常在印刷電路板，液晶顯示面板，半導(dǎo)體集成電路等工藝制造過程中，需要通過多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路，形成微電路之后，進(jìn)一步用剝離液將涂覆在微電路保護(hù)區(qū)域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產(chǎn)工藝主要包含光阻涂布、顯影、去光阻、相關(guān)清洗作業(yè)四大階段，其中在去光阻階段會(huì)產(chǎn)生部分剝離液。印制電路板生產(chǎn)工藝相當(dāng)復(fù)雜。不僅設(shè)備和制造工藝的科技含量高，工藝流程長，用水量大，而且所用的化學(xué)藥品（包括各種添加劑）種類多、用量大。因此，在用減成法生產(chǎn)印刷線路板的過程中，產(chǎn)污環(huán)節(jié)多，種類繁雜，物料損耗大。可分為干法加工(設(shè)計(jì)和布線、模版制作、鉆孔...

本技術(shù)通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)上述目的：一種印刷品膠面印刷剝離復(fù)合裝置，包括主支撐架、橫向支架、伺服變頻電機(jī)、電機(jī)減速箱、印刷品放置箱、表面印刷結(jié)構(gòu)、膠面剝離結(jié)構(gòu)，所述主支撐架上方設(shè)置有所述橫向支架，所述橫向支架上方設(shè)置有所述伺服變頻電機(jī)，所述伺服變頻電機(jī)上方設(shè)置有所述電機(jī)減速箱，所述電機(jī)減速箱上方安裝有印刷品傳送帶，所述印刷品傳送帶一側(cè)安裝有所述印刷品放置箱，所述印刷品放置箱一側(cè)安裝有所述表面印刷結(jié)構(gòu)，所述表面印刷結(jié)構(gòu)上方設(shè)置有油墨放置箱,所述油墨放置箱下方安裝有油墨加壓器，所述油墨加壓器下方安裝有高壓噴頭，所述高壓噴頭一側(cè)安裝有防濺射擋板。選擇剝離液，提升工作效率，降低成本。江蘇市面上哪家剝...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種用于包括但不限于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中光刻膠去除步驟的光刻膠剝離去除方法。背景技術(shù)：光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照?qǐng)D案的媒介。光刻膠的也稱為光致抗蝕劑、光阻等，其作用是作為抗刻蝕層保護(hù)襯底表面。光刻膠廣泛應(yīng)用于集成電路(ic)、封裝(packaging)、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)、光電子器件光子器件(optoelectronics/photonics)、平板顯示其(led、lcd、oled)和太陽能光伏(solarpv)等領(lǐng)域。在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，離子注入層光刻膠(參考圖2)在經(jīng)過高劑量或大...

需要說明的是，本發(fā)明剝離液中，推薦*由上述成分構(gòu)成，但只要不阻礙本發(fā)明的效果，可以含有例如聚氧化烯烷基醚系、硅系的消泡劑等其它成分。以上說明的本發(fā)明剝離液可以通過將上述成分溶于水中來制備。需要說明的是，本發(fā)明剝離液的ph若為堿性則沒有特別限定，但通常**將上述成分溶于水就成為堿性，因此沒有特別必要調(diào)整ph。另外，本發(fā)明剝離液可以通過將上述成分分別分開預(yù)先溶于水，成為抗蝕劑的剝離液套件，將它們混合來制備。具體來說，可以舉出以包含含有鉀鹽的第1液和含有溶纖劑的第2液為特征的抗蝕劑的剝離液套件、其中還包含含有硅酸鹽的第3液的抗蝕劑的剝離液套件、進(jìn)而在其中使上述其它成分適當(dāng)含有于各液中的抗蝕劑的剝離液...

本技術(shù)通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)上述目的：一種印刷品膠面印刷剝離復(fù)合裝置，包括主支撐架、橫向支架、伺服變頻電機(jī)、電機(jī)減速箱、印刷品放置箱、表面印刷結(jié)構(gòu)、膠面剝離結(jié)構(gòu)，所述主支撐架上方設(shè)置有所述橫向支架，所述橫向支架上方設(shè)置有所述伺服變頻電機(jī)，所述伺服變頻電機(jī)上方設(shè)置有所述電機(jī)減速箱，所述電機(jī)減速箱上方安裝有印刷品傳送帶，所述印刷品傳送帶一側(cè)安裝有所述印刷品放置箱，所述印刷品放置箱一側(cè)安裝有所述表面印刷結(jié)構(gòu)，所述表面印刷結(jié)構(gòu)上方設(shè)置有油墨放置箱,所述油墨放置箱下方安裝有油墨加壓器，所述油墨加壓器下方安裝有高壓噴頭，所述高壓噴頭一側(cè)安裝有防濺射擋板。剝離液中加入添加劑可保護(hù)金屬層；紹興配方剝離液推薦廠...

