該方法包括：步驟110、將多級(jí)腔室順序排列，按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級(jí)向剝離基板提供剝離液；步驟120、將來自于當(dāng)前級(jí)腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲(chǔ)于當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的存儲(chǔ)箱中，所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑；步驟130、使用當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的過濾器過濾來自當(dāng)前級(jí)腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級(jí)腔室；步驟140、若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關(guān)閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關(guān)；步驟150、取出被阻塞的所述過濾器。若過濾器包括多個(gè)并列排布的子過濾器，則可以關(guān)閉被阻塞的子過濾器的閥門，因此，步驟140還可以包括：若所述過濾器包括多個(gè)并列排布的子過濾器，則關(guān)...

按照玻璃基板傳送方向從當(dāng)前腔室101開始逐級(jí)由各腔室10向玻璃基板供給剝離液以進(jìn)行剝離制程。剝離液從當(dāng)前腔室101進(jìn)入相應(yīng)的存儲(chǔ)箱20，在剝離液的水平面超過預(yù)設(shè)高度后流入過濾器30，再經(jīng)過過濾器30的過濾將過濾后的剝離液傳送至下一級(jí)腔室102內(nèi)。其中，薄膜碎屑70一般為金屬碎屑或ito碎屑。其中，如圖2所示，圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)100的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。閥門開關(guān)60設(shè)置在管道40及第二管道50上。在過濾器30被阻塞時(shí)，關(guān)閉位于過濾器30兩側(cè)的管道40及第二管道50上的閥門開關(guān)60，可以保證當(dāng)前級(jí)腔室101對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱20內(nèi)剝離液不會(huì)流出，同時(shí)下一級(jí)腔室102內(nèi)的剝離液也不...

光刻作為IC制造的關(guān)鍵一環(huán)常常被人重視，但是光刻膠都是作為層被去掉的，如何快速、干凈的去除工藝后的光刻膠是一個(gè)經(jīng)常被疏忽的問題，但是很重要，直接影響了產(chǎn)品質(zhì)量。如何快速有效的去除光刻膠。筆者**近就碰到一些去膠的問題，比如正膠和負(fù)膠去除需要的工藝有差別。去膠工藝還和光刻膠受過什么樣的工藝處理有關(guān)，比如ICPRIE之后的光刻膠、還有濕法腐蝕后的光刻膠。市面上針對(duì)光刻膠去除的特殊配方的去膠液有很多種，但需要根據(jù)自身產(chǎn)品特性加以選擇。在做砷化鎵去除光阻的案例，砷化鎵是一種化合物半導(dǎo)體材料，分子式GaAs。立方晶系閃鋅礦結(jié)構(gòu)，即由As和Ga兩種原子各自組成面心立方晶格套構(gòu)而成的復(fù)式晶格，其...

形成帶有沉淀物的固液混合物，打開一級(jí)過濾罐進(jìn)料管路上的電磁閥18，固液混合物進(jìn)入一級(jí)過濾罐16的過濾筒中，先由一級(jí)過濾罐16的過濾筒過濾得到一級(jí)線性酚醛樹脂，濾液由提升泵6送往攪拌釜的循環(huán)料口7，往復(fù)3次數(shù)后，一級(jí)線性酚醛樹脂回收完成，關(guān)閉一級(jí)過濾罐進(jìn)料管路上的電磁閥18，利用提升泵6將一級(jí)過濾罐16中濾液抽取到攪拌釜10內(nèi)備用；2、向攪拌釜10中輸入酸性溶液，與前述濾液充分?jǐn)嚢杌旌显俅挝龀龀恋砦铮炊?jí)線性酚醛樹脂，利用ph計(jì)檢測(cè)溶液ph值，當(dāng)達(dá)到5-7范圍內(nèi)即可，打開二級(jí)過濾罐13進(jìn)料管路上的電磁閥17，帶有沉淀物的混合液進(jìn)入二級(jí)過濾罐13中，由其中的過濾筒過濾得到二級(jí)線性酚醛樹脂...

