由于門極的測量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓,在實際開關(guān)中存在的米勒效應(yīng)(Miller 效應(yīng))在測量中也沒有被包括在內(nèi),在實際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 值大很多。因此,在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies值在實際應(yīng)用中**只能作為一個參考值使用。確定IGBT 的門極電荷對于設(shè)計一個驅(qū)動器來說,**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷),如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊中能夠找到這個參數(shù),那么我們就可以運用公式計算出:門極驅(qū)動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]LED驅(qū)動電路:專門設(shè)計用于驅(qū)動LED,通常包括恒流源電路,以確保LED在安全的電流范圍內(nèi)工作。虹口區(qū)通用驅(qū)動電路量大從優(yōu)
表1 IGBT門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化,因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅(qū)動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且在IGBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動電路提供給IGBT的驅(qū)動電壓和電流要有足夠的幅度,使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài)。瞬時過載時,柵極驅(qū)動電路提供的驅(qū)動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān),在漏源電流一定的情況下,VGE越高,VDS值就越低,器件的導(dǎo)通損耗就越小,這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是, VGE并非越高越好,一般不允許超過20 V,原因是一旦發(fā)生過流或短路,柵壓越高,則電流幅值越高,IGBT損壞的可能性就越大。通常,綜合考慮取+15 V為宜。嘉定區(qū)本地驅(qū)動電路圖片低邊驅(qū)動:通常用于將功率開關(guān)器件連接在電源負(fù)極(地)一側(cè)。
-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當(dāng)為各個應(yīng)用選擇IGBT驅(qū)動器時,必須考慮下列細(xì)節(jié):· 驅(qū)動器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅(qū)動功率PG。驅(qū)動器的比較大平均輸出電流必須大于計算值。· 驅(qū)動器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計算得到的比較大峰值電流?!?驅(qū)動器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅(qū)動器的數(shù)據(jù)表中,給出了每脈沖的比較大輸出電荷,該值在選擇驅(qū)動器時必須要考慮。
?IGBT驅(qū)動電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動電路是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作,并同時對其進行保護的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。圖1圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。保護措施:設(shè)計過流、過壓、過熱等保護電路,以確保系統(tǒng)的安全性和可靠性。
實現(xiàn)電氣隔離:在需要電氣隔離的應(yīng)用中,驅(qū)動電路通過光耦、變壓器等隔離器件,將輸入信號與輸出信號隔離開來,提高系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。三、驅(qū)動電路的分類按功率器件的接地類型分類:直接接地驅(qū)動:功率器件的接地端電位恒定,常用的有推挽驅(qū)動以及圖騰柱驅(qū)動等。浮動接地驅(qū)動:功率器件接地端電位會隨電路狀態(tài)變化而浮動,典型的為自舉驅(qū)動電路。按電路結(jié)構(gòu)分類:隔離型驅(qū)動電路:包含光耦、變壓器、電容等具有電氣隔離功能器件的驅(qū)動電路。這些開關(guān)器件的開通和關(guān)斷狀態(tài)決定了主電路中的電流流向和大小,從而實現(xiàn)了對電子設(shè)備的精確控制。虹口區(qū)通用驅(qū)動電路量大從優(yōu)
負(fù)載特性:了解負(fù)載的電流、電壓和功率要求。虹口區(qū)通用驅(qū)動電路量大從優(yōu)
IGBT驅(qū)動:IGBT常被用于中大功率數(shù)字電源開發(fā),其驅(qū)動電壓范圍為-15~15V。IGBT驅(qū)動電路分為正壓驅(qū)動和負(fù)壓驅(qū)動,負(fù)壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險,加快關(guān)斷速度,減小關(guān)斷損耗。IGBT的驅(qū)動電路一般采用**的驅(qū)動芯片,如東芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飛凌的EiceDRIVER系列等。五、驅(qū)動電路的應(yīng)用顯示控制:驅(qū)動電路可以將數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為模擬信號,以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設(shè)備;也可以將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,以控制數(shù)碼管等顯示設(shè)備。虹口區(qū)通用驅(qū)動電路量大從優(yōu)
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