則該阻抗與rfin端的輸入阻抗zin共軛匹配，zin＝r0-jx0；加入可控衰減電路后，在輸入匹配電路101之前并聯(lián)接地的r2和sw1所在的支路中，為保證有效的功率衰減，r2一般控制得較小，故對(duì)r0影響可以忽略。sw1關(guān)斷時(shí)，r2和sw1所在的支路可以等效成寄生電抗xc，此時(shí)，可控衰減電路和輸入匹配電路的等效阻抗zeq＝(r0+jx0)//jxc+jxl，其中，“//”表示并聯(lián)，zeq的實(shí)部小于r0，為了使等效阻抗與輸入阻抗盡可能的匹配，減少影響，需要zeq的虛部im(zeq)＝x0，在r0、x0和xc的數(shù)值已知的情況下，根據(jù)等效阻抗zeq的表達(dá)式可以計(jì)算出xl，進(jìn)而得到電感l(wèi)1的電感值，其中，由于電感l(wèi)1被集成在硅基芯片上，所以電感l(wèi)的品質(zhì)因數(shù)q值一般不大于5。為了進(jìn)一步提高電路實(shí)用性，并提高射頻耐壓和靜電保護(hù)能力，本申請(qǐng)實(shí)施例的進(jìn)一步形式是將并聯(lián)支路的r換成sw2(如圖4所示)，通過控制sw1和sw2的柵極的寬長(zhǎng)比控制導(dǎo)通的寄生電阻和關(guān)斷的寄生電容以及esd能力。換句話說，在做設(shè)計(jì)時(shí)控制sw1和sw2的柵極的寬長(zhǎng)比w/l，可以獲得期望的ron，其中：開關(guān)導(dǎo)通的電阻：ron＝1/(μ*cox*(w/l)*(vgs-vth))，其中，*表示乘號(hào)，μ是指電子遷移率，cox是指單位面積的柵氧化層電容，w/l是指cmos器件有效溝道長(zhǎng)度的寬長(zhǎng)比。發(fā)射機(jī)的前級(jí)電路中調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號(hào)功率很小，必須必采用高增益大功率射頻功率放大器。安徽寬帶射頻功率放大器設(shè)計(jì)
包括：第五一電容c51、第五二電容c52、第五三電容c53、第五四電容c54、第五一電阻r51、第五二電阻r52、第五三電阻r53、第五一開關(guān)k51和第五二開關(guān)k52，第五一電容c51、第五一電阻r51、第五一開關(guān)k51和第五二電容順次連接構(gòu)成支路，第五三電容c53、第五二電阻r52、第五三電阻r53、第五二開關(guān)k52和第五四電容c54構(gòu)成第二支路，支路與第二支路并聯(lián)，其中，第五三電容c53的兩端分別連接第五一電容c51和第五二電阻r52的一端，第五二開關(guān)k52的兩端分別連接第五二電阻r52的另一端和第五四電容c54的一端，第五三電阻r53的兩端分別連接第五二電阻r52的一端和第五四電容c54的一端，第五四電容c54的另一端連接第五二電容c52。其中，第五一電容、第五二電容、第五三電容和第五四電容的電容取值范圍均為1pf～2pf。因?yàn)樵陔娐分?，開關(guān)兩端需要為零的直流電壓偏置，所以在第五二電阻和第五三電阻兩旁各用一個(gè)電容來進(jìn)行隔直處理。反饋電路中等效電阻越小，反饋深度越大，射頻功率放大器電路的增益越低，因此設(shè)置第五三電阻的阻值大于第五一電阻的電阻，第五一電阻的電阻大于第五二電阻的電阻。微控制器控制第五一開關(guān)和第五二開關(guān)均關(guān)斷，此時(shí)反饋電路的等效電阻大，可實(shí)現(xiàn)高增益。重慶射頻功率放大器研究交調(diào)失真有不同頻率的兩個(gè)或更多的輸入信號(hào)經(jīng)過功率放大器而產(chǎn)生的 混合分量由于功率放大器的非線性造成的。
vgs是指柵源電壓，vth是指閾值電壓。開關(guān)關(guān)斷的寄生電容：coff＝fom/ron。其中fom為半導(dǎo)體工藝商提供的開關(guān)ron與coff乘積，單位為fs(飛秒)。另，w/l較大，發(fā)生esd時(shí)有利于能提供直接的低阻抗電流泄放通道。用兩個(gè)sw疊加，相對(duì)單sw，能在esd大電流下保護(hù)sw的mos管不被損壞。當(dāng)可控衰減電路的sw使用了疊管設(shè)計(jì)，兩個(gè)開關(guān)sw1和sw2的控制邏輯是一樣的：(1)非負(fù)增益模式下，sw1和sw2同時(shí)關(guān)斷；(2)負(fù)增益模式下，sw1和sw2同時(shí)打開。本申請(qǐng)實(shí)施例中的sw1和sw2在應(yīng)用中可以采用絕緣體上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，也可以是bulkcmos管(平面結(jié)構(gòu)mos管)。下面提供一種采用可控衰減電路和輸入匹配電路的結(jié)構(gòu)，如圖5a所示，圖5a中l(wèi)2、c1和r2構(gòu)成驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路之前的輸入匹配電路，可以將輸入端口的阻抗匹配到適合射頻功率放大器電路的輸入阻抗位置，這是由于驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路需要某種特定阻抗范圍，輸出功率才能實(shí)現(xiàn)所需的效率，增益等性能?？煽厮p電路的并聯(lián)到地支路的sw1和r1，在它們之前的電感l(wèi)1用于對(duì)并聯(lián)到地支路的寄生電容的匹配補(bǔ)償。在高增益模式下，這種射頻功率放大器電路輸入的匹配結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔，輸入端口匹配良好，因此輸入端的回波損耗好。
