在光刻圖案化工藝中,首先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜。接著在復雜的曝光裝置中,光線通過一個具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上。曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學變化,在隨后的化學顯影過程中被去除。較后掩模的圖案就被轉(zhuǎn)移到了光刻膠膜上。而在隨后的蝕刻 或離子注入工藝中,會對沒有光刻膠保護的硅片部分進行刻蝕,較后洗去剩余光刻膠。這時光刻膠的圖案就被轉(zhuǎn)移到下層的薄膜上,這種薄膜圖案化的過程經(jīng)過多次迭代,聯(lián)同其他多個物理過程,便產(chǎn)生集成電路。干法刻蝕能夠滿足亞微米/納米線寬制程技術的要求,且在微納加工技術中被大量使用。吉林刻蝕微納加工工藝微納加工氧化工藝是在高溫下,襯底的硅直接與O2發(fā)生反應生成SiO2,后續(xù)O...
基于光刻工藝的微納加工技術主要包含以下過程:掩模(mask)制備、圖形形成及轉(zhuǎn)移(涂膠、曝光、顯影)、薄膜沉積、刻蝕、外延生長、氧化和摻雜等。在基片表面涂覆一層某種光敏介質(zhì)的薄膜(抗蝕膠),曝光系統(tǒng)把掩模板的圖形投射在(抗蝕膠)薄膜上,光(光子)的曝光過程是通過光化學作用使抗蝕膠發(fā)生光化學作用,形成微細圖形的潛像,再通過顯影過程使剩余的抗蝕膠層轉(zhuǎn)變成具有微細圖形的窗口,后續(xù)基于抗蝕膠圖案進行鍍膜、刻蝕等可進一步制作所需微納結構或器件。微納加工技術的特點:多樣化。安徽MEMS微納加工價錢掩模板是根據(jù)放大了的原圖制備的帶有透明窗口的模板。例如,可以用平整的玻璃板,涂覆上金屬鉻薄膜,通過類似照相制版...