剝離液是一種通用濕電子化學(xué)品，主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質(zhì)，同時(shí)防止對(duì)襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽(yáng)能電池等生產(chǎn)濕法工藝制造的關(guān)鍵性電子化工材料，下游應(yīng)用領(lǐng)域，但整體應(yīng)用需求較低，因此市場(chǎng)規(guī)模偏小。剝離液應(yīng)用在太陽(yáng)能電池中，對(duì)于剝離液的潔凈度要求較低，需達(dá)到G1等級(jí)，下游客戶主要要天合、韓華、通威等；應(yīng)用到面板中，通常要達(dá)到G2、G3等級(jí)，且高世代線對(duì)于剝離液的要求要高于低世代線，下游客戶有京東方、中星光電；在半導(dǎo)體中的應(yīng)用可分等級(jí)，在8英寸及以下的晶圓制造中，對(duì)于剝離液的要求達(dá)到G3、G4水平，大硅片、12英寸晶元等產(chǎn)品要達(dá)到G5水平。...

本發(fā)明涉及化學(xué)制劑技術(shù)領(lǐng)域：，特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)以及立體封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和電子產(chǎn)品對(duì)多功能化和微型化的要求越來越高。在這種小型化趨勢(shì)的推動(dòng)下，要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術(shù)的封裝體積小，立體空間大，引線距離短，信號(hào)傳輸快，所以能夠更好地實(shí)現(xiàn)封裝的微型化。晶圓疊層是3d疊層封裝的一種形式。疊層晶圓在制造的過程中會(huì)對(duì)**外層的晶圓表面進(jìn)行顯影蝕刻，當(dāng)中會(huì)用到光刻膠剝離液。哪家剝離液質(zhì)量比較好一點(diǎn)？上海江化微的蝕刻液剝離液供應(yīng)能夠除去抗蝕劑。用本發(fā)明剝離液處理施加有抗蝕劑的基材的條件沒有特別限定，例如，可以舉出在設(shè)為10～...

閥門開關(guān)60設(shè)置在每一子管道301上。在一些實(shí)施例中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實(shí)施例中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一第二子管道502上。具體的，閥門開關(guān)60的設(shè)置位置可以設(shè)置在連接過濾器30的任意管道上，在此不做贅述。在一些實(shí)施例中，請(qǐng)參閱圖4，圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)100的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。第二管道50包括多個(gè)第三子管道503，每一所述第三子管道503與一子過濾器連通301，且每一所述第三子管道503與所述下一級(jí)腔室連通102。其中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一第三子管道503上。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)，包括：依次順序排列的多級(jí)腔室...

按照玻璃基板傳送方向從當(dāng)前腔室101開始逐級(jí)由各腔室10向玻璃基板供給剝離液以進(jìn)行剝離制程。剝離液從當(dāng)前腔室101進(jìn)入相應(yīng)的存儲(chǔ)箱20，在剝離液的水平面超過預(yù)設(shè)高度后流入過濾器30，再經(jīng)過過濾器30的過濾將過濾后的剝離液傳送至下一級(jí)腔室102內(nèi)。其中，薄膜碎屑70一般為金屬碎屑或ito碎屑。其中，如圖2所示，圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)100的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。閥門開關(guān)60設(shè)置在管道40及第二管道50上。在過濾器30被阻塞時(shí)，關(guān)閉位于過濾器30兩側(cè)的管道40及第二管道50上的閥門開關(guān)60，可以保證當(dāng)前級(jí)腔室101對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱20內(nèi)剝離液不會(huì)流出，同時(shí)下一級(jí)腔室102內(nèi)的剝離液也不...

