金華碳化硅半導體晶圓切割廠

隨著芯片輕薄化趨勢，中清航科DBG（先切割后研磨）與SDBG（半切割后研磨）設(shè)備采用漸進式壓力控制技術(shù)，切割階段只切入晶圓1/3厚度，經(jīng)背面研磨后自動分離。該方案將100μm以下晶圓碎片率降至0.01%，已應用于5G射頻模塊量產(chǎn)線。冷卻液純度直接影響切割良率。中清航科納米級過濾系統(tǒng)可去除99.99%的0.1μm顆粒，配合自主研發(fā)的抗靜電添加劑，減少硅屑附著造成的短路風險。智能溫控模塊維持液體粘度穩(wěn)定，延長刀片壽命200小時以上呢。中清航科推出晶圓切割應力補償算法，翹曲晶圓良率提升至98.5%。金華碳化硅半導體晶圓切割廠

半導體制造對潔凈度要求嚴苛，晶圓切割環(huán)節(jié)的微塵污染可能導致芯片失效。中清航科的切割設(shè)備采用全封閉防塵結(jié)構(gòu)與高效 HEPA 過濾系統(tǒng)，工作區(qū)域潔凈度達到 Class 1 標準，同時配備激光誘導等離子體除塵裝置，實時清理切割產(chǎn)生的微米級顆粒，使產(chǎn)品不良率降低至 0.1% 以下。在成本控制成為半導體企業(yè)核心競爭力的現(xiàn)在，中清航科通過技術(shù)創(chuàng)新實現(xiàn)切割耗材的大幅節(jié)約。其自主研發(fā)的金剛石切割刀片，使用壽命較行業(yè)平均水平延長 50%，且通過刀片磨損實時監(jiān)測與自動補償技術(shù)，減少頻繁更換帶來的停機損失，幫助客戶降低 20% 的耗材成本，在激烈的市場競爭中構(gòu)筑成本優(yōu)勢。嘉興半導體晶圓切割測試5G射頻芯片切割中清航科特殊工藝，金線偏移量＜0.8μm。

晶圓切割的工藝參數(shù)設(shè)置需要豐富的經(jīng)驗積累，中清航科開發(fā)的智能工藝推薦系統(tǒng)，基于千萬級切割數(shù)據(jù)訓練而成。只需輸入晶圓材料、厚度、切割道寬等基本參數(shù)，系統(tǒng)就能自動生成比較好的切割方案，包括激光功率、切割速度、聚焦位置等關(guān)鍵參數(shù)，新手操作人員也能快速達到工程師的工藝水平，大幅降低技術(shù)門檻。半導體產(chǎn)業(yè)對設(shè)備的占地面積有著嚴格要求，中清航科采用緊湊型設(shè)計理念，將晶圓切割設(shè)備的占地面積控制在 2 平方米以內(nèi)，較傳統(tǒng)設(shè)備減少 40%。在有限空間內(nèi)，通過巧妙的結(jié)構(gòu)布局實現(xiàn)全部功能集成，同時預留擴展接口，方便后續(xù)根據(jù)產(chǎn)能需求增加模塊，滿足不同規(guī)模生產(chǎn)車間的布局需求。

中清航科設(shè)備搭載AI參數(shù)推薦引擎，通過分析晶圓MAP圖自動匹配切割速度、進給量及冷卻流量。機器學習模型基于10萬+案例庫持續(xù)優(yōu)化，將工藝調(diào)試時間從48小時縮短至2小時，快速響應客戶多品種、小批量需求。SiC材料硬度高、脆性大，傳統(tǒng)切割良率不足80%。中清航科采用激光誘導劈裂技術(shù)（LIPS），通過精確控制激光熱影響區(qū)引發(fā)材料沿晶向解理，切割速度達200mm/s，崩邊<10μm，滿足新能源汽車功率器件嚴苛標準。中清航科提供從晶圓貼膜、切割到清洗的全流程自動化方案。機械手聯(lián)動精度±5μm，兼容SECS/GEM協(xié)議實現(xiàn)MES系統(tǒng)對接。模塊化設(shè)計支持產(chǎn)能彈性擴展，單線UPH（每小時產(chǎn)能）提升至120片，人力成本降低70%。中清航科多軸聯(lián)動切割頭，適應曲面晶圓±15°傾角加工。

晶圓切割是半導體封裝的中心環(huán)節(jié)，傳統(tǒng)刀片切割通過金剛石砂輪實現(xiàn)材料分離。中清航科研發(fā)的超薄刀片（厚度15-20μm）結(jié)合主動冷卻系統(tǒng)，將切割道寬度壓縮至30μm以內(nèi)，崩邊控制在5μm以下。我們的高剛性主軸技術(shù)可適配8/12英寸晶圓，切割速度提升40%，為LED、MEMS器件提供經(jīng)濟高效的解決方案。針對超薄晶圓（<50μm）易碎裂難題，中清航科激光隱形切割系統(tǒng)采用紅外脈沖激光在晶圓內(nèi)部形成改性層，通過擴張膜實現(xiàn)無應力分離。該技術(shù)消除機械切割導致的微裂紋，良率提升至99.3%，尤其適用于存儲芯片、CIS等器件，助力客戶降低材料損耗成本。晶圓切割后分選設(shè)備中清航科集成方案，效率達6000片/小時。紹興碳化硅陶瓷晶圓切割劃片廠

8小時連續(xù)切割驗證：中清航科設(shè)備溫度波動≤±0.5℃。金華碳化硅半導體晶圓切割廠

磷化銦（InP）光子晶圓易產(chǎn)生邊緣散射損耗。中清航科采用等離子體刻蝕輔助裂片技術(shù)，切割面垂直度達89.5°±0.2°，側(cè)壁粗糙度Ra<20nm，插入損耗降低至0.15dB/cm。中清航科SkyEye系統(tǒng)通過5G實時回傳設(shè)備運行數(shù)據(jù)（振動/電流/溫度），AI引擎15分鐘內(nèi)定位故障根因。遠程AR指導維修，MTTR（平均修復時間）縮短至45分鐘，服務覆蓋全球36國?；谖^(qū)X射線衍射技術(shù)，中清航科繪制切割道殘余應力三維分布圖（分辨率10μm），提供量化改進方案?？蛻粜酒瑹嵫h(huán)壽命提升至5000次（+300%），滿足車規(guī)級AEC-Q104認證。金華碳化硅半導體晶圓切割廠