采用提拉法生長CeYAG單晶，通過X射線衍射和激發(fā)發(fā)射光譜對(duì)其晶相結(jié)構(gòu)和光譜特性進(jìn)行了表征，研究了CeYAG單晶封裝白光LED的較佳摻雜濃度.在455 nm藍(lán)光激發(fā)下，CeYAG單晶的發(fā)射光譜可由中心波長526 nm(5d12 EgГ8g→4f12 F7/2Г...

Tm:YAP和Tm:LSO兩微米波段激光晶體生長、光譜和激光性能的研究.1. 采用TPM法計(jì)算了Tm:YAP晶體JO參數(shù)：Ω2＝0.8×10-19cm2，Ω4＝1.6×10-19 cm2，Ω6＝1.1×10-19 cm2，擬合得到的JO參數(shù)與文獻(xiàn)報(bào)道的非常接近...

剛出爐的Ce:YAP單晶由于內(nèi)部熱應(yīng)力較大，在加工過程中容易開裂，提拉法生長的晶體明顯，同時(shí)由于鈰離子的價(jià)態(tài)(Ce2、Ce3、Ce4)不同，高溫閃爍晶體中只有三價(jià)鈰離子(Ce3)作為發(fā)光中心，因此不同的退火工藝條件對(duì)高溫閃爍晶體的閃爍性能有重要影響。對(duì)于空氣退...

YbYAG晶體以其優(yōu)異的熱學(xué)、機(jī)械、光學(xué)、激光性能成為新的研究熱點(diǎn)，被視為發(fā)展高效率、大功率固體激光器的一個(gè)主要方向，成為當(dāng)前較有發(fā)展前景的全固態(tài)激光器工作物質(zhì)。在民用、材料、信息等領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用，迫切需要大尺寸、品質(zhì)高的YbYAG晶體材料。但傳統(tǒng)生長方法、...

一個(gè)類似于輻射長度的物理量叫做摩爾半徑(RM):RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.13)，小摩爾半徑有利于減少其他粒子對(duì)能量測量的污染。吸收系數(shù)、輻射長度和摩爾半徑與晶體密度直接或間接成反比。因此，尋找高密度閃爍晶體已成為未來閃爍晶體的一個(gè)重要研究方...

Ce:YAP作為閃爍晶體的真正研究始于T. Takada等人[41](1980)和R. Autrata等人[42](1983)的提議以及YAP晶體作為掃描電鏡電子射線和紫外光子檢測的研究。1991年，Baryshevky等人用水平區(qū)熔法生長了Ce:YAP閃爍晶...

Ce:YAP晶體在弱還原氣氛中生長，發(fā)現(xiàn)晶體的自吸收被有效壓制。與在惰性氣氛中生長的樣品相比，厚度為2mm的樣品的透射邊緣移動(dòng)了近30納米，發(fā)光強(qiáng)度提高了50%以上。同時(shí)，研究了還原氣氛生長對(duì)Ce: YAP晶體其他閃爍性能的影響。比較了不同價(jià)離子摻雜對(duì)Ce: ...

鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有高光輸出快衰減等閃爍特征，是無機(jī)閃爍晶體的一個(gè)重要發(fā)展方向，而Ce:YAP和Ce:YAG是其中較有優(yōu)勢的晶體。隨著應(yīng)用需求的變化，對(duì)閃爍晶體尺寸的要求也在不斷增加，生長大尺寸的閃爍晶體變得更為重要。同時(shí)國內(nèi)目前生長的Ce:YAP 晶...

隨著人們對(duì)閃爍晶體材料進(jìn)一步深入的研究和科技的發(fā)展，閃爍晶體材料一般可用于X射線、γ射線、中子及其他高能粒子的探測。經(jīng)過100多年的發(fā)展，以閃爍晶體為關(guān)鍵的探測和成像技術(shù)已經(jīng)在核醫(yī)學(xué)、高能物理、安全檢查、工業(yè)無損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應(yīng)用。閃...

鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有高光輸出快衰減等閃爍特征，是今后無機(jī)閃爍晶體的一個(gè)重要發(fā)展方向。目前我國對(duì)閃爍晶體的研究主要集中在低熔點(diǎn)的閃爍晶體上，而且中科院上海硅酸鹽研究所和北京玻璃研究所等單位在BGO，PWO，CsI:Tl，BaF2等晶體的研究和開發(fā)上在國際...