可選擇的，旋涂光刻膠厚度范圍為1000?！?0000埃。s3，執(zhí)行離子注入：可選擇的，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕，對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離；如背景技術(shù)中所述，經(jīng)過高劑量或大分子量的源種注入后，會(huì)在光刻膠的外層形成一層硬殼即為主要光刻膠層，主要光刻膠層包裹在第二光刻膠層外。使氮?dú)浠旌蠚怏w與光刻膠反應(yīng)生成含氨揮發(fā)性化合物氣體，反應(yīng)速率平穩(wěn)，等離子體氮?dú)浠旌蠚怏w與主要光刻膠層、第二光刻膠層的反應(yīng)速率相等。等離子體氮?dú)浠旌蠚怏w先剝離去除主要光刻膠層，參考圖8所示。再逐步剝離去除第二光刻膠層，參考圖9和圖10所示?？蛇x的，等離子...

濕電子化學(xué)品位于電子信息產(chǎn)業(yè)偏中上游的材料領(lǐng)域。濕電子化學(xué)品上游是基 礎(chǔ)化工產(chǎn)品，下游是電子信息產(chǎn)業(yè)（信息通訊、消費(fèi)電子、家用電器、汽車電子、 LED、平板顯示、太陽能電池、**等領(lǐng)域）。濕電子化學(xué)品的生產(chǎn)工藝主要采用物 理的提純技術(shù)及混配技術(shù)，將工業(yè)級(jí)的化工原料提純?yōu)槌瑑舾呒兓瘜W(xué)試劑，并按照 特定的配方混配為具有特定功能性的化學(xué)試劑。濕電子化學(xué)品行業(yè)是精細(xì)化工和電 子信息行業(yè)交叉的領(lǐng)域，其行業(yè)特色充分融入了兩大行業(yè)的自身特點(diǎn)，具有品種多、 質(zhì)量要求高、對(duì)環(huán)境潔凈度要求苛刻、產(chǎn)品更新?lián)Q代快、產(chǎn)品附加值高、資金投入 量大等特點(diǎn)，是化工領(lǐng)域相當(dāng)有發(fā)展前景的領(lǐng)域之一。剝離液的使用方法和條件；江...

濕電子化學(xué)品位于電子信息產(chǎn)業(yè)偏中上游的材料領(lǐng)域。濕電子化學(xué)品上游是基 礎(chǔ)化工產(chǎn)品，下游是電子信息產(chǎn)業(yè)（信息通訊、消費(fèi)電子、家用電器、汽車電子、 LED、平板顯示、太陽能電池、**等領(lǐng)域）。濕電子化學(xué)品的生產(chǎn)工藝主要采用物 理的提純技術(shù)及混配技術(shù)，將工業(yè)級(jí)的化工原料提純?yōu)槌瑑舾呒兓瘜W(xué)試劑，并按照 特定的配方混配為具有特定功能性的化學(xué)試劑。濕電子化學(xué)品行業(yè)是精細(xì)化工和電 子信息行業(yè)交叉的領(lǐng)域，其行業(yè)特色充分融入了兩大行業(yè)的自身特點(diǎn)，具有品種多、 質(zhì)量要求高、對(duì)環(huán)境潔凈度要求苛刻、產(chǎn)品更新?lián)Q代快、產(chǎn)品附加值高、資金投入 量大等特點(diǎn)，是化工領(lǐng)域相當(dāng)有發(fā)展前景的領(lǐng)域之一。哪家公司的剝離液的口碑比較...

