閃爍晶體的本質(zhì)是一種能量轉(zhuǎn)換器，所以能量轉(zhuǎn)換效率()是表征所有閃爍晶體0基本的參數(shù)，是指閃爍晶體輻射的光子能量(Ep)與閃爍晶體吸收的總能量(er)之比。閃爍晶體發(fā)射光子的平均能量是發(fā)射的閃爍光子數(shù)。光輸出(LR)是反映閃爍體晶體，能量轉(zhuǎn)換效率的重要的物理參數(shù)，是指閃爍體吸收并消耗1mV射線能量后發(fā)出的可見/紫外光子數(shù)。即閃爍過程中產(chǎn)生的閃爍光子數(shù)與閃爍晶體中光線或粒子損失的能量之比。 提拉法生長Ce:YAG晶體。鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)。CeYAG晶體的發(fā)光峰位置位于560nm左右，很適合使用S20光電倍增管進(jìn)行發(fā)射探測。貴州人工CeYAG晶體現(xiàn)貨直供
Ce:YAG閃爍晶體的研究概況釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學(xué)襯底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)獲得廣泛應(yīng)用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料引起人們的注意則是在1992年[81]。Moszynski[82]和Ludziejewski[83]等人分別于1994年和1997年對Ce:YAG晶體的閃爍性能進(jìn)行了較為系統(tǒng)的研究，并指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)良的閃爍性能。Ce:YAG具有快衰減（80ns）以及在530nm發(fā)射熒光，發(fā)光波長與硅光電二極管的探測靈敏區(qū)匹配，使得它可以應(yīng)用于中低能量γ射線α粒子的探測等領(lǐng)域。海南雙摻CeYAG晶體批發(fā)價CeYAG閃爍晶體可以應(yīng)用于極端的探測環(huán)境中。
與其它常用閃爍晶體相比，Ce:YAP晶體還具有下列閃爍特征：光輸出的溫度特性好。Ce:YAP晶體光輸出隨溫度變化特性，在25~200oC 區(qū)間內(nèi)，晶體光產(chǎn)額隨溫度增加基本保持不變。與其它晶體如NaI:Tl、BGO和CsI等相比，Ce:YAP的這種對溫度依賴小的特性可以使其在高溫環(huán)境下使用。 研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對Ce3+離子濃度有較強(qiáng)的依賴關(guān)系。YAG晶體的礦物學(xué)名稱為釔鋁石榴石，分子式為Y3Al5O12, 屬于立方晶系。Ce:YAG具有快衰減以及在550nm發(fā)射熒光，使得它可以應(yīng)用于中低能量γ射線α粒子的探測等領(lǐng)域。
隨著人們對閃爍晶體材料進(jìn)一步深入的研究和科技的發(fā)展，閃爍晶體材料一般可用于X射線、γ射線、中子及其他高能粒子的探測。經(jīng)過100多年的發(fā)展，以閃爍晶體為關(guān)鍵的探測和成像技術(shù)已經(jīng)在核醫(yī)學(xué)、高能物理、安全檢查、工業(yè)無損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應(yīng)用。閃爍晶體可以發(fā)出透明的熒光，在高能射線或其他放射性粒子通過時，會發(fā)出閃爍光，該種材料可以應(yīng)用在射線、中子、高能粒子的探測中，經(jīng)過了百年的發(fā)展，閃爍晶體材料已經(jīng)在安全檢查、高能物理、核醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域得到推廣。用CeYAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測等核物理實(shí)驗(yàn)。
CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖，較大優(yōu)點(diǎn)是其發(fā)光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設(shè)備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間（約70ns，而CsI衰減時間約為300ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定，主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域，另外它還可以應(yīng)用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。由于Ce離子在YAG基質(zhì)中的分凝系數(shù)小（約為0.1），使Ce離子很難摻入YAG晶體中，而且隨著晶體直徑的增大，晶體生長難度急劇增加。Ce:YAG屬于無機(jī)閃爍體。海南雙摻CeYAG晶體批發(fā)價
CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間。貴州人工CeYAG晶體現(xiàn)貨直供
白光LED用新型YAG單晶熒光材料的制備和光譜性能研究，采用提拉法生長Eu，CeYAG晶體及Gd，CeYAG晶體，并通過吸收光譜，激發(fā)，發(fā)射光譜及電光性能等對晶體材料的光譜特性進(jìn)行表征.結(jié)果表明，Eu或Gd共摻雜的CeYAG單晶熒光材料均可以被波長460nm左右的藍(lán)光芯片有效激發(fā)，產(chǎn)生一個范圍為480~650 nm的寬峰發(fā)射。Eu3或Gd3共摻雜會對Ce3離子的發(fā)光產(chǎn)生影響Eu3離子的摻雜，會對Ce3離子的發(fā)光產(chǎn)生淬滅效應(yīng)。Ce：YAG晶體常規(guī)尺寸是多少？由于Ce離子分凝系數(shù)小，通常在提拉法生長Ce:YAG的后期往往會產(chǎn)生組分過冷而嚴(yán)重影響了Ce:YAG晶體的質(zhì)量。貴州人工CeYAG晶體現(xiàn)貨直供
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