執(zhí)行移動終端的各種功能和處理數(shù)據(jù)，從而對手機進(jìn)行整體監(jiān)控。可選的，處理器408可包括一個或多個處理；推薦的，處理器408可集成應(yīng)用處理器和調(diào)制解調(diào)處理器，其中，應(yīng)用處理器主要處理操作系統(tǒng)、用戶界面和應(yīng)用程序等，調(diào)制解調(diào)處理器主要處理無線通信。可以理解的是，上述調(diào)制解調(diào)處理器也可以不集成到處理器408中。移動終端還包括給各個部件供電的電源409(比如電池)，推薦的，電源可以通過電源管理系統(tǒng)與處理器408邏輯相連，從而通過電源管理系統(tǒng)實現(xiàn)管理充電、放電、以及功耗管理等功能。電源409還可以包括一個或一個以上的直流或交流電源、再充電系統(tǒng)、電源故障檢測電路、電源轉(zhuǎn)換器或者逆變器、電源狀態(tài)指示器...

LDMOS增益曲線較平滑并且允許多載波射頻信號放大且失真較小。LDMOS管有一個低且無變化的互調(diào)電平到飽和區(qū)，不像雙極型晶體管那樣互調(diào)電平高且隨著功率電平的增加而變化，這種主要特性因此允許LDMOS晶體管執(zhí)行高于雙極型晶體管的功率，且線性較好。LDMOS晶體管具有較好的溫度特性溫度系數(shù)是負(fù)數(shù)，因此可以防止熱耗散的影響。由于以上這些特點，LDMOS特別適用于UHF和較低的頻率，晶體管的源極與襯底底部相連并直接接地，消除了產(chǎn)生負(fù)反饋和降低增益的鍵合線的電感的影響，因此是一個非常穩(wěn)定的放大器。LDMOS具有的高擊穿電壓和與其它器件相比的較低的成本使得LDMOS成為在900MHz和2GHz的高...

實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式；其中，偏置電路與驅(qū)動放大電路連接，第二偏置電路與功率放大電路連接。其中，如圖7所示，偏置電路1020包括：第二mos管t2、第三mos管t3、第六mos管t6、電流源ib、電壓源vg、第六電阻r6、第七電阻r7、第八電阻r8、第九電阻r9、第二電容c2、第七電容c7、第十二電容c12、第十三電容c13。第二mos管的漏極電流偏置電路由電流源、第六mos管、第六電阻、第七電阻和第十二電容按照圖7所示連接而成。第六電阻、第七電阻和第十二電容組成的t型網(wǎng)絡(luò)，可以起到隔離輸入信號的作用。第二mos管的寬長比w/l是第六mos管的寬長比的c(c遠(yuǎn)大于1)倍，...

射頻前端集成電路領(lǐng)域，具體涉及一種高線性射頻功率放大器。背景技術(shù)：射頻功率放大器的主要參數(shù)是線性和效率。線性是表示射頻功率放大器能否真實地放大信號的參數(shù)。諸如lte和，要求射頻前端模塊具有極高的線性度，射頻功率放大器作為一個發(fā)射系統(tǒng)中的重要組成部分，對整個系統(tǒng)的線性度起著至關(guān)重要的作用。目前采用cmos器件的射頻功率放大器適用于和其他通信部分電路做片上集成，但是難以嚴(yán)格地滿足線性度需求。技術(shù)實現(xiàn)要素：為了解決相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器的線性度難以滿足需求的問題，本申請?zhí)峁┝艘环N高線性射頻功率放大器。技術(shù)方案如下：一方面，本申請實施例提供了一種高線性射頻功率放大器，包括功率放大器、激勵放大...

