皮秒激光精密微孔加工應用作為一種激光精密加工技術，皮秒激光在對高硬度金屬微孔加工方面的應用早在20世紀90年代初就有報道。1996年德國學者Chichkov等研究了納秒、皮秒以及飛秒激光與材料的作用機理，并在真空靶室中對厚度100μm的不銹鋼進行了打孔實驗，建立了激光微納加工的理論模型，為后續(xù)的激光微納加工實驗研究奠定了堅實的理論基礎。1998年Jandeleit等對厚度為250nm的銅膜進行了精密制孔實驗，實驗指出使用同一脈寬的皮秒激光器對厚度較薄的金屬材料制孔時，采用高峰值功率更有可能獲得高質量的的制孔效果。然而，優(yōu)異的加工效果不僅取決于脈沖寬度以及峰值功率，制孔方式也是一個至關重要的因素...

微納測試與表征技術是微納加工技術的基礎與前提，它包括在微納器件的設計、制造和系統(tǒng)集成過程中，對各種參量進行微米/納米檢測的技術。微米測量主要服務于精密制造和微加工技術，目標是獲得微米級測量精度，或表征微結構的幾何、機械及力學特性；納米測量則主要服務于材料工程和納米科學，特別是納米材料，目標是獲得材料的結構、地貌和成分的信息。在半導體領域人們所關心的與尺寸測量有關的參數(shù)主要包括：特征尺寸或線寬、重合度、薄膜的厚度和表面的糙度等等。未來，微納測試與表征技術正朝著從二維到三維、從表面到內部、從靜態(tài)到動態(tài)、從單參量到多參量耦合、從封裝前到封裝后的方向發(fā)展。探索新的測量原理、測試方法和表征技術，發(fā)展微納...

ICP（感應耦合等離子）刻蝕GaN是物料濺射和化學反應相結合的復雜過程?？涛gGaN主要使用到氯氣和三氯化硼，刻蝕過程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂，此為物理濺射，產(chǎn)生活性的Ga和N原子，氮原子相互結合容易析出氮氣，Ga原子和Cl離子生成容易揮發(fā)的GaCl2或者GaCl3。光刻（Photolithography)是一種圖形轉移的方法，在微納加工當中不可或缺的技術。光刻是一個比較大的概念，其實它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準，在紫外光下曝光一定的時間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間，...

微納加工技術的特點：（1）微電子化：采用MEMS工藝，可以把不同功能、不同敏感方向或致動方向的多個傳感器或執(zhí)行器集成于一體，或形成微傳感陣列、微執(zhí)行器陣列甚至把多種功能的器件集成在一起，形成復雜的微系統(tǒng)。微傳感器、微執(zhí)行器和微電子器件的集成可制造出可靠性、穩(wěn)定性比較高的微電子機械系統(tǒng)。（2）MEMS技術適合批量生產(chǎn)：用硅微加工工藝在同一硅片上同時可制造出成百上千微型機電裝置或完整的MEMS，批量生產(chǎn)可較大降低生產(chǎn)成本。（3）多學科交叉：MEMS涉及電子、機械、材料、制造、信息與自動控制、物理、化學和生物等多學科，并集約當今科學發(fā)展的許多成果。微納加工技術的特點：多樣化。南昌量子微納加工研究應著...

近年來，激光技術的飛速發(fā)展使的激光蝕刻技術孕育而生，類似于激光直寫技術，激光蝕刻技術通過控制聚焦的高能短波/脈沖激光束直接在基材上燒蝕材料并“雕刻”出微細結構。它不但能夠實現(xiàn)傳統(tǒng)意義的薄膜蝕刻，而且可以用來實現(xiàn)三維的微結構制作。飛秒高峰值功率激光于有機聚合物的介質的作用具有比較多科學上比較吸引人注目的特點，其中，雙光子作用下的聚合作用已被成功運用于三維納米結構制作，可以制作出非常復雜、特殊的三維微細結構。光刻膠是微納加工中微細圖形加工的關鍵材料之一。臨沂微納加工技術隨著聚合物精密擠出成型技術和現(xiàn)代納米技術的發(fā)展，聚合物制品逐漸向微型化發(fā)展，傳統(tǒng)擠出成型也朝著微型化發(fā)展，出現(xiàn)了微擠出成型技術。如...

