將從2019年開始為GaN器件帶來巨大的市場機遇。相比現(xiàn)有的硅LDMOS（橫向雙擴散金屬氧化物半導體技術）和GaAs（砷化鎵）解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡所需要的功率和效能。而且，GaN的寬帶性能也是實現(xiàn)多頻帶載波聚合等重要新技術的關鍵因素之一。GaNHEMT（高電子遷移率場效晶體管）已經(jīng)成為未來宏基站功率放大器的候選技術。由于LDMOS無法再支持更高的頻率，GaAs也不再是高功率應用的優(yōu)方案，預計未來大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡單元應用都將采用GaN器件。5G網(wǎng)絡采用的頻段更高，穿透力與覆蓋范圍將比4G更差，因此小基站（smallcell）將在5G網(wǎng)絡建設中扮演很重要的角色。不...

驅動放大電路和功率放大電路的電路結構一樣，但二者對應的各個器件的尺寸差異很大。相比較而言，功率放大電路更加注重輸出放大信號的效率，驅動放大電路更加注重放大信號的增益控制。射頻功率放大器電路的高、中、低功率模式下，電路結構和dc偏置都需要進行切換，即，通過改變反饋電路中的開關、電壓偏置電路中的柵極電壓、電流偏置電路中的漏極電流、供電電壓vcc，以及使能可控衰減電路，協(xié)作實現(xiàn)以上功率模式，以及實現(xiàn)非負增益模式和負增益模式。圖2b是本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的電路結構示意圖，如圖2b所示，應用于終端，包括：依次連接的可控衰減電路107、輸入匹配電路101、驅動放大電路102、級間匹...

射頻功率放大器的關閉狀態(tài)的電阻值即射頻功率放大器自身的電阻值；檢測到射頻功率放大器開啟時，其匹配電阻生效，射頻功率放大器的開啟狀態(tài)的電阻值即匹配電阻的電阻值。匹配電阻跟射頻功率放大器可以連接，將射頻功率放大器的控制端接入匹配電阻的控制端；匹配電阻跟射頻功率放大器也可以不連接，直接將匹配電阻設置在射頻功率放大器的內(nèi)部。其中，射頻功率放大器的狀態(tài)對應的電阻值存儲在移動終端的存儲器，計算出射頻功率放大器的電阻值后，可根據(jù)存儲器存儲的對應關系得知射頻功率放大器的狀態(tài)。102、計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值。例如，預先將射頻功率放大器的輸出端同步連接到射頻功率放大器檢測模塊，在移動終端進...

以對輸入至功率合成變壓器的信號進行對應的匹配濾波處理。在具體實施中，子濾波電路可以包括電容c1，電容c1的端可以與功率合成變壓器的輸入端以及功率放大單元的輸入端耦接，第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中，為提高諧波濾波性能，子濾波電路還可以包括電感l(wèi)1，電感l(wèi)1可以設置電容c1的第二端與地之間。參照圖2，給出了本發(fā)明實施例中的另一種射頻功率放大器的電路結構圖。圖2中，子濾波電路包括電感l(wèi)1以及電容c1，電感l(wèi)1串聯(lián)在電容c1的第二端與地之間。在具體實施中，第二子濾波電路可以包括第二電容c2，第二電容c2的端可以與功率合成變壓器的第二輸入端以及功率放大單元的第二輸入端耦接，第二端可以接地。在...

自適應動態(tài)偏置電路的輸入端通過匹配網(wǎng)絡連接射頻輸入端；自適應動態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器源放大器的柵極和共柵放大器的柵極。可選的，在自適應動態(tài)偏置電路中，nmos管的柵極為自適應動態(tài)偏置電路的輸入端，nmos管的漏極連接pmos管的源極，nmos管的源極接地；第二nmos管的漏極與第二pmos管的漏極連接，第二nmos管的源極接地，第二pmos管的源極接電源電壓，第二nmos管的柵極與第二pmos管的柵極連接后與nmos管的漏極連接；第三nmos管的漏極與第三pmos管的漏極連接，第三nmos管的源極接地，第三pmos管的源極接電源電壓，第三nmos管的柵極與漏極連接，第三pmo...

