外緣的厚度711與713可以相同，相對于左右外緣的厚度712與714可以相同。但厚度711與712可以不同。本領域普通技術人員可以透過圖7理解到，本申請并不限定該樹酯層540外緣的形狀，其可以是正方形、矩形、橢圓形、圓形。當該金屬層510與該樹酯層540都是矩形時，本申請也不限定該該金屬層510用于包圍該樹酯層540的四個邊框的厚度。在一實施例當中，這四個邊框的厚度711~714可以相同，以簡化設計與制作的問題。在另一實施例當中，這四個邊框當中兩組邊框的厚度可以相同，以簡化設計與制作的問題。在更一實施例當中，這四個邊框的厚度711~714可以完全不同，以便適應芯片設計的需要。由于芯片的不同區(qū)域可以承載不同的半導體元器件，而不同的半導體元器件所需要的基板結構電阻值可以是不同的。因此，可以如圖7所示的實施例，在部分區(qū)域讓金屬層510的厚度較厚。
其為根據(jù)本申請一實施例的晶圓1400的一示意圖。除了下列的不同之處以外，先前有關于晶圓1300的敘述都可能可以套用在晶圓1400的實施例上。晶圓1400包含了三種不同形狀或尺寸的芯片，分別是芯片1310、1420與1430。在一實施例中，這三個芯片1310~1430可以是同一種設計的芯片。換言之，這三個芯片1310~1430可以包含上述基板結構300~1200當中的其中一種?；蛘哒f整個晶圓1300所包含的所有芯片都包含同一種基板結構。在另一實施例當中，這三個芯片1310~1430可以是不同種設計的芯片。也就是說，這三個芯片1310~1330可以包含上述基板結構300~1200當中的其中兩種或三種。換言之，整個晶圓1400的多個芯片包含兩種以上的基板結構。舉例來說，芯片1310可以包含基板結構500，芯片1420可以包含基板結構900，芯片1430可以包含基板結構400。在另一范例中，芯片1310可以包含基板結構300，芯片1420可以包含基板結構800。圖14所示的芯片也可以包含圖6、7、11、12分別所示的四種剖面600、700、1100與1200。換言之，本申請并不限定同一個晶圓上的任兩顆芯片使用相同的剖面。從圖13與14所示的晶圓1300與1400當中可以得知，本申請并不限定同一晶圓上的芯片是否都具有同一尺寸與形狀。洛陽怎么樣半導體晶圓?
上述步驟7210至7240可以重復操作以此來縮小內(nèi)爆時間τi的范圍。在知道內(nèi)爆時間τi后，τ1可以在安全系數(shù)下設置為小于τi的值。以下段落用于敘述本實驗的一實例。假設圖案結構為55nm的多晶硅柵線，超聲波的頻率為1mhz，使用prosys制造的超聲波或兆聲波裝置，采用間隙振蕩模式(在pct/cn2008/073471中披露)操作以在晶圓內(nèi)和晶圓間獲得更均勻能量分布。以下表2總結了其他試驗參數(shù)以及**終的圖案損傷數(shù)據(jù)：表2在一個試驗中，當τ1＝2ms(或周期數(shù)為2000)時，前面提到的聲波清洗工藝在55nm的特征尺寸下，對圖案結構造成的損傷高達1216個點。當τ1＝(或周期數(shù)為100)時，聲波清洗工藝對相同的圖案結構造成的損傷為0。所以τi為。通過縮小τ1的范圍來做更多的試驗可進一步縮小τi的范圍。在上述實驗中，周期數(shù)取決于超聲波或兆聲波的功率密度和頻率。功率密度越大，則周期數(shù)越??；頻率越低，則周期數(shù)越小。從以上實驗結果可以預測出無損傷的周期數(shù)應該小于2000，假設超聲波或兆聲波的功率密度大于，頻率小于或等于1mhz。如果頻率增大到大于1mhz或功率密度小于，那么可以預測周期數(shù)將會增加。知道時間τ1后，τ2也可以基于與上述相似的doe方法來獲得。確定時間τ1。半導體晶圓量大從優(yōu)..遼陽半導體晶圓定制價格
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在氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽溫度降至室溫t0或達到時間段τ2后(在時間段τ2內(nèi)，設置電源輸出為零)，電源輸出恢復至頻率f1及功率水平p1。在步驟15270中，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復步驟15210-15260。或者，可能不需要在每個周期內(nèi)檢查清潔度，取而代之的是，使用的周期數(shù)可能是預先用樣品晶圓通過經(jīng)驗確定。參考圖15d所示，氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度不需要冷卻至室溫t0，但是**好使溫度冷卻至遠低于內(nèi)爆溫度ti。此外，在步驟15250中，只要氣泡膨脹力不破壞或損壞圖案結構15034，氣泡的尺寸可以略大于圖案結構15034的間距w。參考圖15d所示，步驟15240的持續(xù)時間可以從圖7e所示的過程中經(jīng)驗地獲得為τ1。在一些實施例中，圖7至圖14所示的晶圓清洗工藝可以與圖15所示的晶圓清洗工藝相結合。圖16a-16c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的晶圓清洗工藝。該晶圓清洗工藝與圖7a-7e所示的相類似，除了圖7d所示的步驟7050。在氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的溫度達到內(nèi)爆溫度ti之前或者在τ1達到根據(jù)公式(11)計算出的τi之前，設置電源輸出為圖16a所示的正的直流值或是圖16b和圖16c所示的負的直流值。結果，氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽溫度開始降低。上海半導體晶圓推薦貨源
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