是為了便于描述本申請(qǐng)和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。在本申請(qǐng)的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電氣連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，還可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通，可以是無線連接，也可以是有線連接。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本申請(qǐng)中的具體含義。此外，下面所描述的本申請(qǐng)不同實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成就可以相互結(jié)合。請(qǐng)參考圖1，其示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種高線性射頻功率放大器的結(jié)構(gòu)示意圖。該高線性射頻功率放大器包括功率放大器、激勵(lì)放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)和自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路。自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路用于根據(jù)輸入功率等級(jí)調(diào)節(jié)功率放大器的輸出柵極偏置電壓。功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)和激勵(lì)放大器連接射頻輸入端rfin。隨著無線通信/雷達(dá)通信系統(tǒng)的發(fā)展對(duì)固態(tài)功率放大器提出了新 的要求：大功率輸出、高效率、高線性度、高頻率.
圖3中的自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的電路結(jié)構(gòu)如圖2所示。射頻輸入端rfin和射頻輸出端rfout之間設(shè)置有兩個(gè)主體電路，每個(gè)主體電路包括激勵(lì)放大器和功率放大器，激勵(lì)放大器和功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)連接。主體電路中的c04和c05構(gòu)成激勵(lì)放大器和功率放大器之間的匹配網(wǎng)絡(luò)；第二主體電路中的c11和c12構(gòu)成激勵(lì)放大器和功率放大器之間的匹配網(wǎng)絡(luò)。主體電路中的激勵(lì)放大器與變壓器t01的副邊連接，第二主體電路中的激勵(lì)放大器與第二變壓器t03的副邊連接。變壓器t01的原邊和第二變壓器t03的原邊連接，變壓器t01的原邊與第二變壓器t02的原邊之間還連接有電容c01。變壓器t01、第二變壓器t02和電容c01構(gòu)成一個(gè)匹配網(wǎng)絡(luò)。變壓器t01的副邊連接有電容c02，第二變壓器t03的副邊連接有電容c09。變壓器t01的原邊連接射頻輸入端rfin，第二變壓器t03的原邊接地。變壓器t01原邊與第二變壓器t03原邊的公共端連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸入端rfin_h。主體電路中的功率放大器與第三變壓器t02的原邊連接，第二主體電路中的功率放大器與第四變壓器t04的原邊連接。第三變壓器t02的副邊與第四變壓器t04的副邊連接，第三變壓器t02副邊和第四變壓器t04副邊之間還連接有電容c16。對(duì)于AM．AM失真，它與晶體管是否工作于飽和區(qū)密切相關(guān)。為減小 AM—AM失真，應(yīng)降低工作點(diǎn)，常稱為增益回退。海南使用射頻功率放大器供應(yīng)商
AB類功率放大器在一個(gè)周期的50％和loo％的某段時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通這 取決所選擇的偏置大小效率和線性度介于A和B類。安徽寬帶射頻功率放大器設(shè)計(jì)
nmos管mn14和nmos管mn16構(gòu)成一個(gè)共源共柵放大器。在每個(gè)主體電路率放大器源放大器的柵極連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸出端，功率放大器柵放大器的柵極連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的第二輸出端。如圖3所示，nmos管mn05的柵極通過電阻r03連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa，nmos管mn06的柵極通過電阻r04連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa；nmos管mn13的柵極通過電阻r08連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa，nmos管mn14的柵極通過電阻r09連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa。如圖3所示，nmos管mn07的柵極通過電阻r05連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的第二輸出端vbcg_pa，nmos管mn08的柵極通過電阻r05連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的第二輸出端vbcg_pa；nmos管mn15的柵極通過電阻r10連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的第二輸出端vbcg_pa，nmos管mn16的柵極通過電阻r10連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的第二輸出端vbcg_pa。在主體電路率放大器源放大器的柵極與激勵(lì)放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第三變壓器的原邊。如圖3所示，nmos管mn05的柵極、nmos管mn06的柵極為功率放大器的輸入端，nmos管mn05的柵極、nmos管mn06的柵極與激勵(lì)放大器的輸出端連接。安徽寬帶射頻功率放大器設(shè)計(jì)
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