RF)微波和毫米波應用，設計和開發(fā)高性能集成電路、模塊和子系統(tǒng)。這些應用包括蜂窩、光纖和衛(wèi)星通信，以及醫(yī)學及科學成像、工業(yè)儀表、航空航天和防務電子。憑借近30年的經(jīng)驗和創(chuàng)新實踐，Hittite在模擬、數(shù)字和混合信號半導體技術領域有著深厚的積淀，從器件級到完整子系統(tǒng)的設計和裝配，覆蓋面十分。HittiteMicrowave于2014年被AnalogDevices,Inc.（ADI）收購合并。但筆者還是更喜歡Hittite作為射頻微波器件的名稱，所以暫不更改稱呼^_^。筆者本人并沒用用過Hittite的WiFiPA，倒是用過其他頻段GainBlock和PA，查找其官方網(wǎng)站，似乎也只有一款P...

并對漏級供電電壓vcc進行控制，從而使偏置電路中漏級電流、柵級電壓變大，使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。本發(fā)明實施例提供的技術方案具有以下優(yōu)點：在信號的輸入端設計可變衰減電路，在實現(xiàn)射頻功率放大器電路負增益的同時，對非負增益模式下該電路性能的影響很小，并且加強了對輸入端口的靜電保護，電路結構簡單，占用芯片面積小，能有效的降低硬件成本。本發(fā)明實施例還提供了一種增益控制方法，應用于上述實施例中的的射頻功率放大器電路，包括：終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后，確定射頻功率放大器電路的工作模式，并通過發(fā)送模式控制信號控制射頻功率放大器電路進入工作模式；可控衰減電路，根據(jù)終端中...

微處理器通過控制vgg＝，使得開關導通，可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，此時，一部分射頻傳導功率進入可控衰減電路變成熱能消耗掉，另一部分射頻傳導功率進入可控衰減電路之后的電路，輸入信號衰減，射頻功率放大器電路實現(xiàn)非負增益模式。當開關關斷時，電感用于匹配寄生電容，以減少對后級電路的影響，開關可等效為寄生電容coff，不需要考慮電阻，可控衰減電路等效為圖8(a)；當開關導通時，開關等效為寄生電阻ron，也不需要考慮電阻，可控衰減電路等效為圖8(b)，因為第二電阻和寄生電阻ron都很小，因此流入可控衰減電路的電流較大，該電路路消耗的功率較多，對輸入信號的衰減作用也較強。其中，為了實現(xiàn)大程度的衰減，...

是為了便于描述本申請和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本申請的限制。此外，術語“”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。在本申請的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電氣連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，還可以是兩個元件內(nèi)部的連通，可以是無線連接，也可以是有線連接。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本申請中的具體含...

RF)微波和毫米波應用，設計和開發(fā)高性能集成電路、模塊和子系統(tǒng)。這些應用包括蜂窩、光纖和衛(wèi)星通信，以及醫(yī)學及科學成像、工業(yè)儀表、航空航天和防務電子。憑借近30年的經(jīng)驗和創(chuàng)新實踐，Hittite在模擬、數(shù)字和混合信號半導體技術領域有著深厚的積淀，從器件級到完整子系統(tǒng)的設計和裝配，覆蓋面十分。HittiteMicrowave于2014年被AnalogDevices,Inc.（ADI）收購合并。但筆者還是更喜歡Hittite作為射頻微波器件的名稱，所以暫不更改稱呼^_^。筆者本人并沒用用過Hittite的WiFiPA，倒是用過其他頻段GainBlock和PA，查找其官方網(wǎng)站，似乎也只有一款P...