輸出則是方波信號，產(chǎn)生的諧波較大，屬于非線性功率放大器，適合放大恒定包絡(luò)的信號，輸入信號通常是脈沖串類的信號。C類放大器的優(yōu)點與A類放大器相比，功率效率提高。與A類放大器相比，可以低價獲得射頻功率。風(fēng)冷即可，他們使用的冷卻器比A類更輕。C類放大器的缺點脈沖射頻信號放大。窄帶放大器。通過以上介紹可以看出，作為射頻微波功率放大器采用的半導(dǎo)體材料，有許多種類，每種都有其各自的特點和適用的功率和頻率范圍，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，使得更高頻率和更高功率的功放的實現(xiàn)成為可能并且越來越容易實現(xiàn)。作為EMC領(lǐng)域的常用的射頻微波功率放大器的幾個類別，每種也都有其各自的優(yōu)缺點和適用的場合。在實際的EMC...

gr為基站的接收機天線增益，單位為分貝；rs為接收機靈敏度，是在可接受的信噪比(signaltonoiseratio，snr)情況下，系統(tǒng)能探測到的小的射頻信號。rs的計算可以參見公式(3)：rs＝-174dbm/hz+nf+10logb+snrmin(3)；其中，-174dbm/hz為熱噪聲底限；nf為全部接收機噪聲，單位為分貝；b為接收機整體帶寬，snrmin則為小信噪比。一般來說，射頻功率放大器電路存在高功率模式(非負(fù)增益)，率模式(非負(fù)增益)和低功率模式(負(fù)增益)這三種模式。由于射頻收發(fā)器的線性功率輸出范圍為-35dbm～0dbm，因此，若超出這一范圍，信號將產(chǎn)生非線性。當(dāng)射頻...

下面將對具體實施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施方式，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本申請一實施例提供的高線性射頻功率放大器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本申請一實施例提供的高線性射頻功率放大器中自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的電路原理圖；圖3是本申請一實施例提供的高線性射頻功率放大器的電路原理圖；圖4是本申請實施例提供的自適應(yīng)動態(tài)偏置電路提供的偏置電壓與輸出功率的曲線示意圖；圖5是現(xiàn)有的射頻高功率放大器與本申請實施例提供的高線性射頻放大器的imd3曲線圖。具體實施方式下面將結(jié)合...

vgs是指柵源電壓，vth是指閾值電壓。開關(guān)關(guān)斷的寄生電容：coff＝fom/ron。其中fom為半導(dǎo)體工藝商提供的開關(guān)ron與coff乘積，單位為fs(飛秒)。另，w/l較大，發(fā)生esd時有利于能提供直接的低阻抗電流泄放通道。用兩個sw疊加，相對單sw，能在esd大電流下保護(hù)sw的mos管不被損壞。當(dāng)可控衰減電路的sw使用了疊管設(shè)計，兩個開關(guān)sw1和sw2的控制邏輯是一樣的：(1)非負(fù)增益模式下，sw1和sw2同時關(guān)斷；(2)負(fù)增益模式下，sw1和sw2同時打開。本申請實施例中的sw1和sw2在應(yīng)用中可以采用絕緣體上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，也可以...

射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值相同，則表示射頻功率放大器配置完成。相應(yīng)的，本發(fā)明實施例還提供一種移動終端，如圖4所示，該移動終端可以包括射頻(rf，radiofrequency)電路401、包括有一個或一個以上計算機可讀存儲介質(zhì)的存儲器402、輸入單元403、顯示單元404、傳感器405、音頻電路406、無線保真(wifi，wirelessfidelity)模塊407、包括有一個或者一個以上處理的處理器408、以及電源409等部件。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，圖4中示出的移動終端結(jié)構(gòu)并不構(gòu)成對移動終端的限定，可以包括比圖示更多或更少的部件，或者組合某些部件，或者不同的部件...

通過可控衰減電路中的電阻吸收和衰減射頻功率，使得進(jìn)入后續(xù)電路的射頻功率減小，輸入信號衰減，從而實現(xiàn)負(fù)增益。在一個可能的示例中，可控衰減電路包括電阻r1、第二電阻r2、電感l(wèi)1和開關(guān)t1，開關(guān)的柵級與電阻的端連接，電阻的第二端連接電壓信號，開關(guān)的漏級與第二電阻的端連接，開關(guān)的源級接地，電感的端連接輸入信號，電感的第二端連接第二電阻的第二端；其中，開關(guān)，用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的控制信號使自身處于關(guān)斷狀態(tài)，以使可控衰減電路處于無衰減狀態(tài)，實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式；還用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第二控制信號使自身處于導(dǎo)通狀態(tài)，以使可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益...