技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種選擇性剝離光刻膠制備微納結(jié)構(gòu)的方法，可用于微納制造，光學(xué)領(lǐng)域，電學(xué)，生物領(lǐng)域，mems領(lǐng)域，nems領(lǐng)域。技術(shù)背景：微納制造技術(shù)是衡量一個(gè)國(guó)家制造水平的重要標(biāo)志，對(duì)提高人們的生活水平，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展與經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)，保障**安全等方法發(fā)揮著重要作用，微納制造技術(shù)是微傳感器、微執(zhí)行器、微結(jié)構(gòu)和功能微納系統(tǒng)制造的基本手段和重要基礎(chǔ)?；诎雽?dǎo)體制造工藝的光刻技術(shù)是**常用的手段之一。對(duì)于納米孔的加工，常用的手段是先利用曝光負(fù)性光刻膠并顯影后得到微納尺度的柱狀結(jié)構(gòu)，再通過金屬的沉積和溶膠實(shí)現(xiàn)圖形反轉(zhuǎn)從而得到所需要的納米孔。然而傳統(tǒng)的方法由于光刻過程中的散焦及臨近效應(yīng)等會(huì)造成...

該方法包括：步驟110、將多級(jí)腔室順序排列，按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級(jí)向剝離基板提供剝離液；步驟120、將來自于當(dāng)前級(jí)腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲(chǔ)于當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的存儲(chǔ)箱中，所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑；步驟130、使用當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的過濾器過濾來自當(dāng)前級(jí)腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級(jí)腔室；步驟140、若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關(guān)閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關(guān)；步驟150、取出被阻塞的所述過濾器。若過濾器包括多個(gè)并列排布的子過濾器，則可以關(guān)閉被阻塞的子過濾器的閥門，因此，步驟140還可以包括：若所述過濾器包括多個(gè)并列排布的子過濾器，則關(guān)...

IC去除剝離液MSDS1.產(chǎn)品屬性產(chǎn)品形式：混合溶液產(chǎn)品名稱：ANS-908產(chǎn)品功能描述：用于COG重工，使IC與玻璃無損傷分離2.組成成份化學(xué)名稱CASNo含量%(v)1-METHYL-2-PYRROLIDINONE872-50-445~90N,N-DIMETHYLACETAMIDE127-19-510~58Other12~45SurfactantThickener3.危險(xiǎn)識(shí)別可燃性液體和蒸汽警示標(biāo)識(shí)外觀：透明或微黃氣味：類氨對(duì)人類和環(huán)境的危害：對(duì)眼睛和皮膚有刺激性吸入：會(huì)引起呼吸道受刺激，肝臟、腎受傷害，對(duì)系統(tǒng)有影響攝取：會(huì)引起呼吸道和消化道刺激長(zhǎng)期接觸：會(huì)引起皮膚傷害4.緊急處理...

參考圖7)，這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會(huì)被增強(qiáng)呈現(xiàn)，傳遞到柵極成型工序時(shí)會(huì)對(duì)柵極圖形產(chǎn)生嚴(yán)重的影響，即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷，在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開或橋接，直接降低了產(chǎn)品良率。另外，在氧氣灰化階段，由于等離子氧可以穿透襯底表面上的氧化層到達(dá)襯底硅區(qū)，直接與硅反應(yīng)產(chǎn)生二氧化硅，增加了硅損失，會(huì)影響器件閾值電壓及漏電流，也會(huì)影響產(chǎn)品良率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念,該簡(jiǎn)化形式的概念均為本領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)簡(jiǎn)化，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)...

光刻膠又稱光致抗蝕劑，主要由感光樹脂、增感劑和溶劑三種成分組成。感光樹脂經(jīng)光照后，在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應(yīng)，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)曝光、顯影、刻蝕、擴(kuò)散、離子注入、金屬沉積等工藝將所需的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移至加工的基板上、***通過去膠剝離液將未曝光部分余下的光刻膠清洗掉，從而完成整個(gè)圖形轉(zhuǎn)移過程。在液晶面板和amoled生產(chǎn)中***使用?，F(xiàn)有的剝離液主要有兩種，分別是水性剝離液和有機(jī)剝離液，由于有機(jī)剝離液只能用于具有mo/al/mo結(jié)構(gòu)的制程中，無法用于ito/ag/ito；且乙醇胺的含量高達(dá)60％以上，有很強(qiáng)的腐蝕性，因此，常用的剝...