被公認為是很合適的通信用半導體材料。在手機無線通信應用中，目前射頻功率放大器絕大部分采用GaAs材料。在GSM通信中，國內(nèi)的紫光展銳和漢天下等芯片設計企業(yè)曾憑借RFCMOS制程的高集成度和低成本的優(yōu)勢，打破了采用國際廠商采用傳統(tǒng)的GaAs制程完全主導射頻功放的格局。但是到了4G時代，由于Si材料存在高頻損耗、噪聲大和低輸出功率密度等缺點，RFCMOS已經(jīng)不能滿足要求，手機射頻功放重新回到GaAs制程完全主導的時代。與射頻功放器件依賴于GaAs材料不同，90%的射頻開關已經(jīng)從傳統(tǒng)的GaAs工藝轉向了SOI（Silicononinsulator）工藝，射頻收發(fā)機大多數(shù)也已采用RFCMOS制程，從而...

則該阻抗與rfin端的輸入阻抗zin共軛匹配，zin＝r0-jx0；加入可控衰減電路后，在輸入匹配電路101之前并聯(lián)接地的r2和sw1所在的支路中，為保證有效的功率衰減，r2一般控制得較小，故對r0影響可以忽略。sw1關斷時，r2和sw1所在的支路可以等效成寄生電抗xc，此時，可控衰減電路和輸入匹配電路的等效阻抗zeq＝(r0+jx0)//jxc+jxl，其中，“//”表示并聯(lián)，zeq的實部小于r0，為了使等效阻抗與輸入阻抗盡可能的匹配，減少影響，需要zeq的虛部im(zeq)＝x0，在r0、x0和xc的數(shù)值已知的情況下，根據(jù)等效阻抗zeq的表達式可以計算出xl，進而得到電感l(wèi)1的電感...

實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負增益模式；其中，偏置電路與驅動放大電路連接，第二偏置電路與功率放大電路連接。其中，如圖7所示，偏置電路1020包括：第二mos管t2、第三mos管t3、第六mos管t6、電流源ib、電壓源vg、第六電阻r6、第七電阻r7、第八電阻r8、第九電阻r9、第二電容c2、第七電容c7、第十二電容c12、第十三電容c13。第二mos管的漏極電流偏置電路由電流源、第六mos管、第六電阻、第七電阻和第十二電容按照圖7所示連接而成。第六電阻、第七電阻和第十二電容組成的t型網(wǎng)絡，可以起到隔離輸入信號的作用。第二mos管的寬長比w/l是第六mos管的寬長比的c(c遠大于1)倍，...

這個范圍叫做“放大區(qū)”，集電極電流近似等于基極電流的N倍。雙極性晶體管是一種較為復雜的非線性器件，如果偏置電壓分配不當，將使其輸出信號失真，即使工作在特定范圍，其電流放大倍數(shù)也受到包括溫度在內(nèi)的因素影響。雙極性晶體管的大集電極耗散功率是器件在一定溫度與散熱條件下能正常工作的大功率，如果實際功率大于這一數(shù)值，晶體管的溫度將超出大許可值，使器件性能下降，甚至造成物理損壞?？赏ㄟ^高達28伏電源供電工作，工作頻率可達幾個GHz。為了防止由于熱擊穿導致的突發(fā)性故障，晶體管的偏置電壓必須要仔細設計，因為熱擊穿一旦被觸發(fā)，整個晶體管都將被立即毀壞。因此，采用這種晶體管技術的放大器必須具有保護電路以防...

即射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值為射頻功率放大器211的電阻值是r11，射頻功率放大器212、213和214的電阻值仍是r2、r3和r4。計算射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測模塊的電阻值是r11，與配置狀態(tài)電阻值相同，則表示射頻功率放大器211已經(jīng)開啟；如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測模塊的電阻值是r1，與配置狀態(tài)電阻值不相同，則表示射頻功率放大器211未開啟，移動終端開啟射頻功率放大器211。計算的各個射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與配置狀態(tài)電阻值均相同時，則射頻功率放大器已經(jīng)配置完成。其中，頻段切換前，射頻功率放大器的初始狀態(tài)...