比如r53＝5kω、r51＝1kω、r52＝100ω。具體的反饋電路中，每組的電阻兩旁各用一個電容，原因是開關(guān)兩端在具體電路中需要為零的dc電壓偏置，故用電容先做隔直處理。反饋電路的反饋深度越大，驅(qū)動放大電路增益越低，所用的切換電阻需要越小。這里，反饋電路的切換邏輯如下：高增益模式：開關(guān)k51和k52均關(guān)斷；低增益模式：開關(guān)k51接通，k52關(guān)斷；負(fù)增益模式：開關(guān)k51和k52均接通。假設(shè)射頻功率放大器電路在未加入反饋電路時的放大系數(shù)為a，反饋電路的反饋系數(shù)為f，則加入反饋電路后射頻功率放大器電路的放大系數(shù)af＝a/(1+af)，隨著反饋電路中等效電阻阻值的降低，反饋系數(shù)f變大，反饋深...

并對漏級供電電壓vcc進(jìn)行控制，從而使偏置電路中漏級電流、柵級電壓變大，使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：在信號的輸入端設(shè)計可變衰減電路，在實現(xiàn)射頻功率放大器電路負(fù)增益的同時，對非負(fù)增益模式下該電路性能的影響很小，并且加強了對輸入端口的靜電保護(hù)，電路結(jié)構(gòu)簡單，占用芯片面積小，能有效的降低硬件成本。本發(fā)明實施例還提供了一種增益控制方法，應(yīng)用于上述實施例中的的射頻功率放大器電路，包括：終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后，確定射頻功率放大器電路的工作模式，并通過發(fā)送模式控制信號控制射頻功率放大器電路進(jìn)入工作模式；可控衰減電路，根據(jù)終端中...

目前微波射頻領(lǐng)域雖然備受關(guān)注，但是由于技術(shù)水平較高，壁壘過大，因此這個領(lǐng)域的公司相比較電力電子領(lǐng)域和光電子領(lǐng)域并不算很多，但多數(shù)都具有較強的科研實力和市場運作能力。GaN微波射頻器件的商業(yè)化供應(yīng)發(fā)展迅速。據(jù)材料深一度對Mouser數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析顯示，截至2018年4月，共有4家廠商推出了150個品類的GaNHEMT，占整個射頻晶體管供應(yīng)品類的，較1月增長了。Qorvo產(chǎn)品工作頻率范圍大，Skyworks產(chǎn)品工作頻率較小。Qorvo、CREE、MACOM73%的產(chǎn)品輸出功率集中在10W～100W之間，大功率達(dá)到1500W（工作頻率在，由Qorvo生產(chǎn)），采用的技術(shù)主要是GaN/SiCGaN路線。此...

并對漏級供電電壓vcc進(jìn)行控制，從而使偏置電路中漏級電流、柵級電壓變大，使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：在信號的輸入端設(shè)計可變衰減電路，在實現(xiàn)射頻功率放大器電路負(fù)增益的同時，對非負(fù)增益模式下該電路性能的影響很小，并且加強了對輸入端口的靜電保護(hù)，電路結(jié)構(gòu)簡單，占用芯片面積小，能有效的降低硬件成本。本發(fā)明實施例還提供了一種增益控制方法，應(yīng)用于上述實施例中的的射頻功率放大器電路，包括：終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后，確定射頻功率放大器電路的工作模式，并通過發(fā)送模式控制信號控制射頻功率放大器電路進(jìn)入工作模式；可控衰減電路，根據(jù)終端中...

微處理器通過控制vgg＝，使得開關(guān)導(dǎo)通，可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，此時，一部分射頻傳導(dǎo)功率進(jìn)入可控衰減電路變成熱能消耗掉，另一部分射頻傳導(dǎo)功率進(jìn)入可控衰減電路之后的電路，輸入信號衰減，射頻功率放大器電路實現(xiàn)非負(fù)增益模式。當(dāng)開關(guān)關(guān)斷時，電感用于匹配寄生電容，以減少對后級電路的影響，開關(guān)可等效為寄生電容coff，不需要考慮電阻，可控衰減電路等效為圖8(a)；當(dāng)開關(guān)導(dǎo)通時，開關(guān)等效為寄生電阻ron，也不需要考慮電阻，可控衰減電路等效為圖8(b)，因為第二電阻和寄生電阻ron都很小，因此流入可控衰減電路的電流較大，該電路路消耗的功率較多，對輸入信號的衰減作用也較強。其中，為了實現(xiàn)大程度的衰減，...