按照組成成分和應(yīng)用工藝不同，濕電子化學(xué)品可分為通用性和功能性濕電子化學(xué)品。通用濕電子化學(xué)品以超凈高純?cè)噭橹?，一般為單組份、單功能、被大量使用的液體化學(xué)品，按照性質(zhì)劃分可分為：酸類、堿類、有機(jī)溶劑類和其他類。酸類包括氫氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸等；堿類包括氨水、氫氧化鈉、氫氧化鉀等；有機(jī)溶劑類包括甲醇、乙醇、異丙醇、**、乙酸乙酯等；其他類包括雙氧水等。功能濕電子化學(xué)品指通過復(fù)配手段達(dá)到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的復(fù)配類化學(xué)品，即在單一的超凈高純?cè)噭ɑ蚨喾N超凈高純?cè)噭┑呐浜希┗A(chǔ)上，加入水、有機(jī)溶劑、螯合劑、表面活性劑混合而成的化學(xué)品。例如剝離液、顯影液、蝕刻液、清洗液等...

可選擇的，旋涂光刻膠厚度范圍為1000?！?0000埃。s3，執(zhí)行離子注入：可選擇的，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕，對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離；如背景技術(shù)中所述，經(jīng)過高劑量或大分子量的源種注入后，會(huì)在光刻膠的外層形成一層硬殼即為主要光刻膠層，主要光刻膠層包裹在第二光刻膠層外。使氮?dú)浠旌蠚怏w與光刻膠反應(yīng)生成含氨揮發(fā)性化合物氣體，反應(yīng)速率平穩(wěn)，等離子體氮?dú)浠旌蠚怏w與主要光刻膠層、第二光刻膠層的反應(yīng)速率相等。等離子體氮?dú)浠旌蠚怏w先剝離去除主要光刻膠層，參考圖8所示。再逐步剝離去除第二光刻膠層，參考圖9和圖10所示?？蛇x的，等離子...

從而可以在閥門開關(guān)60關(guān)閉后取下被阻塞的過濾器30進(jìn)行清理并不會(huì)導(dǎo)致之后的下一級(jí)腔室102的剝離進(jìn)程無法繼續(xù)。其中，腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級(jí)向玻璃基板分別提供剝離液；與多個(gè)腔室10分別對(duì)應(yīng)連接的多個(gè)存儲(chǔ)箱20，各級(jí)腔室10分別通過管道與相應(yīng)的存儲(chǔ)箱20連接，存儲(chǔ)箱20用于收集和存儲(chǔ)來自當(dāng)前級(jí)腔室101的經(jīng)歷剝離制程的剝離液；過濾器30用于過濾來自當(dāng)前級(jí)腔室101的存儲(chǔ)箱20的剝離液，并且過濾器30還可以通過管道與下一級(jí)腔室102連接，從而過濾器30可以將過濾后的剝離液輸送給下一級(jí)腔室102。各腔室10設(shè)計(jì)為適合進(jìn)行剝離制程，用于向制程中的玻璃基板供給剝離液，...

IC去除剝離液MSDS1.產(chǎn)品屬性產(chǎn)品形式：混合溶液產(chǎn)品名稱：ANS-908產(chǎn)品功能描述：用于COG重工，使IC與玻璃無損傷分離2.組成成份化學(xué)名稱CASNo含量%(v)1-METHYL-2-PYRROLIDINONE872-50-445~90N,N-DIMETHYLACETAMIDE127-19-510~58Other12~45SurfactantThickener3.危險(xiǎn)識(shí)別可燃性液體和蒸汽警示標(biāo)識(shí)外觀：透明或微黃氣味：類氨對(duì)人類和環(huán)境的危害：對(duì)眼睛和皮膚有刺激性吸入：會(huì)引起呼吸道受刺激，肝臟、腎受傷害，對(duì)系統(tǒng)有影響攝?。簳?huì)引起呼吸道和消化道刺激長期接觸：會(huì)引起皮膚傷害4.緊急處理...

本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第二實(shí)施例，用于半導(dǎo)體制造工藝中，可應(yīng)用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導(dǎo)體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成光刻圖形阻擋層；s3，執(zhí)行離子注入，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕，對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離，氫氮混合比例范圍為4:96～30:70。s5，對(duì)襯底表面進(jìn)行清洗，清洗液采用氧化硫磺混合物溶液和過氧化氨混合物溶液。本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第三實(shí)施例，用于半導(dǎo)體制造工藝中，可...