選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少，它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比?；緝热荩焊哌x擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料（刻蝕到恰當?shù)纳疃葧r停止）并且保護的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進的工藝中為了確保關鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關鍵尺寸越小，選擇比要求越高。廣東省科學院半導體研究所。微納制造的加工材料多種多樣。濱州微納加工技術基于掩模板圖形傳遞的光刻工藝可制作宏觀尺寸的微細結構，受光學衍射的極限，適用于微米以上尺度的微細結構制作，部分優(yōu)化的光刻工藝可...

隨著電子束光刻技術和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術的出現(xiàn)，平面微納加工工藝正在推動以單電子器件與自旋電子器件為代標的新一代納米電子學的發(fā)展.當微納加工技術應用到光電子領域，就形成了新興的納米光電子技術，主要研究納米結構中光與電子相互作用及其能量互換的技術.納米光電子技術在過去的十多年里，一方面，以低維結構材料生長和能帶工程為基礎的納米制造技術有了長足的發(fā)展，包括分子束外延(MBE)、金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)和化學束外延(CBE)，使得在晶片表面外延生長方向(直方向)的外延層精度控制到單個原子層，從而獲得了具有量子尺寸效應的半導體材料;另一方面，平面納米加工工藝實現(xiàn)了納...

電子束的能量越高，束斑的直徑就越小，比如10keV的電子束斑直徑為4nm，20keV時就減小到2nm。電子束的掃描步長由束斑直徑所限制。步長過大，不能實現(xiàn)緊密地平面束掃描;步長過小，電子束掃描區(qū)域會受到過多的電子散射作用。電子束流劑量由電子束電流強度和駐留時間所決定。電子束流劑量過小，抗蝕劑不能完全感光;電子束流劑量過大，圖形邊緣的抗蝕劑會受到過多的電子散射作用。由于高能量的電子波長要比光波長短成百上千倍，因此限制分辨率的不是電子的衍射，而是各種電子像散和電子在抗蝕劑中的散射。電子散射會使圖形邊緣內側的電子能量和劑量降低，產(chǎn)生內鄰近效應;同時散射的電子會使圖形邊緣外側的抗蝕劑感光，產(chǎn)生外鄰近效...

微納加工MEMS器件設計：根據(jù)客戶需求，初步確定材料、工藝、和技術路線，并出具示意圖。版圖設計：在器件設計的基礎上，將客戶需求細化，并轉化成版圖設計。工藝設計：設計具體的工藝路線和實現(xiàn)路徑，生產(chǎn)工藝流程圖等技術要求。工藝流片：根據(jù)工藝設計和版圖設計，小批量試樣驗證。批量生產(chǎn)：在工藝流片的基礎上，進行批量驗證生產(chǎn)。MEMS微型傳感器及微機械結構圖：微納加工技術是先進制造的重要組成部分，是衡量國家高質量的制造業(yè)水平的標志之一，具有多學科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步、促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動科技進步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關鍵作用。微納加工技術的基本手段包括微納加工方法與材料科學方法兩...

微納加工工藝基本分為表面加工體加工兩大塊，基本流程如下：表面加工基本流程如下：首先：沉積系繩層材料；第二步：光刻定義系繩層圖形；第三步：刻蝕完成系繩層圖形轉移；第四步：沉積結構材料；第五步：光刻定義結構層圖形；第六步：刻蝕完成結構層圖形轉移；第七步：釋放去除系繩層，保留結構層，完成微結構制作；體加工基本流程如下：首先：沉積保護層材料；第二步：光刻定義保護圖形；第三步：刻蝕完成保護層圖形轉移；第四步：腐蝕硅襯底，在制作三維立體腔結構；第五步：去除保護層材料。機械微加工是微納制造中較方便，也較接近傳統(tǒng)材料加工方式的微成型技術。孝感微納加工技術微納制造技術不只是加工方法米），到納米級（千分之一微米）...

