Tm:YAP晶體能級(jí)結(jié)構(gòu)通過(guò)低溫吸收譜和熒光譜，可以比較準(zhǔn)確的確定Tm:YAP晶體的能級(jí)結(jié)構(gòu)。如圖4-17，由吸收譜和發(fā)射譜交疊，可確定3F4能級(jí)零聲子線位置EZL=5621cm-1，然后根據(jù)發(fā)射譜確定基態(tài)13個(gè)stark能級(jí)，再根據(jù)吸收譜確定激發(fā)態(tài)能級(jí)，在這...

CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖，較大優(yōu)點(diǎn)是其發(fā)光中心波長(zhǎng)為550nm，可以與硅光二極管等探測(cè)設(shè)備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間（約70ns，而CsI衰減時(shí)間約為300ns），而且...

為了研究過(guò)渡金屬可能對(duì)Ce: YAP晶體性能的影響，我們生長(zhǎng)了Mn 離子摻雜的Ce: YAP 晶體，并與Mn: YAP和Ce: YAP 晶體進(jìn)行了比較。選用Mn 離子一是由于Mn 對(duì)YAP 晶體的吸收譜影響很大；二是M. A. Noginov等人將Ce離子摻入...

Ce: YAG 閃爍晶體的生長(zhǎng)參數(shù)：根據(jù)Ir坩堝的尺寸以及熱場(chǎng)條件，通過(guò)觀察YAP熔體對(duì)流狀態(tài)，本論文選擇晶體轉(zhuǎn)速為10-20RPM；考慮到Ce離子在YAP晶體中的分凝系數(shù)較大（約為0.5）和晶體的尺寸（Φ55mm），實(shí)驗(yàn)中選用了1-2mm/h的提拉速度。生長(zhǎng)...

Ce:YAP晶體生長(zhǎng)原料需要哪些？無(wú)機(jī)閃爍晶體在將高能射線或粒子轉(zhuǎn)化為低能光子的過(guò)程中，會(huì)發(fā)生一系列微觀過(guò)程，如一級(jí)和二級(jí)電離和激發(fā)、電子-空穴、光子和激子的遷移、電子與電子、電子與聲子(矩陣)之間的弛豫、電子-空穴對(duì)的俘獲、電子-空穴對(duì)與熒光中心之間的能量轉(zhuǎn)...

紫外輻照對(duì)Ce:YAP晶體自吸收有影響嗎？摻鈰高溫閃爍晶體是無(wú)機(jī)閃爍晶體的一個(gè)重要發(fā)展方向，其中鈰：YAP和鈰3360Yag是較好的晶體。隨著應(yīng)用要求的變化，閃爍晶體的尺寸越來(lái)越大，因此生長(zhǎng)大尺寸的閃爍晶體變得更加重要。同時(shí)，國(guó)內(nèi)生長(zhǎng)的Ce:YAP晶體自吸收現(xiàn)...

鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有高光輸出和快速衰減等閃爍特性，是無(wú)機(jī)閃爍晶體的重要發(fā)展方向。Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體具有良好的物理化學(xué)性質(zhì)，在無(wú)機(jī)閃爍晶體中占有優(yōu)勢(shì)，在探測(cè)中低能粒子射線方面有很大的潛在應(yīng)用。隨著應(yīng)用要求的變化，閃爍晶體的尺寸越來(lái)越大...

Tm:YAP激光晶體，YAP晶體屬于正交畸變鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，是負(fù)雙軸晶體。其結(jié)構(gòu)參數(shù)和基本理化性質(zhì)。Tm:YAP具有與純YAP晶體相似的結(jié)構(gòu)。與Tm:YAP相比，Tm:YAP具有類(lèi)似于Tm:YAP的優(yōu)異熱力學(xué)性能，并且由于其雙光軸，可以Tm:YAP激光器工作過(guò)程中...

共摻Tm3和Ho3固態(tài)激光器。Ho3的5I7能級(jí)與Tm3的3F4能級(jí)相匹配，很容易實(shí)現(xiàn)它們之間的有效能量傳遞。利用ho3 敏化，高能脈沖激光可以實(shí)現(xiàn)2m焦耳以上的輸出。但是，Tm3和Ho3之間容易發(fā)生上轉(zhuǎn)換發(fā)光和反向能量轉(zhuǎn)移，影響上能級(jí)粒子的聚集，降低激光效率...

生長(zhǎng)CeYAP晶體批發(fā)價(jià)過(guò)渡金屬摻雜對(duì)YAP晶體透過(guò)邊有哪些影響？Ce: YAP晶體自吸收機(jī)制分析，從以上實(shí)驗(yàn)可以看出，存在自吸收的累積效應(yīng)，隨著厚度和濃度的增加而增加。在氧氣氛中退火后，自吸收增加，而在還原氣氛中，自吸收減少。自吸收隨ce離子濃度的增加而增...