每個主體電路中的功率放大器包括2個共源共柵放大器；在每個主體電路率放大器源放大器的柵極連接自適應動態(tài)偏置電路的輸出端，功率放大器柵放大器的柵極連接自適應動態(tài)偏置電路的第二輸出端；在主體電路，功率放大器源放大器的柵極與激勵放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第三變壓器的原邊；在第二主體電路，功率放大器源放大器的柵極與激勵放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第四變壓器的原邊?？蛇x的，變壓器的原邊和第二變壓器的原邊之間還連接有電容，變壓器副邊的中端和第二變壓器副邊的中端分別通過電阻連接偏置電壓，偏置電壓用于為激勵放大器中的共源放大器提供偏置電壓；激勵放大器柵放大器的柵...

當射頻功率放大器電路處于非負增益模式時，可控衰減電路處于無衰減狀態(tài)，需要減少對射頻功率傳導的影響，在應用中需要將輸入匹配電路和可控衰減電路隔離。當射頻功率放大器電路處于負增益模式時，可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，一部分射頻傳導能量進入可控衰減電路變成熱能消耗掉，另一部分射頻傳導能量進入功率放大器進行放大(在加強了負反饋的電路基礎上，再放大衰減后的射頻信號)。本申請實施例中的可控衰減電路處于衰減狀態(tài)時，整個電路的衰減程度可達到-10db左右?？梢岳斫鉃?，比原來從rfin端進入電路的輸入信號，已經(jīng)衰減了10db。從整體電路的增益特性看，若原來的已經(jīng)加強負反饋的放大器的增益是0db，那么現(xiàn)在功率...

寬帶性能一致性差，諧波性能也較差。采用普通結構變壓器級聯(lián)lc匹配實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，采用變壓器及其輸入輸出匹配電容，輸出級聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結構優(yōu)點是諧波性能好，可以實現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點插損較大。在本發(fā)明實施例中，通過增加輔次級線圈可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑，減小耦合系數(shù)k值較小對阻抗變換的影響。根據(jù)初級線圈和主次級線圈的k值等參數(shù)，選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍，降低功率合成變壓器損耗。此外，將功率合成變壓器的主次級線圈和輔次級...

需要滿足：r20+r30＝r0，x20+x30＝x0，在zin和z30已知的情況下，可以計算得到r20和x20，進一步的，在第二電阻和開關的參數(shù)已知的情況下，可以計算得到電感的參數(shù)值。因為加入輸入匹配電路后的等效阻抗z20+z30與輸入阻抗zin能實現(xiàn)較好的匹配，因此，輸入端的回波損耗可滿足要求。其中，因為電感集成于硅基芯片上，所以，電感的品質因數(shù)一般不大于5。因為電感的品質因數(shù)小，因此在非負增益模式下，可控衰減電路的頻選特性不明顯，頻率響應帶寬較寬。在負增益模式下，回波損耗和頻率響應帶寬也能滿足要求。在一個可能的示例中，驅動放大電路102包括：第二電容c2、第二mos管t2和第三mo...

以便能保證它工作在一個線性工作區(qū)，要具有足夠的電壓范圍以便隨著整個輸入信號幅度的變化在不被剪裁或壓縮的情況下復制它。A類放大器的優(yōu)點：A類設計相比其他類設計要簡單，輸出部分可以有一個器件。當器件通過偏置設置工作在其傳輸特性的線性部分時，放大器可以非常精確地以更多功率再現(xiàn)輸入信號，在輸入信號功率增加1dB時，輸出功率也增加1dB，因此是線性放大器。當工作在線性區(qū)時，產(chǎn)生的其他頻率分量的能量很小，也就是諧波很小。因為器件通過偏置電壓設置一直處于工作狀態(tài)，不會被關閉，所以沒有“開啟”時間?？梢灾覍嵉卦佻F(xiàn)連續(xù)波和脈沖式的連續(xù)波信號。A類放大器的缺點：因為靜態(tài)工作電流大約是大輸出電流的一半，所以...