避免接觸皮膚、眼睛和衣服；存儲(chǔ)：密閉存放在陰涼干燥的地方8.防燥和人員保護(hù)極限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationcategory-II,2)(Vapour)(skin)10ppmAIHA,TWAN,N-DIMETHYLACETAMIDE-TWA:10ppm,35mg/m3通風(fēng)：良好的通風(fēng)措施，保持良好通風(fēng)人員保護(hù)設(shè)備：橡膠手套、防護(hù)目鏡，避免接觸皮膚、眼睛、衣服、避免吸入蒸汽壓；9.物理和化學(xué)性能物理測試：液體顏色：微黃氣味:類氨熔點(diǎn):-24~-23℃沸點(diǎn)：165~204℃閃點(diǎn):110℃蒸汽壓mmHg@...

從而可以在閥門開關(guān)60關(guān)閉后取下被阻塞的過濾器30進(jìn)行清理并不會(huì)導(dǎo)致之后的下一級(jí)腔室102的剝離進(jìn)程無法繼續(xù)。其中，腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級(jí)向玻璃基板分別提供剝離液；與多個(gè)腔室10分別對(duì)應(yīng)連接的多個(gè)存儲(chǔ)箱20，各級(jí)腔室10分別通過管道與相應(yīng)的存儲(chǔ)箱20連接，存儲(chǔ)箱20用于收集和存儲(chǔ)來自當(dāng)前級(jí)腔室101的經(jīng)歷剝離制程的剝離液；過濾器30用于過濾來自當(dāng)前級(jí)腔室101的存儲(chǔ)箱20的剝離液，并且過濾器30還可以通過管道與下一級(jí)腔室102連接，從而過濾器30可以將過濾后的剝離液輸送給下一級(jí)腔室102。各腔室10設(shè)計(jì)為適合進(jìn)行剝離制程，用于向制程中的玻璃基板供給剝離液，...

本發(fā)明涉及化學(xué)制劑技術(shù)領(lǐng)域：，特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)以及立體封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和電子產(chǎn)品對(duì)多功能化和微型化的要求越來越高。在這種小型化趨勢的推動(dòng)下，要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術(shù)的封裝體積小，立體空間大，引線距離短，信號(hào)傳輸快，所以能夠更好地實(shí)現(xiàn)封裝的微型化。晶圓疊層是3d疊層封裝的一種形式。疊層晶圓在制造的過程中會(huì)對(duì)**外層的晶圓表面進(jìn)行顯影蝕刻，當(dāng)中會(huì)用到光刻膠剝離液。剝離液有怎么進(jìn)行分類的。南京BOE蝕刻液剝離液費(fèi)用 本發(fā)明涉及剝離液技術(shù)領(lǐng)域：，更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：電子...

本發(fā)明下述示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整，并且將這些示例性具體實(shí)施例的技術(shù)方案充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。如圖1所示，本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法主要實(shí)施例，用于半導(dǎo)體制造工藝中，可應(yīng)用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導(dǎo)體襯底上淀積介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成光刻圖形阻擋層；s3，執(zhí)行離子注入：s4，采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕，對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離；s5，對(duì)襯底表面進(jìn)行清洗。本發(fā)明...

剝離液是一種通用濕電子化學(xué)品，主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質(zhì)，同時(shí)防止對(duì)襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽能電池等生產(chǎn)濕法工藝制造的關(guān)鍵性電子化工材料，下游應(yīng)用領(lǐng)域，但整體應(yīng)用需求較低，因此市場規(guī)模偏小。剝離液應(yīng)用在太陽能電池中，對(duì)于剝離液的潔凈度要求較低，需達(dá)到G1等級(jí)，下游客戶主要要天合、韓華、通威等；應(yīng)用到面板中，通常要達(dá)到G2、G3等級(jí)，且高世代線對(duì)于剝離液的要求要高于低世代線，下游客戶有京東方、中星光電；在半導(dǎo)體中的應(yīng)用可分等級(jí)，在8英寸及以下的晶圓制造中，對(duì)于剝離液的要求達(dá)到G3、G4水平，大硅片、12英寸晶元等產(chǎn)品要達(dá)到G5水平。...

參考圖7)，這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會(huì)被增強(qiáng)呈現(xiàn)，傳遞到柵極成型工序時(shí)會(huì)對(duì)柵極圖形產(chǎn)生嚴(yán)重的影響，即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷，在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開或橋接，直接降低了產(chǎn)品良率。另外，在氧氣灰化階段，由于等離子氧可以穿透襯底表面上的氧化層到達(dá)襯底硅區(qū)，直接與硅反應(yīng)產(chǎn)生二氧化硅，增加了硅損失，會(huì)影響器件閾值電壓及漏電流，也會(huì)影響產(chǎn)品良率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念,該簡化形式的概念均為本領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)簡化，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)...