在微電子與光電子集成中，薄膜的形成方法主要有兩大類，及沉積和外延生長。沉積技術分為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法；化學氣相沉積是典型的化學方法；等離子體增強化學氣相沉積是物理與化學方法相結合的混合方法。薄膜沉積過程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉積部位和晶態(tài)結構都是隨機的，而沒有固定的晶態(tài)結構。外延生長實質上是材料科學的薄膜加工方法，其含義是：在一個單晶的襯底上，定向地生長出與基底晶態(tài)結構相同或相似的晶態(tài)薄層。其他薄膜成膜方法，如電化學沉積、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法、自組裝法等，也都普遍用于微納制作工藝中。高精度的微細結構可以通過電...

微流控芯片是在普通毛細管電泳的基本原理和技術的基礎上，利用微加工技術在硅、石英、玻璃或高分子聚合物基質材料上加工出各種微細結構，如管道、反應池、電極之類的功能單元，完成生物和化學等領域中所涉及的樣品制備、生化反應、處理（混合、過濾、稀釋）、分離檢測等一系列任務，具有快速、高效、低耗、分析過程自動化和應用范圍廣等特點的微型分析實驗裝置。目前已成為微全分析系統(tǒng)（micrototalanalysissystems,μ-TAS）和芯片實驗室（labonachip）的發(fā)展重點和前沿領域。為常見的聚合物微流控芯片形式。近年來，由于生化分析的復雜性和多樣性需求，微流控芯片技術的發(fā)展愈發(fā)趨于組合化和集成化，在...

ICP（感應耦合等離子）刻蝕GaN是物料濺射和化學反應相結合的復雜過程?？涛gGaN主要使用到氯氣和三氯化硼，刻蝕過程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂，此為物理濺射，產(chǎn)生活性的Ga和N原子，氮原子相互結合容易析出氮氣，Ga原子和Cl離子生成容易揮發(fā)的GaCl2或者GaCl3。光刻（Photolithography)是一種圖形轉移的方法，在微納加工當中不可或缺的技術。光刻是一個比較大的概念，其實它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準，在紫外光下曝光一定的時間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間，...

皮秒激光精密微孔加工應用作為一種激光精密加工技術，皮秒激光在對高硬度金屬微孔加工方面的應用早在20世紀90年代初就有報道。1996年德國學者Chichkov等研究了納秒、皮秒以及飛秒激光與材料的作用機理，并在真空靶室中對厚度100μm的不銹鋼進行了打孔實驗，建立了激光微納加工的理論模型，為后續(xù)的激光微納加工實驗研究奠定了堅實的理論基礎。1998年Jandeleit等對厚度為250nm的銅膜進行了精密制孔實驗，實驗指出使用同一脈寬的皮秒激光器對厚度較薄的金屬材料制孔時，采用高峰值功率更有可能獲得高質量的的制孔效果。然而，優(yōu)異的加工效果不僅取決于脈沖寬度以及峰值功率，制孔方式也是一個至關重要的因素...

微納制造技術的發(fā)展現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢統(tǒng)和其他綜合系統(tǒng)；納米生物學等。另一方面，微納技術的應用領域也得到了比較大拓展。到目前為止。微納技術已經(jīng)被普遍應用于****和民用產(chǎn)品。較主要的應用如納米級機械加工、電子束和離子束加微納技術一般指微米、納米級Ａ技術、掃描隧道顯微加工技術等。100nm）的材料、設計、制造、測量、控我國微納制造技術發(fā)展現(xiàn)狀制和產(chǎn)品的研究、加工、制造以及應用技由于受到基礎裝備、工藝技術、科研術。在基礎科研以及制造行業(yè)中，微納制經(jīng)費、行業(yè)基礎等多方面因素的影響。我造技術的研究從其誕生之初就一直牢據(jù)行國的微納制造技術的研究與世界先進水平業(yè)的杰出位置。微納加工技術的特點多學科交叉。黃山微納...

無論是大批量還是小規(guī)模生產(chǎn)定制產(chǎn)品，都需要開發(fā)新一代的模塊化、知識密集的、可升級的和可快速配置的生產(chǎn)系統(tǒng)。而這將用到那些新近涌現(xiàn)出來的微納技術研究成果以及新的工業(yè)生產(chǎn)理論體系。給出了微納制造系統(tǒng)與平臺的發(fā)展前景。未來幾年微納制造系統(tǒng)和平臺的發(fā)展前景包括以下幾個方面：（1）微納制造系統(tǒng)的設計、建模和仿真；（2）智能的、可升級的和適應性強的微納制造系統(tǒng)（工藝、設備和工具集成）；（3）新型靈活的、模塊化的和網(wǎng)絡化的系統(tǒng)結構，以構筑基于制造的知識。微納加工設備主要有：光刻、刻蝕、成膜、離子注入、晶圓鍵合等。衢州微納加工工藝微納加工中，材料濕法腐蝕是一個常用的工藝方法。材料的濕法化學刻蝕，包括刻蝕劑到達...