用于放大所述級間匹配電路輸出的信號；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例中，通過射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅(qū)動放大電路、功率放大電路等電路對輸入信號進(jìn)行處理，實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增益模式與非負(fù)增益模式之間的切換，電路結(jié)構(gòu)簡單，能有效的降低硬件成本。附圖說明圖1a為本發(fā)明實施例提供的相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖；圖1b為本發(fā)明實施例提供的相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2a為本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖；圖2b為本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意...

第四mos管的漏級與第五mos管的源級連接，第四mos管的源級接地，第五mos管的柵級連接第九電容的端，第九電容的第二端接地。其中，第四mos管t4和第五mos管t5的器件尺寸一樣，第二mos管t2與第四mos管t4的器件尺寸之比為2:5。在一個可能的示例中，輸出匹配電路106包括：第四電感l(wèi)4、第五電感l(wèi)5、第十電容c10和第十一電容c11，其中：第四電感的端和第五電感的端連接第五mos管的漏級，第四電感的第二端連接第二電壓信號，第十電容的端連接第二電壓信號，第十電容的第二端接地，第五電感的第二端連接第十一電容的端，第十一電容的第二端接地，第十一電容兩端的電壓為輸出電壓。在一個可能的...

其次是低端智能手機（35%）和奢華智能手機（13%）。25G基站，PA數(shù)倍增長，GaN大有可為5G基站，射頻PA需求大幅增長5G基站PA數(shù)量有望增長16倍。4G基站采用4T4R方案，按照三個扇區(qū)，對應(yīng)的PA需求量為12個，5G基站，預(yù)計64T64R將成為主流方案，對應(yīng)的PA需求量高達(dá)192個，PA數(shù)量將大幅增長。5G基站射頻PA有望量價齊升。目前基站用功率放大器主要為基于硅的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體LDMOS技術(shù)，不過LDMOS技術(shù)適用于低頻段，在高頻應(yīng)用領(lǐng)域存在局限性。對于5G基站PA的一些要求可能包括3~6GHz和24GHz~40GHz的運行頻率，RF功率在，預(yù)計5G基站GaN射頻PA將逐...

第二端接地?？蛇x的，所述子濾波電路包括：電容；所述電容的端與所述功率合成變壓器的輸入端以及所述功率放大單元的輸出端耦接，第二端接地。可選的，所述子濾波電路還包括：電感；所述電感串聯(lián)在所述電容的第二端與地之間。可選的，所述第二子濾波電路包括：第二電容；所述第二電容的端與所述功率合成變壓器的第二輸入端以及所述功率放大單元的第二輸出端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述第二子濾波電路還包括：第二電感；所述第二電感串聯(lián)在所述第二電容的第二端與地之間?？蛇x的，所述輸入端匹配濾波電路還包括：寄生電容；所述寄生電容耦接在所述功率放大單元的輸出端與所述功率放大單元的第二輸出端之間。可選的，所述輸出端匹配濾波...

射頻功率放大器電路，用于根據(jù)微控制器的控制，對射頻收發(fā)器的輸出信號進(jìn)行放大或衰減；天線，用于發(fā)射射頻功率放大器電路的輸出信號。由于終端(如水電表)分布范圍廣，每個終端距離基站的距離各不相同，距離基站遠(yuǎn)的終端，其信道衰減量大，因此需要射頻功率放大器電路的輸出功率大；而距離基站近的終端，其信道衰減量小，因此需要射頻功率放大器電路的輸出功率小。微控制器通過控制射頻功率放大器電路的輸入功率和增益，從而控制其輸出功率，使其輸出功率滿足要求。例如，基站使用預(yù)先確定的通信資源發(fā)送同步信號(synchronizationchannel，sch)和廣播信號(broadcastchannel，bch)。然...

圖1：某型號60WGaAsFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)這款晶體管放大器可以提供EMC領(lǐng)域的基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-3和IEC61000-4-6所強調(diào)的很好的線性度，如圖2所示。圖2：某晶體管的輸入輸出線性度這個晶體管可以在工作頻率范圍內(nèi)提供所需的功率，它的輸出功率與頻率的關(guān)系如圖3所示。圖3：某晶體管的輸出功率與頻率的關(guān)系3.射頻微波功率晶體管采用的半導(dǎo)體材料的類型在用于EMC領(lǐng)域的功率放大器中會用到不同種類的晶體管，下面對典型的晶體管及其工作特性進(jìn)行簡單介紹，由于不同種類的半導(dǎo)體材料具有不同的特性，功率放大器的設(shè)計者需要根據(jù)實際需求進(jìn)行選擇和設(shè)計。在射頻微波功率放大器中采用的半導(dǎo)體材料主要...