目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長(zhǎng)方法主要為提拉法和溫梯法。近年來(lái), Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)也備受人們的關(guān)注.為了填補(bǔ)我國(guó)在高溫閃爍晶體研究...

比較了摻雜不同價(jià)離子對(duì)Ce: YAP晶體自吸收的影響。發(fā)現(xiàn)二價(jià)離子對(duì)Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強(qiáng)的負(fù)面影響，而四價(jià)離子有助于提高晶體的閃爍性能。還研究了錳離子摻雜對(duì)Ce: YAP晶體性能的影響。利用溫度梯度法，生長(zhǎng)了直徑為110毫米的Ce: YAG閃爍晶...

在弱還原氣氛下生長(zhǎng)的Ce:YAP晶體，發(fā)現(xiàn)自吸收得到有效緩解，2mm厚度晶體透過(guò)邊藍(lán)移近30nm，熒光激發(fā)的發(fā)光強(qiáng)度提高了50%以上。同時(shí)研究了還原氣氛生長(zhǎng)對(duì)Ce:YAP晶體其他閃爍性能的影響。1．生長(zhǎng)了不同價(jià)態(tài)離子摻雜的Ce:YAP晶體，以研究電荷補(bǔ)償效應(yīng)對(duì)...

鈰離子摻雜高溫?zé)o機(jī)閃爍晶體具有高光輸出快衰減的閃爍性能及優(yōu)良的物化特性，但是要將高溫閃爍晶體廣泛應(yīng)用于各種閃爍探測(cè)領(lǐng)域中尚需時(shí)日。一方面，高溫閃爍晶體屬于非本征閃爍晶體，人為引入的激發(fā)中心在晶體中的分布對(duì)閃爍性能影響較大，同時(shí)激發(fā)中心與晶體中的各種缺陷的相互作...

本發(fā)明的技術(shù)解決方案如下一種YbYAG激光晶體的生長(zhǎng)方法，所用的裝置為感應(yīng)加熱提拉式單晶爐，其步驟包括按照YbYAG比例稱(chēng)量原料并混合均勻，置于銥坩堝中，裝爐.下文是和YbYAG晶體相關(guān)的一些知識(shí)的介紹，如果感興趣的就一起來(lái)看看吧，YbYAG激光晶體開(kāi)裂的理論...

YbYAG晶體生長(zhǎng)裝置有哪些，你知道嗎？YbYAG晶體的生長(zhǎng)裝置：氣氛控制系統(tǒng)：YAG晶體生長(zhǎng)時(shí)，通常充入高純度氮?dú)饣驓鍤獾榷栊詺怏w，用來(lái)保護(hù)銥金坩堝不被氧化損耗。后加熱器：后熱器可用高熔點(diǎn)氧化物如氧化鋁、陶瓷等制成。通常放在坩堝的上部，生長(zhǎng)的晶體逐漸進(jìn)入后熱...

Ce:YAG晶體的閃爍特征及其應(yīng)用Ce:YAG高溫閃爍晶體除了具有所列的閃爍性能外，還具有較好光脈沖區(qū)分γ射線和α粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可以應(yīng)用于極端條件下。因此，Ce:YAG與硅光二極管耦合做成的閃爍探測(cè)器可以廣泛應(yīng)用于低能γ射線...

YbYAG晶體的熔點(diǎn)達(dá)1970℃，為一致熔融化合物，通常采用感應(yīng)加熱熔體提拉法生長(zhǎng)：首先將待生長(zhǎng)的晶體的原料放在耐高溫的坩堝中加熱直至熔化，調(diào)整爐內(nèi)溫度場(chǎng)，使熔體上部處于過(guò)冷狀態(tài)。然后在籽晶桿上安放所需籽晶，并讓籽晶接觸熔體表面。當(dāng)籽晶表面稍熔后，慢慢向上提拉...

你知道什么是YbYAG晶體？可以來(lái)看看下文的介紹，YbYAG晶體中的色心，在用引上法生長(zhǎng)的YbYAG晶體中，存在一個(gè)獨(dú)特的色心，其吸收帶位于375nm和625nm，隨著Yb2O3摻雜濃度的增加，色心濃度增加。探討了晶體生長(zhǎng)過(guò)程中色心形成機(jī)理。良好的γ射線輻照Y...