用于使所述可控衰減電路和所述驅動放大電路之間阻抗匹配；所述驅動放大電路，用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號；所述反饋電路，用于調節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益；所述級間匹配電路，用于使所述驅動放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配；所述功率放大電路，用于放大所述級間匹配電路輸出的信號；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例提供一種增益控制方法，應用于上述的射頻功率放大器電路，所述方法包括：終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后，確定所述射頻功率放大器電路的工作模式，并通過發(fā)送模式控制信號控制所述射頻功率放大器電路進入所述工作模式；所述可...

本發(fā)明涉及通信技術領域，尤其涉及一種射頻功率放大器及通信設備。背景技術：在無線通信中，用戶設備需要支持的工作頻段很多。尤其是第四代蜂窩移動通信(lte)中，用戶設備需要支持40多個工作頻帶(band)。而寬帶功率放大器(poweramplifier，pa)的性能會隨著工作頻率變化，難以實現(xiàn)很寬的功率頻率范圍。lte工作頻率一般分為低頻段(lb，663mhz～915mhz)，中頻段(mb，1710mhz～2025mhz)，高頻段(hb，2300mhz～2696mhz)。lte射頻前端也包含lb、mb、hb三個pa，每個功率放大器支持一個頻段，需要三個寬帶pa。尤其是lb的相對頻率帶寬，p...

計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值，所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開啟所述射頻功率放大器，所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。本方案在當移動終端切換射頻頻段啟動射頻功率放大器時，能夠通過對射頻功率放大器的狀態(tài)檢測，快速設置各個射頻功率放大器從而提升射頻的頻段切換的速度。附圖說明為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施例，對于本領域技術人員來講，...

圖3中的自適應動態(tài)偏置電路的電路結構如圖2所示。射頻輸入端rfin和射頻輸出端rfout之間設置有兩個主體電路，每個主體電路包括激勵放大器和功率放大器，激勵放大器和功率放大器通過匹配網(wǎng)絡連接。主體電路中的c04和c05構成激勵放大器和功率放大器之間的匹配網(wǎng)絡；第二主體電路中的c11和c12構成激勵放大器和功率放大器之間的匹配網(wǎng)絡。主體電路中的激勵放大器與變壓器t01的副邊連接，第二主體電路中的激勵放大器與第二變壓器t03的副邊連接。變壓器t01的原邊和第二變壓器t03的原邊連接，變壓器t01的原邊與第二變壓器t02的原邊之間還連接有電容c01。變壓器t01、第二變壓器t02和電容c01...

第二端接地?？蛇x的，所述子濾波電路包括：電容；所述電容的端與所述功率合成變壓器的輸入端以及所述功率放大單元的輸出端耦接，第二端接地。可選的，所述子濾波電路還包括：電感；所述電感串聯(lián)在所述電容的第二端與地之間?？蛇x的，所述第二子濾波電路包括：第二電容；所述第二電容的端與所述功率合成變壓器的第二輸入端以及所述功率放大單元的第二輸出端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述第二子濾波電路還包括：第二電感；所述第二電感串聯(lián)在所述第二電容的第二端與地之間。可選的，所述輸入端匹配濾波電路還包括：寄生電容；所述寄生電容耦接在所述功率放大單元的輸出端與所述功率放大單元的第二輸出端之間?？蛇x的，所述輸出端匹配濾波...