氮化鎵集更高功率、更高效率和更寬帶寬的特性于一身，能夠?qū)崿F(xiàn)比GaAsMESFET器件高10倍的功率密度，擊穿電壓達(dá)300伏，可工作在更高的工作電壓，簡化了設(shè)計寬帶高功率放大器的難度。目前氮化鎵（GaN）HEMT器件的成本是LDMOS的5倍左右，已經(jīng)開始普遍應(yīng)用在EMC領(lǐng)域的80MHz到6GHz的功率放大器中。4.射頻微波功率放大器的分類放大器有不同種的分類方法，習(xí)慣上基于放大器件在一個完整的信號擺動周期中工作的時間量，也就是導(dǎo)電角的不同進(jìn)行分類，通過對放大器件配置不同的偏置條件，就可以使放大器工作在不同的狀態(tài)。在EMC領(lǐng)域，固態(tài)放大器中常用到的偏置方法是A類，AB類和C類。A類放大器A...

比如r53＝5kω、r51＝1kω、r52＝100ω。具體的反饋電路中，每組的電阻兩旁各用一個電容，原因是開關(guān)兩端在具體電路中需要為零的dc電壓偏置，故用電容先做隔直處理。反饋電路的反饋深度越大，驅(qū)動放大電路增益越低，所用的切換電阻需要越小。這里，反饋電路的切換邏輯如下：高增益模式：開關(guān)k51和k52均關(guān)斷；低增益模式：開關(guān)k51接通，k52關(guān)斷；負(fù)增益模式：開關(guān)k51和k52均接通。假設(shè)射頻功率放大器電路在未加入反饋電路時的放大系數(shù)為a，反饋電路的反饋系數(shù)為f，則加入反饋電路后射頻功率放大器電路的放大系數(shù)af＝a/(1+af)，隨著反饋電路中等效電阻阻值的降低，反饋系數(shù)f變大，反饋深...

氮化鎵集更高功率、更高效率和更寬帶寬的特性于一身，能夠?qū)崿F(xiàn)比GaAsMESFET器件高10倍的功率密度，擊穿電壓達(dá)300伏，可工作在更高的工作電壓，簡化了設(shè)計寬帶高功率放大器的難度。目前氮化鎵（GaN）HEMT器件的成本是LDMOS的5倍左右，已經(jīng)開始普遍應(yīng)用在EMC領(lǐng)域的80MHz到6GHz的功率放大器中。4.射頻微波功率放大器的分類放大器有不同種的分類方法，習(xí)慣上基于放大器件在一個完整的信號擺動周期中工作的時間量，也就是導(dǎo)電角的不同進(jìn)行分類，通過對放大器件配置不同的偏置條件，就可以使放大器工作在不同的狀態(tài)。在EMC領(lǐng)域，固態(tài)放大器中常用到的偏置方法是A類，AB類和C類。A類放大器A...

使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。若需要使射頻功率放大器電路為負(fù)增益模式，需要微控制器控制開關(guān)導(dǎo)通，控制第二開關(guān)導(dǎo)通，控制偏置電路使第二mos管的漏級電流、第三mos管的柵級電壓以及漏級供電電壓vcc均變小，控制第二偏置電路使第四mos管的漏級電流、第五mos管的柵級電壓以及漏級供電電壓vcc均變小。其中，第二開關(guān)導(dǎo)通時，反饋電路的放大系數(shù)af較小，對輸入信號的放大作用不明顯，偏置電路和第二偏置電路中漏極電流和門極電壓較小，對輸入信號的放大作用也不明顯，可以認(rèn)為未對輸入信號進(jìn)行放大，即增益為0db，此時，若再控制開關(guān)導(dǎo)通，則可控衰減電路工作，對輸入信號進(jìn)行衰減，通過這樣的控制，可...