選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少，它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比。基本內容：高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料（刻蝕到恰當?shù)纳疃葧r停止）并且保護的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進的工藝中為了確保關鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關鍵尺寸越小，選擇比要求越高。廣東省科學院半導體研究所。我造技術的研究從其誕生之初就一直牢據(jù)行國的微納制造技術的研究與世界先進水平業(yè)的杰出位置。巴中鍍膜微納加工高精度的微細結構可以通過電子束直寫或激光直寫制作，這類光刻技術，像...

聚合物微納系統(tǒng)是較具應用前景的微納機電系統(tǒng)之一，按照微納制品的空間結構形式可以分為一維、二維和三維微納制造。一維微納制造：微流控芯片、導光板、納米薄膜、微納過濾材料、微納復合材料及器件等；二維微納制造：納米纖維、納米中空纖維等；三維微納制造：微泵、微換熱器、微型減速器、微型按插件等。聚合物是許多微納米系統(tǒng)的基礎材料，聚合物微納系統(tǒng)是較有希望在近期實現(xiàn)實際應用的系統(tǒng)之一，聚合物微納尺度制造科學與技術在微納制造技術中占有極其重要的地位。聚合物微加工工藝除了LIGA加工、準LIGA加工、小機械加工、超聲波加工、等離子體加工、激光加工、離子束加工、電子束加工和快速成形等工藝外，還包括微注塑成型、微擠出...

在光刻圖案化工藝中，首先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜。接著在復雜的曝光裝置中，光線通過一個具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上。曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學變化，在隨后的化學顯影過程中被去除。較后掩模的圖案就被轉移到了光刻膠膜上。而在隨后的蝕刻 或離子注入工藝中，會對沒有光刻膠保護的硅片部分進行刻蝕，較后洗去剩余光刻膠。這時光刻膠的圖案就被轉移到下層的薄膜上，這種薄膜圖案化的過程經(jīng)過多次迭代，聯(lián)同其他多個物理過程，便產(chǎn)生集成電路。微納加工平臺，主要是兩個方面：微納加工、微納檢測。嘉興微納加工工藝流程微納制造技術是指尺度為毫米、微米和納米量級的零件，以及由這些零件構成的部件或系統(tǒng)的設計、加工、組裝、集...

微納測試與表征技術是微納加工技術的基礎與前提，它包括在微納器件的設計、制造和系統(tǒng)集成過程中，對各種參量進行微米/納米檢測的技術。微米測量主要服務于精密制造和微加工技術，目標是獲得微米級測量精度，或表征微結構的幾何、機械及力學特性；納米測量則主要服務于材料工程和納米科學，特別是納米材料，目標是獲得材料的結構、地貌和成分的信息。在半導體領域人們所關心的與尺寸測量有關的參數(shù)主要包括：特征尺寸或線寬、重合度、薄膜的厚度和表面的糙度等等。未來，微納測試與表征技術正朝著從二維到三維、從表面到內部、從靜態(tài)到動態(tài)、從單參量到多參量耦合、從封裝前到封裝后的方向發(fā)展。探索新的測量原理、測試方法和表征技...

皮秒激光精密微孔加工應用作為一種激光精密加工技術，皮秒激光在對高硬度金屬微孔加工方面的應用早在20世紀90年代初就有報道。1996年德國學者Chichkov等研究了納秒、皮秒以及飛秒激光與材料的作用機理，并在真空靶室中對厚度100μm的不銹鋼進行了打孔實驗，建立了激光微納加工的理論模型，為后續(xù)的激光微納加工實驗研究奠定了堅實的理論基礎。1998年Jandeleit等對厚度為250nm的銅膜進行了精密制孔實驗，實驗指出使用同一脈寬的皮秒激光器對厚度較薄的金屬材料制孔時，采用高峰值功率更有可能獲得高質量的的制孔效果。然而，優(yōu)異的加工效果不僅取決于脈沖寬度以及峰值功率，制孔方式也是一個至關重要的因素...