Nd:YAG激光的另一個(gè)波長(zhǎng)1320 nm，可適用于由于血液逆流導(dǎo)致的大、小隱靜脈曲張及無(wú)功能性的淺表支靜脈曲張等疾病的醫(yī)治。Nd:YAP(摻釹鋁酸釔)激光器輸出的1.3 μm激光與該波長(zhǎng)相近，由于人眼相對(duì)安全的特性，這種波長(zhǎng)激光在醫(yī)用手術(shù)中曾被普遍看好，并可...

YAP晶體的生長(zhǎng)過(guò)程：(1)籽晶：的選擇籽晶的走向和質(zhì)量直接影響直拉晶體的質(zhì)量。對(duì)于YAP單晶，由于其嚴(yán)重的各向異性，B軸的熱膨脹系數(shù)遠(yuǎn)大于A軸和C軸(A:4.2 10-6 oc-1，B:11.7 10-6 oc-1，C:5.1 10-6 oc-1)，在...

閃爍晶體作為一種輻射探測(cè)材料在許多領(lǐng)域有著重要應(yīng)用。雖然閃爍晶體發(fā)現(xiàn)至今已有一個(gè)多世紀(jì)，但隨著探測(cè)器技術(shù)的進(jìn)步，以及材料合成方法的極大改進(jìn)和擴(kuò)展，對(duì)閃爍晶體的研究仍然十分活躍。隨著傳統(tǒng)閃爍晶體的性能達(dá)到極限，以及核醫(yī)學(xué)和國(guó)土安全等領(lǐng)域的需求日益增長(zhǎng)，對(duì)新型閃爍...

YbYAG激光晶體的高溫退火和高濃度摻雜效應(yīng)，測(cè)定了提拉法生長(zhǎng)的不同摻雜濃度的YbYAG晶體從紫外到近紅外區(qū)的吸收光譜，發(fā)現(xiàn)高溫氧化氣氛退火后原先可見(jiàn)光區(qū)色心寬帶吸收消失的同時(shí)，在紫外區(qū)出現(xiàn)新的吸收帶，并通過(guò)色心的轉(zhuǎn)化對(duì)這一現(xiàn)象進(jìn)行了解釋。在紫外區(qū)和近紅外區(qū)吸...

Ce:YAP晶體在弱還原氣氛中生長(zhǎng)，發(fā)現(xiàn)晶體的自吸收被有效壓制。與在惰性氣氛中生長(zhǎng)的樣品相比，厚度為2mm的樣品的透射邊緣移動(dòng)了近30納米，發(fā)光強(qiáng)度提高了50%以上。同時(shí)，研究了還原氣氛生長(zhǎng)對(duì)Ce: YAP晶體其他閃爍性能的影響。比較了不同價(jià)離子摻雜對(duì)Ce: ...

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對(duì)稱(chēng)性取代Y3位。在晶體場(chǎng)的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級(jí)分裂為5個(gè)子能級(jí)，比較低5d子能級(jí)離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍...

Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應(yīng)用。因此，用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測(cè)器可普遍應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測(cè)等核物理實(shí)驗(yàn)。此外，C...

半導(dǎo)體中的稀土稀土金屬，稀有金屬和稀散金屬共同組成了“三稀金屬”，而三稀金屬被應(yīng)用在工業(yè)領(lǐng)域的各個(gè)方面，尤其是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。比如第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵，碲化銦，第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵等，此外稀土金屬還在拋光、靶材、激光燈方面，以其優(yōu)異的物理和化學(xué)屬性發(fā)揮著巨大作...

電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結(jié)果。主要包括原子的電離和激發(fā)，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過(guò)程。眾所周知，高能射線不能直接電離和激發(fā)無(wú)機(jī)閃爍晶體中的原子。相反，它們通過(guò)光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)產(chǎn)生...

根據(jù)出現(xiàn)的順序，無(wú)機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)制可分為以下五個(gè)階段：1.電離輻射的吸收和初級(jí)電子和空穴的產(chǎn)生；2.一次電子和空穴的弛豫，即產(chǎn)生大量的二次電子、空穴、光子、激子等電子激發(fā)；3.低能二次電子和空穴的弛豫(熱化)，即形成能約為能隙寬度Eg的熱化電子-空穴對(duì)；4...

Ce:YAP晶體生長(zhǎng)原料需要哪些？無(wú)機(jī)閃爍晶體在將高能射線或粒子轉(zhuǎn)化為低能光子的過(guò)程中，會(huì)發(fā)生一系列微觀過(guò)程，如一級(jí)和二級(jí)電離和激發(fā)、電子-空穴、光子和激子的遷移、電子與電子、電子與聲子(矩陣)之間的弛豫、電子-空穴對(duì)的俘獲、電子-空穴對(duì)與熒光中心之間的能量轉(zhuǎn)...