湖北新型CeYAP晶體生產(chǎn)廠家

來源: 發(fā)布時間:2022-01-24

國外生長的YAP單晶已達到50毫米,長約150毫米,重約1380克。隨著生長技術(shù)的提高,中科院上海光學力學研究所已經(jīng)能夠生長出直徑為50 mm的大單晶,但形狀控制和質(zhì)量有待進一步提高。比較了不同價離子摻雜對Ce: YAP晶體閃爍性能的影響。結(jié)果表明,二價離子摻雜對Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強的負面影響,而四價離子摻雜有助于提高Ce:Yap晶體的部分閃爍性能。還研究了錳離子摻雜對Ce: YAP晶體性能的影響。發(fā)現(xiàn)YAP基體中Mn離子和Ce離子之間存在明顯的能量轉(zhuǎn)移過程,Ce和Mn: YAP的衰變時間明顯短于Ce、Mn : YAP,其快、慢成分分別為10.8ns和34.6 ns。YAP晶體生長氣氛:由于采用中頻加熱方式,主要保溫材料為高熔點絕熱氧化物(氧化鋯、氧化鋁等)。湖北新型CeYAP晶體生產(chǎn)廠家

YAP晶體的生長過程:(1)籽晶:的選擇籽晶的走向和質(zhì)量直接影響直拉晶體的質(zhì)量。對于YAP單晶,由于其嚴重的各向異性,B軸的熱膨脹系數(shù)遠大于A軸和C軸(A:4.2 10-6 oc-1,B:11.7 10-6 oc-1,C:5.1 10-6 oc-1),在生長過程中容易產(chǎn)生結(jié)構(gòu)應(yīng)力和相應(yīng)的熱應(yīng)力。這些熱應(yīng)力也為了減少這種影響,我們選擇了《100〉中的YAP 籽晶,〈010〉中的〈001〉中的〈101〉中的〈籽晶尺寸為8 50mm(2)熱場的選擇:由于YAP晶體熱膨脹系數(shù)和熱導率的軸向差異,除了選擇合適的籽晶外,選擇合適的溫度場環(huán)境更為重要。由于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的YAP晶體的孿晶習性很容易揭示,為了克服孿晶的形成,需要在固液界面和整個生長室中形成合適的溫度梯度。新型CeYAP晶體過渡金屬離子污染造成Ce: YAP吸收帶紅移可能性不大。

YAP晶體的生長過程:生長氣氛:由于采用中頻加熱方式,主要保溫材料為高熔點絕熱氧化物(氧化鋯、氧化鋁等)。),雖然爐內(nèi)充滿高純氬氣體,但整個直拉法體系仍保持弱氧化,使Ce4離子含量增加。研究表明,Ce4離子對Ce3離子發(fā)光有猝滅作用。因此,在生長過程中,我們通常在惰性氣氛中生長,并試圖在弱還原氣氛中生長,其中惰性氣氛是高純氬氣體,弱還原氣氛是高純氬和高純氫的混合氣體(2-10%氫氣)。 不同氣氛生長Ce: YAP晶體Ce3+ 濃度有什么不同?

在康普頓閃光過程中,電子與X射線或其他高能射線發(fā)生彈性散射,使得高能射線的波長變長,這是吸收輻射能的主要途徑之一。在康普頓效應(yīng)中,單個光子與單個自由電子或束縛電子碰撞。在碰撞中,光子將部分能量和動量傳遞給電子,導致電子反沖。電子-正電子對是指輻射能直接轉(zhuǎn)化為物質(zhì)的過程,也是高能粒子通過物質(zhì)時無機閃爍晶體吸收高能射線的主要途徑之一。要產(chǎn)生正負電子對,光子的總能量必須大于1.02MeV。當物體受到高能電磁輻射時,其作用主要取決于入射光子的能量和閃爍體上離子吸收的原子數(shù)量。一般0.1MeV以下的光子能量主要是光電效應(yīng),0.1 ~ 10mv主要是康普頓閃光,10mv以上主要是正負電子對效應(yīng)。CeYAP是一種有吸引力的閃爍體。

剛出爐的Ce:YAP單晶由于內(nèi)部熱應(yīng)力較大,在加工過程中容易開裂,提拉法生長的晶體明顯,同時由于鈰離子的價態(tài)(Ce2、Ce3、Ce4)不同,高溫閃爍晶體中只有三價鈰離子(Ce3)作為發(fā)光中心,因此不同的退火工藝條件對高溫閃爍晶體的閃爍性能有重要影響。對于空氣退火,退火溫度為1000 ~ 1600,恒溫時間為20 ~ 30小時,1200以下升溫/降溫速率為50 ~ 100,1200時升溫/降溫速率為30 ~ 50。使用的設(shè)備是硅碳或硅鉬棒馬弗爐流動氫退火,退火溫度1200-1600,恒溫時間20-36小時,1200以下升溫/降溫速率50-100/小時,1200升溫/降溫速率30-50/小時。Ce 3的光致發(fā)光強度呈單指數(shù)形式衰減,室溫下其衰減常數(shù)約為16-18n。新型CeYAP晶體

開中頻電源升溫至原料全部熔化,在此過程中打開晶轉(zhuǎn),以使爐內(nèi)溫度分布均勻。湖北新型CeYAP晶體生產(chǎn)廠家

在40k,由在X-ray激發(fā)的純CsI晶體的能量效率為30%;然而,它的發(fā)光效率在室溫下非常低,這就是為什么純CsI晶體難以用于閃爍過程的原因。堿土金屬氟化物,如氟化鈣、氟化鍶等。在室溫下,激子發(fā)光仍然保持高產(chǎn)率。在這種情況下,我們可以討論Vk中心在上述反應(yīng)中亞穩(wěn)態(tài)的作用。因此,離子晶體表現(xiàn)出一種非常有趣的性質(zhì),即純晶體或沒有發(fā)光中心的晶體可以產(chǎn)生有效的發(fā)光。這是因為在輻照過程中,晶體中會產(chǎn)生大量的Vk發(fā)光中心。在維克激子發(fā)光后,VK中心消失了,水晶恢復了原來的屬性。湖北新型CeYAP晶體生產(chǎn)廠家

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