本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第二實(shí)施例，用于半導(dǎo)體制造工藝中，可應(yīng)用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導(dǎo)體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成光刻圖形阻擋層；s3，執(zhí)行離子注入，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕，對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離，氫氮混合比例范圍為4:96～30:70。s5，對(duì)襯底表面進(jìn)行清洗，清洗液采用氧化硫磺混合物溶液和過氧化氨混合物溶液。本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第三實(shí)施例，用于半導(dǎo)體制造工藝中，可...

該方法包括：步驟110、將多級(jí)腔室順序排列，按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級(jí)向剝離基板提供剝離液；步驟120、將來自于當(dāng)前級(jí)腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲(chǔ)于當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的存儲(chǔ)箱中，所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑；步驟130、使用當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的過濾器過濾來自當(dāng)前級(jí)腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級(jí)腔室；步驟140、若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關(guān)閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關(guān)；步驟150、取出被阻塞的所述過濾器。若過濾器包括多個(gè)并列排布的子過濾器，則可以關(guān)閉被阻塞的子過濾器的閥門，因此，步驟140還可以包括：若所述過濾器包括多個(gè)并列排布的子過濾器，則關(guān)...

形成帶有沉淀物的固液混合物，打開一級(jí)過濾罐進(jìn)料管路上的電磁閥18，固液混合物進(jìn)入一級(jí)過濾罐16的過濾筒中，先由一級(jí)過濾罐16的過濾筒過濾得到一級(jí)線性酚醛樹脂，濾液由提升泵6送往攪拌釜的循環(huán)料口7，往復(fù)3次數(shù)后，一級(jí)線性酚醛樹脂回收完成，關(guān)閉一級(jí)過濾罐進(jìn)料管路上的電磁閥18，利用提升泵6將一級(jí)過濾罐16中濾液抽取到攪拌釜10內(nèi)備用；2、向攪拌釜10中輸入酸性溶液，與前述濾液充分?jǐn)嚢杌旌显俅挝龀龀恋砦铮炊?jí)線性酚醛樹脂，利用ph計(jì)檢測(cè)溶液ph值，當(dāng)達(dá)到5-7范圍內(nèi)即可，打開二級(jí)過濾罐13進(jìn)料管路上的電磁閥17，帶有沉淀物的混合液進(jìn)入二級(jí)過濾罐13中，由其中的過濾筒過濾得到二級(jí)線性酚醛樹脂...

本發(fā)明涉及能夠從施加有抗蝕劑的基材剝離抗蝕劑的抗蝕劑的剝離液。背景技術(shù)：：印刷布線板的制造、主要是半加成法中使用的干膜抗蝕劑等抗蝕劑的剝離液中，伴隨微細(xì)布線化而使用胺系的剝離液。然而，以往的胺系的抗蝕劑的剝離液有廢液處理性難、海外的法規(guī)制度的問題，而避免其使用。近年來，為了避免胺系的抗蝕劑的剝離液的問題點(diǎn)，還報(bào)道了一種含有氫氧化鈉和溶纖劑的剝離液(專利文獻(xiàn)1)，由于剝離時(shí)的抗蝕劑沒有微細(xì)地粉碎，因此存在近年的微細(xì)的布線間的抗蝕劑難以除去的問題點(diǎn)。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特開2002-323776號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的問題因此，本發(fā)明的課題在于，提供容易除去微細(xì)的布線間的抗...

IC去除剝離液MSDS1.產(chǎn)品屬性產(chǎn)品形式：混合溶液產(chǎn)品名稱：ANS-908產(chǎn)品功能描述：用于COG重工，使IC與玻璃無損傷分離2.組成成份化學(xué)名稱CASNo含量%(v)1-METHYL-2-PYRROLIDINONE872-50-445~90N,N-DIMETHYLACETAMIDE127-19-510~58Other12~45SurfactantThickener3.危險(xiǎn)識(shí)別可燃性液體和蒸汽警示標(biāo)識(shí)外觀：透明或微黃氣味：類氨對(duì)人類和環(huán)境的危害：對(duì)眼睛和皮膚有刺激性吸入：會(huì)引起呼吸道受刺激，肝臟、腎受傷害，對(duì)系統(tǒng)有影響攝?。簳?huì)引起呼吸道和消化道刺激長(zhǎng)期接觸：會(huì)引起皮膚傷害4.緊急處理...

