在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對(duì)稱(chēng)性取代Y3位。在晶體場(chǎng)的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級(jí)分裂為5個(gè)子能級(jí)，比較低5d子能級(jí)離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點(diǎn)。在可見(jiàn)光范圍內(nèi)可以觀(guān)察到4個(gè)特征吸收峰，峰值波長(zhǎng)分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對(duì)應(yīng)于Ce3離子從4f到5d的亞能級(jí)躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對(duì)應(yīng)比較低5d子能級(jí)至2F5/2基態(tài)能級(jí)。CeYAG晶體的閃爍特性及其應(yīng)用。云南進(jìn)口CeYAG晶體供應(yīng)
CeYAG閃爍晶體還具有較好的光脈沖區(qū)分γ射線(xiàn)和α粒子的能力，能發(fā)射與硅光二極管有效耦合的550nm 熒光，以及具有YAG基質(zhì)優(yōu)良的物理化學(xué)等特征。因此，CeYAG與硅光二極管耦合做成的閃爍探測(cè)器可以應(yīng)用于帶電粒子探測(cè)等核物理的實(shí)驗(yàn)中。另外，CeYAG單晶片還可以用作掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測(cè)方面有著重要的應(yīng)用。據(jù)報(bào)道現(xiàn)有人研究用CeYAG單晶代替CeYAG熒光粉作高亮白光LED熒光材料。希望以上的一些介紹能夠幫助到你。廣西人工CeYAG晶體價(jià)格CeYAG晶體的良好的溫度機(jī)械性能有利于制備出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。
一種生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法技術(shù)，坩堝下降法生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法。該晶體化學(xué)式為：(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12；0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.05；其中A為L(zhǎng)u、Tb、Pr、La、Gd中的一種；B為Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一種。晶體生長(zhǎng)爐溫范圍1900～2000℃，坩堝下降方向固液界面的溫度梯度為10～50℃/cm，坩堝下降速率為0.1～5mm/h，籽晶可采用等方向，坩堝直徑為30～120mm，高度為50～200mm。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)采用坩堝下降法具有操作簡(jiǎn)單，成本低，生長(zhǎng)的CeYAG晶體體積大、內(nèi)部缺陷少、摻雜濃度高等優(yōu)點(diǎn)。
Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線(xiàn)和粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應(yīng)用。因此，用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測(cè)器可普遍應(yīng)用于低能射線(xiàn)、粒子等輕帶電粒子的探測(cè)等核物理實(shí)驗(yàn)。此外，Ce:YAG單片機(jī)還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測(cè)中有著重要而普遍的應(yīng)用。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小，光衰減快，在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。表1-11比較了Ce3360 YAG和CsI:Tl閃爍晶體的主要閃爍特性。提拉法生長(zhǎng)Ce:YAG晶體?
什么是閃爍晶體？對(duì)于閃爍晶體你了解得多嗎？它應(yīng)用在哪些方面呢？在醫(yī)學(xué)上，閃爍晶體是核醫(yī)學(xué)影像設(shè)備比如X光、CT等檢查設(shè)備的關(guān)鍵部件。同時(shí)，在行李安檢、集裝箱檢查、大型工業(yè)設(shè)備無(wú)損探傷、石油測(cè)井、放射性探測(cè)、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域，閃爍晶體都發(fā)揮著不可替代的作用。既然說(shuō)閃爍晶體是典型的光電轉(zhuǎn)換材料，那么測(cè)試閃爍晶體的發(fā)射光譜就必不可少了。此類(lèi)材料主要用X射線(xiàn)做激發(fā)，用可見(jiàn)波段響應(yīng)的探測(cè)器進(jìn)行探測(cè)采集。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。Ce:YAG晶體拋光難度大嗎？江西生長(zhǎng)CeYAG晶體作用
CeYAG晶體在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。云南進(jìn)口CeYAG晶體供應(yīng)
在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對(duì)稱(chēng)性取代Y3位。在晶體場(chǎng)的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級(jí)分裂為5個(gè)子能級(jí)，比較低5d子能級(jí)離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點(diǎn)。在可見(jiàn)光范圍內(nèi)可以觀(guān)察到4個(gè)特征吸收峰，峰值波長(zhǎng)分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對(duì)應(yīng)于Ce3離子從4f到5d的亞能級(jí)躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對(duì)應(yīng)比較低5d子能級(jí)至2F5/2基態(tài)能級(jí)。如果高能射線(xiàn)入射，其熒光光譜向紅色移動(dòng)，發(fā)射波長(zhǎng)為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。云南進(jìn)口CeYAG晶體供應(yīng)
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