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本發(fā)明下述示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來實(shí)施,并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是,提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整,并且將這些示例性具體實(shí)施例的技術(shù)方案充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。如圖1所示,本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法主要實(shí)施例,用于半導(dǎo)體制造工藝中,可應(yīng)用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟,主要包括以下步驟:s1,在半導(dǎo)體襯底上淀積介質(zhì)層;s2,旋涂光刻膠并曝光顯影,形成光刻圖形阻擋層;s3,執(zhí)行離子注入:s4,采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕,對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離;s5,對(duì)襯底表面進(jìn)行清洗。本發(fā)明刻膠剝離去除方法主要實(shí)施例采用能與主要光刻膠層和第二光刻膠層反應(yīng)生成含氨揮發(fā)性化合物氣體,與主要光刻膠層和第二光刻膠層反應(yīng)速率相等的等離子體氮?dú)浠旌蠚怏w能更高效的剝離去除光刻膠,有效降低光刻膠殘留。進(jìn)而避免由于光刻膠殘留造成對(duì)后續(xù)工藝的影響,提高產(chǎn)品良率。參考圖11和圖12所示,在生產(chǎn)線上采用本發(fā)明的光刻膠剝離去除方法后,監(jiān)控晶圓產(chǎn)品缺陷由585顆降低到32顆,證明本發(fā)明光刻膠剝離去除方法的的改善的產(chǎn)品缺陷,促進(jìn)了產(chǎn)品良率的提升。友達(dá)光電用的哪家的剝離液?南京中芯國際用剝離液主要作用
單片清洗工藝避免了不同硅片之間相互污染,降低了產(chǎn)品缺陷,提高了產(chǎn)品良率??蛇x擇的,清洗液采用氧化硫磺混合物溶液和過氧化氨混合物溶液??蛇x的,進(jìn)一步改進(jìn),清洗液采用h2so4:h2o2配比范圍為6:1~4:1且溫度范圍為110℃~140℃的過氧化硫磺混合物溶液;以及,nh4oh:h2o2:h2o配比為1:℃~70℃的過氧化氨混合物溶液。本發(fā)明采用等離子體氮?dú)浠旌蠚怏w能與主要光刻膠層和第二光刻膠層反應(yīng)生成含氨揮發(fā)性化合物氣體,且與主要光刻膠層和第二光刻膠層反應(yīng)速率相等能更高效的剝離去除光刻膠,能有效減少光刻膠殘留。進(jìn)而避免由于光刻膠殘留造成對(duì)后續(xù)工藝的影響,提高產(chǎn)品良率。附圖說明本發(fā)明附圖旨在示出根據(jù)本發(fā)明的特定示例性實(shí)施例中所使用的方法、結(jié)構(gòu)和/或材料的一般特性,對(duì)說明書中的描述進(jìn)行補(bǔ)充。然而,本發(fā)明附圖是未按比例繪制的示意圖,因而可能未能夠準(zhǔn)確反映任何所給出的實(shí)施例的精確結(jié)構(gòu)或性能特點(diǎn),本發(fā)明附圖不應(yīng)當(dāng)被解釋為限定或限制由根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例所涵蓋的數(shù)值或?qū)傩缘姆秶?。下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:圖1是本發(fā)明的流程示意圖。圖2是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖一,其顯示襯底上形成介質(zhì)層并旋圖光刻膠。南京銅蝕刻液剝離液私人定做剝離液的價(jià)格哪家比較優(yōu)惠?
技術(shù)領(lǐng)域:本發(fā)明涉及一種選擇性剝離光刻膠制備微納結(jié)構(gòu)的方法,可用于微納制造,光學(xué)領(lǐng)域,電學(xué),生物領(lǐng)域,mems領(lǐng)域,nems領(lǐng)域。技術(shù)背景:微納制造技術(shù)是衡量一個(gè)國家制造水平的重要標(biāo)志,對(duì)提高人們的生活水平,促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展與經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng),保障**安全等方法發(fā)揮著重要作用,微納制造技術(shù)是微傳感器、微執(zhí)行器、微結(jié)構(gòu)和功能微納系統(tǒng)制造的基本手段和重要基礎(chǔ)?;诎雽?dǎo)體制造工藝的光刻技術(shù)是**常用的手段之一。對(duì)于納米孔的加工,常用的手段是先利用曝光負(fù)性光刻膠并顯影后得到微納尺度的柱狀結(jié)構(gòu),再通過金屬的沉積和溶膠實(shí)現(xiàn)圖形反轉(zhuǎn)從而得到所需要的納米孔。然而傳統(tǒng)的方法由于光刻過程中的散焦及臨近效應(yīng)等會(huì)造成曝光后的微納結(jié)構(gòu)側(cè)壁呈現(xiàn)一定的角度(如正梯形截面),這會(huì)造成蒸發(fā)過程中的掛壁嚴(yán)重從而使lift-off困難。同時(shí)由于我們常用的高分辨的負(fù)膠如hsq,在去膠的過程中需要用到危險(xiǎn)的氫氟酸,而氫氟酸常常會(huì)腐蝕石英,氧化硅等襯底從而影響器件性能,特別的,對(duì)于跨尺度高精度納米結(jié)構(gòu)的制備在加工效率和加工能力方面面臨著很大的挑戰(zhàn)。