可選擇的，旋涂光刻膠厚度范圍為1000?！?0000埃。s3，執(zhí)行離子注入：可選擇的，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕，對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離；如背景技術(shù)中所述，經(jīng)過高劑量或大分子量的源種注入后，會(huì)在光刻膠的外層形成一層硬殼即為主要光刻膠層，主要光刻膠層包裹在第二光刻膠層外。使氮?dú)浠旌蠚怏w與光刻膠反應(yīng)生成含氨揮發(fā)性化合物氣體，反應(yīng)速率平穩(wěn)，等離子體氮?dú)浠旌蠚怏w與主要光刻膠層、第二光刻膠層的反應(yīng)速率相等。等離子體氮?dú)浠旌蠚怏w先剝離去除主要光刻膠層，參考圖8所示。再逐步剝離去除第二光刻膠層，參考圖9和圖10所示?？蛇x的，等離子...

剝離液是一種通用濕電子化學(xué)品，主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質(zhì)，同時(shí)防止對(duì)襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽(yáng)能電池等生產(chǎn)濕法工藝制造的關(guān)鍵性電子化工材料，下游應(yīng)用領(lǐng)域，但整體應(yīng)用需求較低，因此市場(chǎng)規(guī)模偏小。剝離液應(yīng)用在太陽(yáng)能電池中，對(duì)于剝離液的潔凈度要求較低，需達(dá)到G1等級(jí)，下游客戶主要要天合、韓華、通威等；應(yīng)用到面板中，通常要達(dá)到G2、G3等級(jí)，且高世代線對(duì)于剝離液的要求要高于低世代線，下游客戶有京東方、中星光電；在半導(dǎo)體中的應(yīng)用可分等級(jí)，在8英寸及以下的晶圓制造中，對(duì)于剝離液的要求達(dá)到G3、G4水平，大硅片、12英寸晶元等產(chǎn)品要達(dá)到G5水平。...

在生產(chǎn)方面，剝離液的純度對(duì)于應(yīng)用領(lǐng)域有所限制，高純度剝離液生產(chǎn)工藝復(fù)雜，且對(duì)于生產(chǎn)設(shè)備、生產(chǎn)環(huán)境控制均有較高的要求，整體技術(shù)門檻較高。在資金方面，為取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，剝離液生產(chǎn)企業(yè)需要在研發(fā)、技術(shù)、設(shè)備方面投入大量資金，因此為實(shí)現(xiàn)剝離液產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)所需的資金門檻相對(duì)較高。新思界產(chǎn)業(yè)分析人士表示，剝離液作為半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵性濕電子化學(xué)品，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展背景下，剝離液市場(chǎng)需求攀升。就總體來看，剝離液雖然是一種關(guān)鍵化工原料，但由于需求量較少，因此市場(chǎng)規(guī)模偏小，生產(chǎn)企業(yè)由大型濕電子化學(xué)品主導(dǎo)，新進(jìn)入企業(yè)難以尋求發(fā)展機(jī)遇。天馬微電子用哪家剝離液更多？杭州哪家剝離液廠家現(xiàn)貨 光刻作為IC制造的關(guān)...

按照組成成分和應(yīng)用工藝不同，濕電子化學(xué)品可分為通用性和功能性濕電子化學(xué)品。通用濕電子化學(xué)品以超凈高純?cè)噭橹鳎话銥閱谓M份、單功能、被大量使用的液體化學(xué)品，按照性質(zhì)劃分可分為：酸類、堿類、有機(jī)溶劑類和其他類。酸類包括氫氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸等；堿類包括氨水、氫氧化鈉、氫氧化鉀等；有機(jī)溶劑類包括甲醇、乙醇、異丙醇、**、乙酸乙酯等；其他類包括雙氧水等。功能濕電子化學(xué)品指通過復(fù)配手段達(dá)到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的復(fù)配類化學(xué)品，即在單一的超凈高純?cè)噭ɑ蚨喾N超凈高純?cè)噭┑呐浜希┗A(chǔ)上，加入水、有機(jī)溶劑、螯合劑、表面活性劑混合而成的化學(xué)品。例如剝離液、顯影液、蝕刻液、清洗液等...

