大尺寸CeYAP晶體直供

品質(zhì)優(yōu)的CeYAP晶體注意事項(xiàng)：用提拉法生長(zhǎng)大尺寸Ce: YAP晶體，包括改進(jìn)生長(zhǎng)設(shè)備和調(diào)整生長(zhǎng)工藝。因?yàn)橐郧暗纳L(zhǎng)工藝不適合生長(zhǎng)大尺寸的Ce: YAP晶體，尤其是晶體形狀、肩部和等徑部分不能得到有效控制，影響晶體質(zhì)量。為了解決存在的問題，我們改進(jìn)了晶體生長(zhǎng)爐的功率控制系統(tǒng)和重量傳感系統(tǒng)，重新設(shè)計(jì)了坩堝和保溫罩，并對(duì)溫度場(chǎng)過程進(jìn)行了適當(dāng)?shù)奶剿鳌e:YAG衰減快(80ns)，在530nm處發(fā)出熒光，其發(fā)射波長(zhǎng)與硅光電二極管的探測(cè)敏感區(qū)相匹配，因此可應(yīng)用于低能射線粒子的探測(cè)等領(lǐng)域。Ce和Mn: YAP的衰變時(shí)間明顯短于Ce、Mn : YAP，其快、慢成分分別為10.8ns和34.6 ns。大尺寸CeYAP晶體直供

Mn離子摻雜對(duì) Ce:YAP晶體有哪些影響？因此，在吸收伽馬量子后的10-10s內(nèi)，離子晶體包含大量Vk中心和位于導(dǎo)帶中的自由電子。Vk心臟在閃爍過程中起著重要作用。軸向弛豫也受到價(jià)帶激子和(X22-)*分子中空穴組成的影響。對(duì)于高能激發(fā)，直接形成價(jià)帶激子的概率比較低，而囚禁的激子可以通過Vk中心俘獲自由電子形成。那么處于激發(fā)態(tài)的被囚禁的激子可以發(fā)射光子，這就是所謂的激子發(fā)光。這種發(fā)光源于導(dǎo)帶中的電子和Vk中心之間的相互作用，一個(gè)Vke配置的自陷激子。這種發(fā)光具有與由晶體中的光致激發(fā)形成的陰離子激子發(fā)光相同的特征。堿金屬鹵化物晶體的本征激子發(fā)光只在低溫下有效，此時(shí)空穴自陷形成的Vk中心是不動(dòng)的。青海生長(zhǎng)CeYAP晶體廠家直供自20世紀(jì)80年代末和90年代初以來，國(guó)內(nèi)外對(duì)摻雜鈰離子的無機(jī)閃爍體進(jìn)行了大量的研究和探索。

不同退火條件下Ce: YAP晶體自吸收的比較，為了比較不同退火條件下退火對(duì)自吸收的影響，我們測(cè)量了相同厚度(2mm)和濃度(0.3%)的Ce: YAP晶體在不同溫度和氣氛下退火后的透射光譜、熒光光譜和XEL光譜。從圖4-8可以看出，直拉法生長(zhǎng)的Ce: YAP晶體經(jīng)氫退火后透射邊藍(lán)移，自吸收減弱。當(dāng)進(jìn)行氧退火時(shí)，通過邊緣紅移增強(qiáng)了自吸收。氫的退火溫度越高，自吸收越弱。氧的退火溫度越高，自吸收越強(qiáng)。然而，退火溫度的上限約為1600。如果溫度太高，晶體容易起霧，導(dǎo)致幾乎不滲透。

本文主要討論了大尺寸Ce:YAP晶體的生長(zhǎng)和自吸收以及用溫度梯度法生長(zhǎng)和退火大尺寸Ce:YAG晶體，以提高晶體的實(shí)用性能。釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶是一種優(yōu)良的激光基質(zhì)材料和光學(xué)襯底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體得到了普遍的應(yīng)用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料在1992年引起了人們的注意。Moszynski和Ludziejewski分別于1994年和1997年系統(tǒng)地研究了Ce:YAG晶體的閃爍特性，指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)異的閃爍特性。同時(shí)，國(guó)內(nèi)生長(zhǎng)的Ce:YAP晶體的自吸收問題長(zhǎng)期存在，導(dǎo)致無法有效提高光產(chǎn)額。因此，解決自吸收問題，生長(zhǎng)大尺寸Ce:YAP晶體對(duì)閃爍材料的研究和應(yīng)用具有重要意義。CeYAP晶體中存在著生長(zhǎng)條紋、包裹沉積物、關(guān)鍵、孿晶及位錯(cuò)簇等。

兩項(xiàng)一般性意見如下：如上所述，快電子在非彈性散射過程中會(huì)損失能量。這是文學(xué)中常見的表達(dá)。但是，能量實(shí)際上并沒有損失，而是分布到了二次電子激發(fā)。閃爍體中真正的能量損失是由以下與閃爍競(jìng)爭(zhēng)的過程引起的：點(diǎn)缺陷的形成、聲子，的產(chǎn)生、二次電子和光子從晶體中逃逸以及長(zhǎng)期磷光發(fā)射。 過渡金屬摻雜對(duì)YAP晶體透過邊有哪些影響？CeYAG晶體脈沖X射線激發(fā)衰減時(shí)間？Ce: YAP晶體在弱還原氣氛中生長(zhǎng)，發(fā)現(xiàn)自吸收得到有效0，熒光激發(fā)的發(fā)光強(qiáng)度突出提高。同時(shí)，研究了還原氣氛中生長(zhǎng)對(duì)Ce: YAP晶體其他閃爍性能的影響。晶體生長(zhǎng)過程中大的溫度梯度以及快的降溫速率等是CeYAP晶體產(chǎn)生開裂的主要原因。大尺寸CeYAP晶體直供

CeYAP)晶體的開裂現(xiàn)象進(jìn)行了研究，認(rèn)為引起 開裂的主要內(nèi)在因素是YAP晶體熱膨脹系數(shù)的各向異性。大尺寸CeYAP晶體直供

無機(jī)閃爍晶體在將高能射線或粒子轉(zhuǎn)化為低能光子的過程中，會(huì)發(fā)生一系列微觀過程，如一級(jí)和二級(jí)電離和激發(fā)、電子-空穴、光子和激子的遷移、電子與電子、電子與聲子(矩陣)之間的弛豫、電子-空穴對(duì)的俘獲、電子-空穴對(duì)與熒光中心之間的能量轉(zhuǎn)移等。當(dāng)經(jīng)歷電離事件時(shí)，閃爍體處于從非平衡狀態(tài)到平衡狀態(tài)的弛豫過程中。大量的熱化電子空穴對(duì)和這些電子產(chǎn)生的相當(dāng)一部分低能激子0終會(huì)轉(zhuǎn)化為發(fā)射光子，從高能輻射到紫外或可見光光子的過程就是閃爍過程。大尺寸CeYAP晶體直供

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