微納加工中，材料濕法腐蝕是一個常用的工藝方法。材料的濕法化學刻蝕，包括刻蝕劑到達材料表面和反應產(chǎn)物離開表面的傳輸過程，也包括表面本身的反應。半導體技術中的許多刻蝕工藝是在相當緩慢并受速率控制的情況下進行的，這是因為覆蓋在表面上有一污染層。污染層厚度常有幾微米，如果化學反應有氣體逸出，則此層就可能破裂。濕法刻蝕工藝常常有反應物產(chǎn)生，這種產(chǎn)物受溶液的溶解速率的限制。為了使刻蝕速率提高，常常使溶液攪動，因為攪動增強了外擴散效應。多晶和非晶材料的刻蝕是各向異性的。然而，結晶材料的刻蝕可能是各向同性，也可能是各向異性的，它取決于反應動力學的性質。晶體材料的各向同性刻蝕常被稱作拋光刻蝕，因為它們產(chǎn)生平滑的...

微納加工工藝基本分為表面加工體加工兩大塊，基本流程如下：表面加工基本流程如下：首先：沉積系繩層材料；第二步：光刻定義系繩層圖形；第三步：刻蝕完成系繩層圖形轉移；第四步：沉積結構材料；第五步：光刻定義結構層圖形；第六步：刻蝕完成結構層圖形轉移；第七步：釋放去除系繩層，保留結構層，完成微結構制作；體加工基本流程如下：首先：沉積保護層材料；第二步：光刻定義保護圖形；第三步：刻蝕完成保護層圖形轉移；第四步：腐蝕硅襯底，在制作三維立體腔結構；第五步：去除保護層材料。微納加工平臺主要提供微納加工技術工藝。自貢超快微納加工微流控芯片是在普通毛細管電泳的基本原理和技術的基礎上，利用微加工技術在硅、石英、玻璃或...

微納制造技術屬國際前沿技術，作為未來制造業(yè)賴以生存的基礎和可持續(xù)發(fā)展的關鍵，其研發(fā)和應用標志著人類可以在微、納米尺度認識和改造世界。以聚合物為基礎材料的微納系統(tǒng)在整個微納系統(tǒng)中占有極其重要地位，是較具產(chǎn)業(yè)化開發(fā)前景的微納系統(tǒng)之一，聚合物微納制造技術也已經(jīng)開始得到應用并具有極大的發(fā)展空間。集中介紹了多種典型聚合物微納器件及系統(tǒng)，并對微注塑成型、微擠出成型和微納壓印成型等聚合物微納制造技術進行了系統(tǒng)的闡述，比較了各種聚合物微納制造技術的優(yōu)缺點和使用條件。末尾，結合國內外研究人員的研究成果，對聚合物微納制造技術的未來發(fā)展做出展望。微納加工包括光刻、磁控濺射、電子束蒸鍍、濕法腐蝕、干法腐蝕、表面形貌測...

研究應著眼于開發(fā)一種新型的可配置、可升級的微納制造平臺和系統(tǒng)，以降低大批量或是小規(guī)模定制產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。新一代微納制造系統(tǒng)應滿足下述要求：（1）能生產(chǎn)多種多樣高度復雜的微納產(chǎn)品；（2）具有微納特性的組件的小型化連續(xù)生產(chǎn)；（3）為了掌握基于整個生產(chǎn)加工鏈制造的知識，新設計和仿真系統(tǒng)的產(chǎn)品開發(fā)過程的全部跨學科知識進行條理化和儲存；（4）為了保證生產(chǎn)的靈活性和適應性，應確保在分布式制造中各企業(yè)的有效合作，以支撐通過新型商業(yè)生產(chǎn)、管理和物流方法來實現(xiàn)的中小型企業(yè)在綜合制造網(wǎng)絡中的有效整合；（5）是一個擁有更高級的智能和可靠性、可根據(jù)相應環(huán)境自行調整設置及生產(chǎn)加工參數(shù)的、可嵌入整個生產(chǎn)制造行業(yè)的制造系統(tǒng)...