本發(fā)明涉及能夠從施加有抗蝕劑的基材剝離抗蝕劑的抗蝕劑的剝離液。背景技術(shù)::印刷布線板的制造、主要是半加成法中使用的干膜抗蝕劑等抗蝕劑的剝離液中,伴隨微細(xì)布線化而使用胺系的剝離液。然而,以往的胺系的抗蝕劑的剝離液有廢液處理性難、海外的法規(guī)制度的問題,而避免其使用。近年來,為了避免胺系的抗蝕劑的剝離液的問題點(diǎn),還報(bào)道了一種含有氫氧化鈉和溶纖劑的剝離液(專利文獻(xiàn)1),由于剝離時(shí)的抗蝕劑沒有微細(xì)地粉碎,因此存在近年的微細(xì)的布線間的抗蝕劑難以除去的問題點(diǎn)?,F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開2002-323776號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:發(fā)明要解決的問題因此,本發(fā)明的課題在于,提供容易除去微細(xì)的布線間的抗蝕劑的技術(shù)。用于解決問題的手段本發(fā)明人等為了解決上述課題而深入研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn),含有鉀鹽和溶纖劑的溶液與專利文獻(xiàn)1那樣的含有氫氧化鈉和溶纖劑的溶液相比,即使是非常微細(xì)的布線間的抗蝕劑也能細(xì)小地粉碎,從而完成本發(fā)明。即,本發(fā)明涉及一種抗蝕劑的剝離液,其特征在于,含有鉀鹽和溶纖劑。另外,本發(fā)明涉及一種抗蝕劑的除去方法,其特征在于,用上述抗蝕劑的剝離液處理施加有抗蝕劑的基材。剝離液,讓您的加工過程更加高效。
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種剝離液機(jī)臺(tái)及其工作方法。背景技術(shù):剝離(lift-off)工藝通常用于薄膜晶體管(thinfilmtransistor)制程中的光罩縮減,lift-off先形成光阻并圖案化,再在光阻上成膜,移除光阻的同時(shí),沉積在光阻上的膜層也被剝離,從而完成膜層的圖形化,通過該制程可以實(shí)現(xiàn)兩次光刻合并為一次以達(dá)到光罩縮減的目的?,F(xiàn)有技術(shù)中,由于光阻上沉積了薄膜(該薄膜材料可以為金屬,ito(氧化銦錫)等用于制備tft的膜層),在剝離光阻的同時(shí)薄膜碎屑被帶入剝離液(stripper)中,大量的薄膜碎屑將會(huì)導(dǎo)致剝離液機(jī)臺(tái)中的過濾器(filter)堵塞,從而導(dǎo)致機(jī)臺(tái)無法使用,并且需要停止所有剝離液機(jī)臺(tái)的工作,待將filter清理后再次啟動(dòng),降低了生產(chǎn)效率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種剝離液機(jī)臺(tái)及其工作方法,可以提高生產(chǎn)效率。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種剝離液機(jī)臺(tái),包括:依次順序排列的多級(jí)腔室、每一級(jí)所述腔室對(duì)應(yīng)連接一存儲(chǔ)箱;過濾器,所述過濾器的一端設(shè)置通過管道與當(dāng)前級(jí)腔室對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱連接,所述過濾器的另一端通過第二管道與下一級(jí)腔室連接;其中,至少在所述管道或所述第二管道上設(shè)置有閥門開關(guān)。在一些實(shí)施例中。剝離液公司的聯(lián)系方式。揚(yáng)州銅鈦蝕刻液剝離液費(fèi)用是多少
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所述過濾器包括多個(gè)并列排布的子過濾器,所述道包括多個(gè)子管道,每一所述子管道與一子過濾器連通,且所述多個(gè)子管道與當(dāng)前級(jí)腔室對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱連通。在一些實(shí)施例中,所述第二管道包括公共子管道及多個(gè)第二子管道,每一所述第二子管道與一子過濾器連通,每一所述第二子管道與所述公共子管道連通,所述公共子管道與所述下一級(jí)腔室連通。在一些實(shí)施例中,所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述子管道上。在一些實(shí)施例中,所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述第二子管道上。在一些實(shí)施例中,所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述子管道及每一所述第二子管道上。在一些實(shí)施例中,所述第二管道包括多個(gè)第三子管道,每一所述第三子管道與一子過濾器連通,且每一所述第三子管道與所述下一級(jí)腔室連通。在一些實(shí)施例中,所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述第三子管道上。本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種剝離液機(jī)臺(tái)的工作方法,包括:將多級(jí)腔室順序排列,按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級(jí)向剝離基板提供剝離液;將來自于當(dāng)前級(jí)腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲(chǔ)于當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的存儲(chǔ)箱中,所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑;使用當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的過濾器過濾來自當(dāng)前級(jí)腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級(jí)腔室。南京中芯國際用剝離液主要作用