隨著國內(nèi)電子制造產(chǎn)業(yè)和光電產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，光刻膠剝離液等電子化學(xué)品的使用量也大為増加。特別是縱觀近幾年度的光電行業(yè)，風(fēng)靡全球的智能手持設(shè)備、移動(dòng)終端等簡直成為了光電行業(yè)的風(fēng)向標(biāo)：與之相關(guān)的光電領(lǐng)域得到了飛速的發(fā)展，鏡頭模組、濾光片、LTPS液晶顯示面板、觸摸屏幕、傳感器件等等。而光電行業(yè)的其他領(lǐng)域，雖然也有增長，但是遠(yuǎn)不及與智能手持設(shè)備相關(guān)的光電領(lǐng)域。工業(yè)上所使用的剝離液主要是有機(jī)胺和極性有機(jī)溶劑的組合物，通過溶脹和溶解方式剝離除去光刻膠。上述有機(jī)胺可包括單乙醇胺(MEA)，二甲基乙酰胺(DMAC)，N-甲基甲酰胺(NMF)，N-甲基ニ乙醇胺(MDEA)等。上述極性有機(jī)溶劑可包括二...

所述過濾器包括多個(gè)并列排布的子過濾器，所述道包括多個(gè)子管道，每一所述子管道與一子過濾器連通，且所述多個(gè)子管道與當(dāng)前級(jí)腔室對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱連通。在一些實(shí)施例中，所述第二管道包括公共子管道及多個(gè)第二子管道，每一所述第二子管道與一子過濾器連通，每一所述第二子管道與所述公共子管道連通，所述公共子管道與所述下一級(jí)腔室連通。在一些實(shí)施例中，所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述子管道上。在一些實(shí)施例中，所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述第二子管道上。在一些實(shí)施例中，所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述子管道及每一所述第二子管道上。在一些實(shí)施例中，所述第二管道包括多個(gè)第三子管道，每一所述第三子管道與一子過濾器連通，且每一所述第三子管...

本發(fā)明下述示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整，并且將這些示例性具體實(shí)施例的技術(shù)方案充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。如圖1所示，本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法主要實(shí)施例，用于半導(dǎo)體制造工藝中，可應(yīng)用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導(dǎo)體襯底上淀積介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成光刻圖形阻擋層；s3，執(zhí)行離子注入：s4，采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕，對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離；s5，對(duì)襯底表面進(jìn)行清洗。本發(fā)明...

本發(fā)明涉及剝離液技術(shù)領(lǐng)域：，更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：電子行業(yè)飛速發(fā)展，光刻膠應(yīng)用也越來越。在半導(dǎo)體元器件制造過程中，經(jīng)過涂敷-顯影-蝕刻過程，在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后，必須在除去殘余光刻膠的同時(shí)不能損傷任何基材，才能再進(jìn)行下道工序。因此，光刻膠的剝離質(zhì)量也有直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。但是傳統(tǒng)光刻膠剝離液雖然能剝離絕大部分光阻，但對(duì)于高世代面板(高世代面板是代指大尺寸的液晶面板)，傳統(tǒng)剝離液親水性不夠，水置換能力較差，容易造成面板邊緣光刻膠殘留。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的是提供一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技...

高世代面板)表面上，或透入其表面，而把固體物料潤濕，剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。因此，本申請(qǐng)中的高世代面板銅制程光刻膠剝離液由酰胺、醇醚、環(huán)胺與鏈胺、緩蝕劑、潤濕劑組成。其中，酰胺可以為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n，n-二甲基甲酰胺中的任意一種或多種，酰胺是用于溶解光刻膠；n-甲基甲酰胺下面簡稱″nmf″醇醚為二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一種或多種，醇醚是用于潤濕、膨潤、溶解光刻膠的；二乙二醇丁醚下面簡稱″bdg″。環(huán)胺與鏈胺，用于滲透、斷開光刻膠分子間弱結(jié)合力；鏈胺：分子量的大小決定瞬間溶解力，分子量過大瞬間溶解力小，光刻膠未被完...

