杭州高精度電壓傳感器出廠價(jià)

周期中斷子程序和下溢中斷子程序執(zhí)行流程圖，在每一個(gè)周期中分別發(fā)生一次周期中斷和下溢出中斷，每進(jìn)入中斷一次分別更新兩個(gè)比較寄存器的值，相應(yīng)的輸出PWM波的移相也每一個(gè)周期都更新。在解決了具有移相角度差的PWM信號(hào)的產(chǎn)生問題后，需要解決的另一個(gè)問題是怎樣應(yīng)用采集到的電壓信號(hào)和電流信號(hào)來實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)控制移相角的大小，形成閉環(huán)反饋從而得到我們所需的滿足動(dòng)態(tài)性能的高精度電流電壓信號(hào)。PID閉環(huán)反饋系統(tǒng)的設(shè)計(jì)一直是補(bǔ)償電源**關(guān)鍵的部分，補(bǔ)償系統(tǒng)設(shè)計(jì)的好壞直接關(guān)系到補(bǔ)償電源穩(wěn)恒。然而，比較好只放大由于傳感器電阻變化引起的電壓變化。杭州高精度電壓傳感器出廠價(jià)

移相全橋變換器在工作時(shí)，通過與開關(guān)管并聯(lián)的諧振電容和原邊諧振電感諧振，來實(shí)現(xiàn)開關(guān)管的軟開關(guān)。主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖2-4所示。圖中T1和T2為超前臂開關(guān)管，T3和T4為滯后臂開關(guān)管；C1和C2分別為T1和T2的并聯(lián)諧振電容，且C1=C2=Clead；C3和C4分別為T3和T4的并聯(lián)諧振電容，且C3=C4=Clag；D1~D4分別為T1~T4的反并聯(lián)二極管；Lr為原邊諧振電感；TM為高頻變壓器；DR1~DR4為輸出整流二極管；Lf、L、Ca和Cb分別為輸出濾波電感和濾波電容；Z為輸出負(fù)載。北京霍爾電壓傳感器發(fā)展現(xiàn)狀燈光或蜂鳴器指示燈也會(huì)打開ーー這就是你在家里使用的非接觸式電壓傳感器的原理。

圖3-3所示一次為開關(guān)管1（**超前橋臂）的驅(qū)動(dòng)波形和電壓波形，圖中橫縱坐標(biāo)分別為時(shí)間和電壓值。開通過程：由圖可見當(dāng)開關(guān)驅(qū)動(dòng)波形由低電平變?yōu)楦叩颓?，開關(guān)管兩端的電壓已經(jīng)為0，故而開關(guān)管的開通是零電壓開通。關(guān)斷過程：由于開關(guān)并聯(lián)有諧振電容，在關(guān)斷開關(guān)管時(shí)，開關(guān)管端電壓不會(huì)突變，而是隨著諧振電容緩慢上升，故而開關(guān)管的關(guān)斷是軟關(guān)斷。圖3-4所示為開關(guān)管4（**滯后橋臂）的驅(qū)動(dòng)波形和電壓波形，圖中橫縱坐標(biāo)分別為時(shí)間和電壓值。同超前橋臂上開關(guān)管一樣，滯后橋臂上開關(guān)管實(shí)現(xiàn)了零開通和軟關(guān)斷。在參數(shù)調(diào)試過程中，滯后橋臂的軟開關(guān)對(duì)參數(shù)更加敏感。諧振電容值過大或者諧振電感值過小可能就無法滿足滯后橋臂上開關(guān)管的零開通。

程序首先對(duì)系統(tǒng)初始化，內(nèi)部定時(shí)器開始計(jì)數(shù)，計(jì)數(shù)到產(chǎn)生定時(shí)器中斷，主程序進(jìn)入AD中斷子程序。AD片選信號(hào)置低，子程序?qū)崿F(xiàn)對(duì)AD的初始化，初始化的主要任務(wù)是控制AD的輸入通道。AD的轉(zhuǎn)換開始信號(hào)由DSP的計(jì)時(shí)器控制，DSP循環(huán)計(jì)數(shù)，當(dāng)計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)到設(shè)定值則進(jìn)入計(jì)時(shí)中斷，中斷子程序中給AD一個(gè)低電平脈沖信號(hào)，AD開始轉(zhuǎn)換，轉(zhuǎn)換完成后AD本身產(chǎn)生一個(gè)低電平信號(hào)告知DSP轉(zhuǎn)換完成，DSP接收到低電平信號(hào)開始讀取數(shù)據(jù)，讀取完設(shè)定的采樣個(gè)數(shù)后打開DSP總中斷發(fā)送數(shù)據(jù)至內(nèi)部處理器計(jì)算處理。如此循環(huán)往復(fù)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)輸入電壓電流信號(hào)的實(shí)時(shí)采集。電壓傳感器可以確定、監(jiān)測(cè)和測(cè)量電壓的供應(yīng)。

對(duì)于前端儲(chǔ)能電容還需要考慮的參數(shù)是其耐壓值，直流母線上電壓峰值為373v，留一定裕量，可以選擇耐壓值為500v的電解電容作為儲(chǔ)能電容。在電力電子變換和控制電路中，都是以各種電力半導(dǎo)體器件為基礎(chǔ)的。我們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)，也有很多可供選擇的電力半導(dǎo)體器件，BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每種元件都有其自身特點(diǎn)以及**適合應(yīng)用場(chǎng)合。例如MOSFET開關(guān)頻率高，動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度快，但其電流容量相對(duì)小，耐壓能力低，適用于低功率、高頻的場(chǎng)合[13][14]。門級(jí)可關(guān)斷晶閘管具有自關(guān)斷能力、電流容量大、耐壓能力好，適用于大功率逆變場(chǎng)合。IGBT的性能相對(duì)來說是介于兩者之間，有較高的工作頻率（20K以上），有較大的電流容量和較好的耐壓能力。在本實(shí)驗(yàn)中，裝置的功率在10kW以下，頻率在20K以下可以滿足要求，故而綜合考慮選用全控、壓控型器件IGBT作為開關(guān)管。該傳感器的輸入為電壓，而輸出為開關(guān)、模擬電壓信號(hào)、電流信號(hào)或可聽信號(hào)。成都化成分容電壓傳感器廠家現(xiàn)貨

分為電阻分壓式和電容分壓式，將初級(jí)電壓直接轉(zhuǎn)化為測(cè)量儀表可用的低壓信號(hào)。杭州高精度電壓傳感器出廠價(jià)

現(xiàn)假設(shè)PWM1和PWM2均設(shè)置為高電平有效，下溢中斷發(fā)生時(shí)，賦值CMPR1=0，CMPR1=a。下溢中斷子程序結(jié)束后返回主程序，計(jì)數(shù)寄存器T1CNT從0開始計(jì)數(shù)，由于CMPR1=0，發(fā)生比較中斷，PWM1從低電平變?yōu)楦唠娖健Ｓ?jì)數(shù)寄存器T1CNT繼續(xù)增加至a時(shí)，PWM2從低電平變?yōu)楦唠娖健Ｓ纱?，PWM2和PWM1之間的移相角δ為，所以改變移相角度實(shí)際上改變CMPR2的賦值a。20MHz對(duì)應(yīng)50ns。選擇開關(guān)頻率為20KHz,對(duì)應(yīng)的定時(shí)器T1設(shè)為連續(xù)增減計(jì)數(shù)模式，則T1的周期寄存器的值500.比較大移相角為180度，對(duì)應(yīng)的數(shù)字延遲量Td為500，可得移相精度180/500=0.36。杭州高精度電壓傳感器出廠價(jià)