上海制造可控硅量大從優(yōu)

控 制：Controlled(取***個字母)整流器：Rectifier(取***個字母)再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。雙 向：Bi-directional(取***個字母)三 端：Triode(取***個字母)由以上兩組單詞組合成“BT”，也是對雙向可控硅產(chǎn)品的型號命名，典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司，均以此來命名雙向可控硅。大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。上海制造可控硅量大從優(yōu)

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。可控硅開關(guān)（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。上海質(zhì)量可控硅貨源充足維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。

當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。

四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發(fā)信號是正向還是反向，它都能被觸發(fā)導通，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對***電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號（圖5a）。雙向可控硅觸發(fā)導通后，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知，這時雙向可控硅觸發(fā)導通規(guī)律是按***象限的特性進行的，又因為觸發(fā)信號是正向的，所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式。 [3](2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b)，這時雙向可控硅觸發(fā)導通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1?？煽毓?Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結(jié)，對外有三個電極〔圖2（P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因為它的特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T，又因為晶閘管**初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。靜安區(qū)國產(chǎn)可控硅服務熱線

如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。上海制造可控硅量大從優(yōu)

安裝過程中，螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量；和接頭片接觸的散熱器表面應處理，保證平坦，10mm上允許偏差0.02mm；安裝力矩（帶墊圈）應在0.55nm 和0.8nm 之間；應避免使用自攻絲螺釘，因為擠壓可能導致安裝孔周圍的隆起，影響器件和散熱器之間的熱接觸。安裝力矩無法控制，也是這種安裝方法的缺點；器件應首先機械固定，然后焊接引線。這可減少引線的不適當應力。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向反復峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復峰值電流ITSM--通態(tài)一個周波不反復浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓上海制造可控硅量大從優(yōu)

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