在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的種結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的工作方法的流程示意圖。具體實(shí)施方式目前剝離液機(jī)臺(tái)在工作時(shí)，如果過濾剝離光阻時(shí)產(chǎn)生的薄膜碎屑的過濾器被阻塞，則需要?jiǎng)冸x液機(jī)臺(tái)內(nèi)的所有工作單元，待被阻塞的過濾器被清理后，才能重新進(jìn)行剝離制程，使得機(jī)臺(tái)需頻繁停線以更換過濾器，極大的降低了生產(chǎn)效率。請(qǐng)參閱圖1，圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的...

閥門開關(guān)60設(shè)置在每一子管道301上。在一些實(shí)施例中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實(shí)施例中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一第二子管道502上。具體的，閥門開關(guān)60的設(shè)置位置可以設(shè)置在連接過濾器30的任意管道上，在此不做贅述。在一些實(shí)施例中，請(qǐng)參閱圖4，圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)100的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。第二管道50包括多個(gè)第三子管道503，每一所述第三子管道503與一子過濾器連通301，且每一所述第三子管道503與所述下一級(jí)腔室連通102。其中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一第三子管道503上。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)，包括：依次順序排列的多級(jí)腔室...

圖3是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖二，其離子注入步驟。圖4是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖三，其顯示離子注入后光刻膠形成了主要光刻膠層和第二光刻膠層。圖5是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖四，其顯示光刻膠膨脹。圖6是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖五，其顯示光刻膠炸裂到臨近光刻膠。圖7是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖六，其顯示光刻膠去除殘留。圖8是本發(fā)明光刻膠剝離去除示意圖一，其顯示首先剝離去除主要光刻膠層。圖9是本發(fā)明光刻膠剝離去除示意圖二，其顯示逐步剝離去除第二光刻膠層的中間過程。圖10是本發(fā)明光刻膠剝離去除示意圖三，其顯示完全去除光刻膠后的襯底。圖11是采用現(xiàn)有技術(shù)剝離去除光刻膠殘...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種剝離液機(jī)臺(tái)及其工作方法。背景技術(shù)：剝離(lift-off)工藝通常用于薄膜晶體管(thinfilmtransistor)制程中的光罩縮減，lift-off先形成光阻并圖案化，再在光阻上成膜，移除光阻的同時(shí)，沉積在光阻上的膜層也被剝離，從而完成膜層的圖形化，通過該制程可以實(shí)現(xiàn)兩次光刻合并為一次以達(dá)到光罩縮減的目的。現(xiàn)有技術(shù)中，由于光阻上沉積了薄膜(該薄膜材料可以為金屬，ito(氧化銦錫)等用于制備tft的膜層)，在剝離光阻的同時(shí)薄膜碎屑被帶入剝離液(stripper)中，大量的薄膜碎屑將會(huì)導(dǎo)致剝離液機(jī)臺(tái)中的過濾器(filter)堵塞，從而導(dǎo)致機(jī)臺(tái)...

每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通，所述公共子管道501與所述下一級(jí)腔室102連通。其中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一子管道301上。在一些實(shí)施例中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實(shí)施例中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一第二子管道502上。具體的，閥門開關(guān)60的設(shè)置位置可以設(shè)置在連接過濾器30的任意管道上，在此不做贅述。在一些實(shí)施例中，請(qǐng)參閱圖4，圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)100的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。第二管道50包括多個(gè)第三子管道503，每一所述第三子管道503與一子過濾器連通301，且每一所述第三子管道503與所述下一級(jí)腔室連...

光刻膠又稱光致抗蝕劑，主要由感光樹脂、增感劑和溶劑三種成分組成。感光樹脂經(jīng)光照后，在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應(yīng)，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)曝光、顯影、刻蝕、擴(kuò)散、離子注入、金屬沉積等工藝將所需的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移至加工的基板上、***通過去膠剝離液將未曝光部分余下的光刻膠清洗掉，從而完成整個(gè)圖形轉(zhuǎn)移過程。在液晶面板和amoled生產(chǎn)中***使用。現(xiàn)有的剝離液主要有兩種，分別是水性剝離液和有機(jī)剝離液，由于有機(jī)剝離液只能用于具有mo/al/mo結(jié)構(gòu)的制程中，無法用于ito/ag/ito；且乙醇胺的含量高達(dá)60％以上，有很強(qiáng)的腐蝕性，因此，常用的剝...