具體實(shí)施方式現(xiàn)有技術(shù)中剝離液廢液中含有光刻膠樹脂、水和某些金屬雜質(zhì)，而剝離液廢液的處理主要是通過焚燒或者低水平回收，其大量的使用但不能夠有效地回收，或者回收后需要通過大量的時(shí)間分析其含量以及花大量時(shí)間進(jìn)行再生處理，影響了剝離液廢液的利用率。本發(fā)明對(duì)于已知的剝離液的含量以及比例有預(yù)先的了解，通過預(yù)先制定添加劑的方法，將添加劑以及某些原材料加入后重新制備剝離液新液。本發(fā)明中對(duì)于回收的剝離液廢液的進(jìn)一步處理加工，是采用現(xiàn)有技術(shù)中加壓、蒸餾等方式，可以是采用階段性變壓精餾塔進(jìn)行加壓、蒸餾處理。表1：已知的剝離液新液的組分：表二：添加劑的組分組分比例：純化液體的組分表四：制備剝離液新液在對(duì)純化液...

騰田化學(xué)技術(shù)（上海）技術(shù)有限公司（簡(jiǎn)稱：騰田化學(xué)），騰田化學(xué)坐落于上海五角場(chǎng)萬達(dá)廣場(chǎng)，依托復(fù)旦大學(xué)·東華大學(xué)·華東理工大學(xué)·中科院有機(jī)所·上海石油商品研究所就相關(guān)材料領(lǐng)域建立研發(fā)中心，憑借強(qiáng)大的科研實(shí)力，多年豐富的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，共同建立化工材料分析中心與新材料研發(fā)中心;騰田化學(xué)致力于化工行業(yè)材料檢測(cè)、材料分析、配方還原、新領(lǐng)域新材料的研發(fā)；加快新項(xiàng)目整體研發(fā)進(jìn)度，縮短研發(fā)周期，推動(dòng)化工產(chǎn)業(yè)自主研發(fā)的進(jìn)程.為企業(yè)提供一站式服務(wù)。騰田化學(xué)作為國(guó)內(nèi)的配方及研發(fā)技術(shù)有限公司，騰田化學(xué)技術(shù)團(tuán)隊(duì)具有豐富研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，與多所高校及研究所建立研究性合作平臺(tái)，擁有前列的技術(shù)研發(fā)平臺(tái)、雄厚的科研技術(shù)力量以及精密的...

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種剝離液機(jī)臺(tái)的工作方法，請(qǐng)參閱圖5，圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的工作方法的流程示意圖，該方法包括：步驟110、將多級(jí)腔室順序排列，按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級(jí)向剝離基板提供剝離液；步驟120、將來自于當(dāng)前級(jí)腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲(chǔ)于當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的存儲(chǔ)箱中，所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑；步驟130、使用當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的過濾器過濾來自當(dāng)前級(jí)腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級(jí)腔室；步驟140、若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關(guān)閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關(guān)；步驟150、取出被阻塞的所述過濾器。若過濾器包括多個(gè)并列排布...

光電行業(yè)的大力發(fā)展，致使剝離液被國(guó)內(nèi)外研究人員所關(guān)注及研究，雖然在**網(wǎng)及技術(shù)網(wǎng)上對(duì)剝離液的闡述較少，但當(dāng)前國(guó)內(nèi)與國(guó)外均在剝離液廢液如何利用及處置方面有了一定的成果，。美國(guó)專利US7273560公布了包含單乙醇胺與二乙二醇單丁醚組合的光刻膠剝離液廢液中含有、77%的二乙二醇單丁醚、3%的光刻膠和?，F(xiàn)有技術(shù)***采用的光刻膠剝離液廢液回收方法通常是通過薄膜蒸發(fā)器回收大部分的有機(jī)成分，回收得到的有機(jī)組分或再經(jīng)脫色脫水等處理后可再次作為光刻膠剝離液應(yīng)用。這種方法雖然流程簡(jiǎn)便，但在使用薄膜蒸發(fā)器蒸發(fā)溶劑過程中，光刻膠濃度達(dá)到一定程度后其傳熱傳質(zhì)效率快速下降，使溶劑回收效率大為降低，處理能耗...