“納米制造”路線圖強調了未來納米表面制造的發(fā)展。問卷調查探尋了納米表面制備所面臨的機遇。調查中提出的問題旨在獲取納米表面特征的相關信息：這種納米表面結構可以是形貌化、薄膜化的改良表面區(qū)域，也可以是具有相位調制或一定晶粒尺寸的涂層。這類結構構建于眾多固體材料表面，如金屬、陶瓷、玻璃、半導體和聚合物等。總結了調查結果與發(fā)現(xiàn)，并闡明了未來納米表面制造的前景。納米表面可產(chǎn)生自材料的消解、沉積、改性或形成過程。這導致制備出的納米表面帶有納米尺度所特有的新的化學、物理和生物特性（比如催化作用、磁性質、電性質、光學性質或抗細菌性）。在納米科學許多已有的和新興的子領域中，表面工程已經(jīng)實現(xiàn)了從基礎科學向現(xiàn)實應用...

ICP（感應耦合等離子）刻蝕GaN是物料濺射和化學反應相結合的復雜過程。刻蝕GaN主要使用到氯氣和三氯化硼，刻蝕過程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂，此為物理濺射，產(chǎn)生活性的Ga和N原子，氮原子相互結合容易析出氮氣，Ga原子和Cl離子生成容易揮發(fā)的GaCl2或者GaCl3。光刻（Photolithography)是一種圖形轉移的方法，在微納加工當中不可或缺的技術。光刻是一個比較大的概念，其實它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準，在紫外光下曝光一定的時間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間，...

微納加工技術指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設計、加工、組裝、系統(tǒng)集成與應用技術，涉及領域廣、多學科交叉融合，其較主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)（MEMS）。微納器件與系統(tǒng)是在集成電路制作上發(fā)展的系列**技術，研制微型傳感器、微型執(zhí)行器等器件和系統(tǒng)，具有微型化、批量化、成本低的鮮明特點，微納加工技術對現(xiàn)代的生活、生產(chǎn)產(chǎn)生了巨大的促進作用，并催生了一批新興產(chǎn)業(yè)。在Si片上形成具有垂直側壁的高深寬比溝槽結構是制備先進MEMS器件的關鍵工藝，其各向異性刻蝕要求非常嚴格。高深寬比的干法刻蝕技術以其刻蝕速率快、各向異性較強、污染少等優(yōu)點脫穎而出，成為MEMS器件加工...

微納制造技術一般是指微米、納米級的材料、設計、制造、測量控制和產(chǎn)品的研發(fā)、加工、制造以及應用技術。微納制造技術是繼IT、生物技術之后，21世紀較具發(fā)展?jié)摿Φ难芯款I域和新興產(chǎn)業(yè)之一。微納制造技術較早是由加工精度研究的角度延伸出來的。伴隨著科技進步和制造業(yè)的快速發(fā)展，人們對加工精度的要求越來越高，傳統(tǒng)加工方式的加工精度越來越難以滿足諸多領域的應用和研究需求。這一需求促使人們投入到更高精度加工技術的研發(fā)上。從較初的毫米級（10-3m）到微米級（10-6m）和納米級（10-9m），人類的制造水平逐步由宏觀尺度向微觀尺度邁進，“微納制造技術”的概念也應運而生。微納加工技術的特點：微型化。甘肅微納加工服務...

高精度的微細結構可以通過電子束直寫或激光直寫制作，這類光刻技術，像“寫字”一樣，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光，具有比較高的曝光精度，但這兩種方法制作效率極低，尤其在大面積制作方面捉襟見肘，目前直寫光刻技術*適用于小面積的微納結構制作。近年來，三維浮雕微納結構的需求越來越大，如閃耀光柵、菲涅爾透鏡、多臺階微光學元件等。據(jù)悉，某公司新上市的手機產(chǎn)品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學元件，以及當下如火如荼的無人駕駛技術中激光雷達光學系統(tǒng)也用到了復雜的微光學元件。這類精密的微納結構光學元件需采用灰度光刻技術進行制作。直寫技術，通過在光束移動過程中進行相應的曝光能量調節(jié)，可以實現(xiàn)良好的...