對(duì)于摻Ce3的無機(jī)閃爍晶體，高能射線作用下的閃爍機(jī)制一般認(rèn)為如下[16，17]:晶體吸收高能射線后，晶體內(nèi)部產(chǎn)生大量的熱化電子空穴對(duì)。由于鈰元素的四階電離能是所有稀土元素中比較低的(如圖1-6所示)，晶體發(fā)光中心的Ce3離子首先俘獲一個(gè)空穴形成Ce4離子。然后...

如果高能射線入射，其熒光光譜向紅色移動(dòng)，發(fā)射波長為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。Ce:YAG晶體的光學(xué)吸收譜多少？當(dāng)無機(jī)閃爍體中電子(空穴)的能量小于電離閾值時(shí)（(Ce:YAG屬于無機(jī)閃爍體），電子(空穴)開始與晶格相互作用，即所謂的電子-聲子弛豫或...

Tm:YAP晶體基體干擾小。在原子吸收光譜分析中，經(jīng)常會(huì)遇到形成穩(wěn)定化合物的干擾，在ICP光譜分析中可以忽略，電離干擾不明顯，可以用一套標(biāo)準(zhǔn)溶液來分析各種樣品溶液。多元素可以同時(shí)測定，樣品中的主要成分、次要成分和微量成分可以同時(shí)測定?？蓽y量的元素有很多種(約8...

不同退火條件下Ce: YAP晶體自吸收的比較，為了比較不同退火條件下退火對(duì)自吸收的影響，我們測量了相同厚度(2mm)和濃度(0.3%)的Ce: YAP晶體在不同溫度和氣氛下退火后的透射光譜、熒光光譜和XEL光譜。從圖4-8可以看出，直拉法生長的Ce: YAP晶...

Tm:YAP晶體能量轉(zhuǎn)移參數(shù)計(jì)算結(jié)果如何？由于Tm:YAP的各向異性，對(duì)3F4→3H6躍遷的發(fā)射截面，我們采用F-L公式以及偏振發(fā)射譜進(jìn)行了計(jì)算。F-L公式可表示為：（4-3）式中c為光速，λ為波長，I(λ)為熒光光譜上某一波長λ處的熒光強(qiáng)度，n為折射率，τr...

品質(zhì)優(yōu)的CeYAP晶體注意事項(xiàng)：研究了Ce:YAP晶體的自吸收機(jī)制。在實(shí)際應(yīng)用中，國產(chǎn)Ce: YAP晶體存在嚴(yán)重的自吸收問題，直接影響晶體的發(fā)光效率。比較了鈰離子濃度、退火、輻照和雜質(zhì)對(duì)鈰： YAP晶體自吸收的影響。通過分析Ce: YAP晶體的自吸收機(jī)制，發(fā)現(xiàn)...

Tm:YAP晶體的熱導(dǎo)率多少？Tm:YAP晶體的激光實(shí)驗(yàn)研究我們采用實(shí)驗(yàn)裝置，對(duì)3at%、4at%及5at%濃度Tm:YAP晶體在哈爾濱工業(yè)大學(xué)可調(diào)諧激光實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了激光性能的測試。激光功率的測量采用Coherent Fieldmate功率計(jì)，探頭為PM-30...

YbYAG晶體的生長與激光性能，隨著InGaAs激光二極管的不斷發(fā)展，YbYAG晶體熱效率低、適合LD泵浦的優(yōu)點(diǎn)被重新認(rèn)識(shí)，是一種新型的LD泵浦的固體激光器增益介質(zhì)。從理論上講，YbYAG激光器更適合高平均功率、連續(xù)波或高重復(fù)頻率的脈沖應(yīng)用，可用作武器的小型、...

在激光制導(dǎo)等領(lǐng)域，半導(dǎo)體常常與稀土共同出現(xiàn)，甚至一些武器直接是用稀土命名。比如坦克使用的摻釹釔鋁石榴石激光測距機(jī)，這是現(xiàn)代先進(jìn)坦克的標(biāo)配裝備，從美國的M1到英國的“挑戰(zhàn)者”和德國的“豹2”，無一例外，它的測量距離達(dá)到20公里，精度比普通的光學(xué)測距儀高很多。稀土...

閃爍材料的發(fā)展歷史可以大致分為幾個(gè)階段？Ce: YAP晶體的紅外光譜在4.9 um、4.0 um、3.7 um和3.1 um處有吸收帶，這可歸因于Ce3離子從2F5/2躍遷到2 F7/2。紫外-可見吸收光譜在303 nm、290 nm、275 nm、238 n...

一些早期的固體激光器，如波長694.3 nm的紅寶石激光器、波長為755 nm的紫翠寶石激光器等，作為較早的激光醫(yī)療器應(yīng)用在皮膚色素祛、皮膚脫毛、去除紋身和醫(yī)治良性皮膚色素性損傷等方面。近年來隨著綜合性能先進(jìn)激光器件的不斷出現(xiàn)，這類激光已逐漸退出醫(yī)用激光領(lǐng)域。...