實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式；其中，偏置電路與驅(qū)動放大電路連接，第二偏置電路與功率放大電路連接。其中，如圖7所示，偏置電路1020包括：第二mos管t2、第三mos管t3、第六mos管t6、電流源ib、電壓源vg、第六電阻r6、第七電阻r7、第八電阻r8、第九電阻r9、第二電容c2、第七電容c7、第十二電容c12、第十三電容c13。第二mos管的漏極電流偏置電路由電流源、第六mos管、第六電阻、第七電阻和第十二電容按照圖7所示連接而成。第六電阻、第七電阻和第十二電容組成的t型網(wǎng)絡(luò)，可以起到隔離輸入信號的作用。第二mos管的寬長比w/l是第六mos管的寬長比的c(c遠(yuǎn)大于1)倍，...

處理器308即處理器，用于控制所述射頻功率放大器的開啟和關(guān)閉。輸入單元403可用于接收輸入的數(shù)字或字符信息，以及產(chǎn)生與用戶設(shè)置以及功能控制有關(guān)的鍵盤、鼠標(biāo)、操作桿、光學(xué)或者軌跡球信號輸入。具體地，在一個具體的實施例中，輸入單元403可包括觸敏表面以及其他輸入設(shè)備。觸敏表面，也稱為觸摸顯示屏或者觸控板，可收集用戶在其上或附近的觸摸操作(比如用戶使用手指、觸筆等任何適合的物體或附件在觸敏表面上或在觸敏表面附近的操作)，并根據(jù)預(yù)先設(shè)定的程式驅(qū)動相應(yīng)的連接裝置?？蛇x的，觸敏表面可包括觸摸檢測裝置和觸摸控制器兩個部分。其中，觸摸檢測裝置檢測用戶的觸摸方位，并檢測觸摸操作帶來的信號，將信號傳送給觸...

nmos管mn11的漏極連接電容c11，nmos管mn12的漏極連接電容c12。nmos管mn11的漏極和nmos管mn12的漏極為第二主體電路中激勵放大器的輸出端。變壓器副邊的中端和第二變壓器副邊的中端分別通過電阻連接偏置電壓，偏置電壓用于為激勵放大器中的共源放大器提供偏置電壓；激勵放大器柵放大器的柵極通過電阻接第二偏置電壓。如圖3所示，變壓器t0副邊的中端通過電阻r01接偏置電壓vbcs_da，第二變壓器t03副邊的中端通過電阻r06接偏置電壓vbcs_da，偏置電壓vbcs_da用于為nmos管mn01、nmos管nm02、nmos管mn09、nmos管mn10提供偏置電壓。nm...

驅(qū)動放大電路和功率放大電路的電路結(jié)構(gòu)一樣，但二者對應(yīng)的各個器件的尺寸差異很大。相比較而言，功率放大電路更加注重輸出放大信號的效率，驅(qū)動放大電路更加注重放大信號的增益控制。射頻功率放大器電路的高、中、低功率模式下，電路結(jié)構(gòu)和dc偏置都需要進(jìn)行切換，即，通過改變反饋電路中的開關(guān)、電壓偏置電路中的柵極電壓、電流偏置電路中的漏極電流、供電電壓vcc，以及使能可控衰減電路，協(xié)作實現(xiàn)以上功率模式，以及實現(xiàn)非負(fù)增益模式和負(fù)增益模式。圖2b是本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2b所示，應(yīng)用于終端，包括：依次連接的可控衰減電路107、輸入匹配電路101、驅(qū)動放大電路102、級間匹...

第三變壓器t02、第四變壓器t04和電容c16構(gòu)成一個匹配網(wǎng)絡(luò)。第三變壓器t02的原邊連接有電容c07，第四變壓器t04的原邊連接有電容c14。第三變壓器t02的副邊連接射頻輸出端rfout，第四變壓器t04的副邊接地。每個主體電路中的激勵放大器包括2個共源共柵放大器。如圖3所示，主體電路的激勵放大器中，nmos管mn01和nmos管mn03構(gòu)成一個共源共柵放大器，nmos管mn02和nmos管mn04構(gòu)成一個共源共柵放大器；第二主體電路的激勵放大器中，nmos管mn09和nmos管mn11構(gòu)成一個共源共柵放大器，nmos管mn10和nmos管mn12構(gòu)成一個共源共柵放大器。在主體電路...