射頻前端集成電路領域，具體涉及一種高線性射頻功率放大器。背景技術：射頻功率放大器的主要參數(shù)是線性和效率。線性是表示射頻功率放大器能否真實地放大信號的參數(shù)。諸如lte和，要求射頻前端模塊具有極高的線性度，射頻功率放大器作為一個發(fā)射系統(tǒng)中的重要組成部分，對整個系統(tǒng)的線性度起著至關重要的作用。目前采用cmos器件的射頻功率放大器適用于和其他通信部分電路做片上集成，但是難以嚴格地滿足線性度需求。技術實現(xiàn)要素：為了解決相關技術中射頻功率放大器的線性度難以滿足需求的問題，本申請?zhí)峁┝艘环N高線性射頻功率放大器。技術方案如下：一方面，本申請實施例提供了一種高線性射頻功率放大器，包括功率放大器、激勵放大...

以便能保證它工作在一個線性工作區(qū)，要具有足夠的電壓范圍以便隨著整個輸入信號幅度的變化在不被剪裁或壓縮的情況下復制它。A類放大器的優(yōu)點：A類設計相比其他類設計要簡單，輸出部分可以有一個器件。當器件通過偏置設置工作在其傳輸特性的線性部分時，放大器可以非常精確地以更多功率再現(xiàn)輸入信號，在輸入信號功率增加1dB時，輸出功率也增加1dB，因此是線性放大器。當工作在線性區(qū)時，產(chǎn)生的其他頻率分量的能量很小，也就是諧波很小。因為器件通過偏置電壓設置一直處于工作狀態(tài)，不會被關閉，所以沒有“開啟”時間?？梢灾覍嵉卦佻F(xiàn)連續(xù)波和脈沖式的連續(xù)波信號。A類放大器的缺點：因為靜態(tài)工作電流大約是大輸出電流的一半，所以...

用于放大所述級間匹配電路輸出的信號；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例中，通過射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅動放大電路、功率放大電路等電路對輸入信號進行處理，實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換，電路結構簡單，能有效的降低硬件成本。附圖說明圖1a為本發(fā)明實施例提供的相關技術中射頻功率放大器電路的組成結構示意圖；圖1b為本發(fā)明實施例提供的相關技術中射頻功率放大器電路的電路結構示意圖；圖2a為本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的組成結構示意圖；圖2b為本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的電路結構示意...

LX5535+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96高功率版本參考設計中，F(xiàn)EM多次出現(xiàn)在無線網(wǎng)卡參考設計中。LX5518則是近年應用較多的一款高功率PA，與后文即將出現(xiàn)的SkyworksSE2576十分接近。毫不夸張地講，MicrosemiLX5518與SkyworksSE2576占據(jù)了。LX5518的強悍性能如下圖所示。RFaxisRFaxis是一家相對較新的射頻半導體公司，成立于2008年1月，總部設于美國加州，專業(yè)從事射頻半導體的設計和開發(fā)。憑借其獨有的技術，RFaxis公司專為數(shù)十億美元的Bluetooth、WLAN、、ZigBee、AMR/AMI和無線音頻/視頻市場設計的...

輸出則是方波信號，產(chǎn)生的諧波較大，屬于非線性功率放大器，適合放大恒定包絡的信號，輸入信號通常是脈沖串類的信號。C類放大器的優(yōu)點與A類放大器相比，功率效率提高。與A類放大器相比，可以低價獲得射頻功率。風冷即可，他們使用的冷卻器比A類更輕。C類放大器的缺點脈沖射頻信號放大。窄帶放大器。通過以上介紹可以看出，作為射頻微波功率放大器采用的半導體材料，有許多種類，每種都有其各自的特點和適用的功率和頻率范圍，隨著半導體技術的不斷發(fā)展，使得更高頻率和更高功率的功放的實現(xiàn)成為可能并且越來越容易實現(xiàn)。作為EMC領域的常用的射頻微波功率放大器的幾個類別，每種也都有其各自的優(yōu)缺點和適用的場合。在實際的EMC...