這里來為大家介紹下，不同厚度Ce:YAP晶體自吸收比較。ce : YaP晶體生長的溫場調(diào)整，在晶體生長過程中，除了控制部分，坩堝形狀和位置、保溫罩結(jié)構(gòu)、轉(zhuǎn)速、拉速、氣氛等因素都會(huì)對(duì)晶體質(zhì)量產(chǎn)生影響。為了生長大尺寸晶體，有效改變晶體生長的溫場和熔體對(duì)流狀態(tài)，我...

基于NdYAG晶體光纖的單頻脈沖激光放大器，在重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目的支持下，利用YbYAG晶體光纖和晶體細(xì)棒實(shí)現(xiàn)了平均功率大于70W的高效超快激光輸出，預(yù)計(jì)近期將實(shí)現(xiàn)大于100W的超快激光輸出。希望能將YbYAG晶體光纖超快激光的平均輸出功率提升至500W，在該功...

CeYAG晶體，屬于無機(jī)閃爍體。無機(jī)閃爍晶體研究的真正前奏始于半個(gè)世紀(jì)前羅伯特霍夫斯塔德發(fā)現(xiàn)NaI(Tl)單晶的優(yōu)異閃爍性能。經(jīng)過半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，無機(jī)閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體，如BGO、銫：Na、鋇F2、PWO和鈰Ce:LSO等，而且極大地拓展了...

采用無膠鍵合(AFB)技術(shù)制備的晶體波導(dǎo)具有良好的模式限制作用。在考慮模式競爭的情況下，對(duì)晶體波導(dǎo)的單橫模條件進(jìn)行計(jì)算，得出在芯層材料為原子數(shù)分?jǐn)?shù)為1%的YbYAG，內(nèi)包層材料為原子數(shù)分?jǐn)?shù)為0.5%的ErYAG中，芯層和內(nèi)包層的單橫模厚度范圍。計(jì)算結(jié)果表明芯層...

YbYAG晶體的熱學(xué)性質(zhì)及其對(duì)激光性能的影響，對(duì)于中頻感應(yīng)加熱提拉法(Czochralski Method)生長的高摻雜濃度(原子數(shù)分?jǐn)?shù)0.30)YbYAG晶體，經(jīng)退火后采用差示掃描量熱計(jì)法測量了晶體的比熱容，通過激光脈沖法測量了不同摻雜濃度(原子數(shù)分?jǐn)?shù)0.0...

退火對(duì)3at%Tm:YAP晶體的影響我們對(duì)3at%Tm:YAP樣品分別進(jìn)行了H2和O2退火實(shí)驗(yàn)，其中H2退火為1150℃保溫20h，O2退火為1200℃保溫10h，O2退火后晶體顏色加深，而H2退火后晶體顏色變淺。通過對(duì)退火前后吸收譜分析我們發(fā)現(xiàn)，氧氣退火使2...

2019年，全球釔鋁石榴石（YAG）市場規(guī)模達(dá)到了xx億元，預(yù)計(jì)2026年將達(dá)到xx億元，年復(fù)合增長率(CAGR)為xx%。本報(bào)告研究全球與中國市場釔鋁石榴石（YAG）的產(chǎn)能、產(chǎn)量、銷量、銷售額、價(jià)格及未來趨勢。重點(diǎn)分析全球與中國市場的主要廠商產(chǎn)品特點(diǎn)、產(chǎn)品規(guī)...

由于Tm:YAP的各向異性，對(duì)3F4→3H6躍遷的發(fā)射截面，我們采用F-L公式以及偏振發(fā)射譜進(jìn)行了計(jì)算。F-L公式可表示為：（4-3）式中c為光速，λ為波長，I(λ)為熒光光譜上某一波長λ處的熒光強(qiáng)度，n為折射率，τrad為上能級(jí)輻射壽命。5at%Tm:YAP...

Tm:YAP晶體能級(jí)結(jié)構(gòu)通過低溫吸收譜和熒光譜，可以比較準(zhǔn)確的確定Tm:YAP晶體的能級(jí)結(jié)構(gòu)。如圖4-17，由吸收譜和發(fā)射譜交疊，可確定3F4能級(jí)零聲子線位置EZL=5621cm-1，然后根據(jù)發(fā)射譜確定基態(tài)13個(gè)stark能級(jí)，再根據(jù)吸收譜確定激發(fā)態(tài)能級(jí)，在這...