從而可以在閥門開關(guān)60關(guān)閉后取下被阻塞的過濾器30進(jìn)行清理并不會(huì)導(dǎo)致之后的下一級(jí)腔室102的剝離進(jìn)程無法繼續(xù)。其中，腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級(jí)向玻璃基板分別提供剝離液；與多個(gè)腔室10分別對(duì)應(yīng)連接的多個(gè)存儲(chǔ)箱20，各級(jí)腔室10分別通過管道與相應(yīng)的存儲(chǔ)箱20連接，存儲(chǔ)箱20用于收集和存儲(chǔ)來自當(dāng)前級(jí)腔室101的經(jīng)歷剝離制程的剝離液；過濾器30用于過濾來自當(dāng)前級(jí)腔室101的存儲(chǔ)箱20的剝離液，并且過濾器30還可以通過管道與下一級(jí)腔室102連接，從而過濾器30可以將過濾后的剝離液輸送給下一級(jí)腔室102。各腔室10設(shè)計(jì)為適合進(jìn)行剝離制程，用于向制程中的玻璃基板供給剝離液，...

所述過濾器包括多個(gè)并列排布的子過濾器，所述***管道包括多個(gè)***子管道，每一所述***子管道與一子過濾器連通，且所述多個(gè)***子管道與當(dāng)前級(jí)腔室對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱連通。在一些實(shí)施例中，所述第二管道包括公共子管道及多個(gè)第二子管道，每一所述第二子管道與一子過濾器連通，每一所述第二子管道與所述公共子管道連通，所述公共子管道與所述下一級(jí)腔室連通。在一些實(shí)施例中，所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述***子管道上。在一些實(shí)施例中，所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述第二子管道上。在一些實(shí)施例中，所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述***子管道及每一所述第二子管道上。在一些實(shí)施例中，所述第二管道包括多個(gè)第三子管道，每一所述第三子管...

光刻作為IC制造的關(guān)鍵一環(huán)常常被人重視，但是光刻膠都是作為層被去掉的，如何快速、干凈的去除工藝后的光刻膠是一個(gè)經(jīng)常被疏忽的問題，但是很重要，直接影響了產(chǎn)品質(zhì)量。如何快速有效的去除光刻膠。筆者**近就碰到一些去膠的問題，比如正膠和負(fù)膠去除需要的工藝有差別。去膠工藝還和光刻膠受過什么樣的工藝處理有關(guān)，比如ICPRIE之后的光刻膠、還有濕法腐蝕后的光刻膠。市面上針對(duì)光刻膠去除的特殊配方的去膠液有很多種，但需要根據(jù)自身產(chǎn)品特性加以選擇。在做砷化鎵去除光阻的案例，砷化鎵是一種化合物半導(dǎo)體材料，分子式GaAs。立方晶系閃鋅礦結(jié)構(gòu)，即由As和Ga兩種原子各自組成面心立方晶格套構(gòu)而成的復(fù)式晶格，其...

實(shí)施例1～6：按照表1配方將二甲基亞砜、一乙醇胺、四甲基氫氧化銨、硫脲類緩蝕劑、聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑、n-甲基吡咯烷酮和去離子水混合，得到用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。表1：注：含量中不滿100wt％的部分由去離子水補(bǔ)足余量。以cna披露的光刻膠剝離液作為對(duì)照例，與實(shí)施例1～6所得用于疊層晶圓的光刻膠剝離液進(jìn)行比較試驗(yàn)，對(duì)面積均為300cm2的疊層晶圓上的光刻膠進(jìn)行剝離并分別測(cè)定剝離周期、金屬鍍層的腐蝕率和過片量(剝離的面壁數(shù)量)。對(duì)比情況見表2：表2：剝離周期/s金屬腐蝕率/ppm過片量/片實(shí)施例1130～15015376實(shí)施例2130～15016583實(shí)施例3130～150...