江蘇品質(zhì)CeYAG晶體型號

目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長方法主要為提拉法和溫梯法。近年來, Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨特的優(yōu)勢也備受人們的關(guān)注.為了填補我國在高溫閃爍晶體研究領(lǐng)域的空白，本論文選取具有優(yōu)良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對象，圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問題及其發(fā)展趨勢，重點開展了提拉法與溫梯法生長Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰。江蘇品質(zhì)CeYAG晶體型號

根據(jù)出現(xiàn)的順序，無機閃爍晶體的閃爍機制可分為以下五個階段：1.電離輻射的吸收和初級電子和空穴的產(chǎn)生；2.一次電子和空穴的弛豫，即產(chǎn)生大量的二次電子、空穴、光子、激子等電子激發(fā)；3.低能二次電子和空穴的弛豫(熱化)，即形成能約為能隙寬度Eg的熱化電子-空穴對；4.電子和空穴向發(fā)光中心的熱傳遞和發(fā)光中心的激發(fā)；5.激發(fā)態(tài)的發(fā)光中心發(fā)出紫外或可見熒光，即閃爍光。為了研究方便，人們往往將上述五個閃爍步驟分為兩部分：(1)電子-空穴對的產(chǎn)生(**個階段)和(2)發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射(后兩個階段)。江蘇品質(zhì)CeYAG晶體型號CeYAG晶體還用作陰極射線管的熒光體。

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學性能以及穩(wěn)定的化學性質(zhì)等優(yōu)點。因此，鈰離子摻雜的無機氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無機閃爍晶體，被譽為新一代高性能無機閃爍晶體

電子-空穴對的產(chǎn)生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結(jié)果。主要包括原子的電離和激發(fā)，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知，高能射線不能直接電離和激發(fā)無機閃爍晶體中的原子。相反，它們通過光電效應、康普頓效應和電子對效應產(chǎn)生的電子電離和激發(fā)晶體中的原子。當入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時，主要發(fā)生光電效應，即高能射線與晶體中原子的內(nèi)層電子(通常是K層)相互作用產(chǎn)生初級光電子。CeYAG晶體具有位于230，340和460nm波段的Ce3+離子的特征。

隨著人們對閃爍晶體材料進一步深入的研究和科技的發(fā)展，閃爍晶體材料一般可用于X射線、γ射線、中子及其他高能粒子的探測。經(jīng)過100多年的發(fā)展，以閃爍晶體為關(guān)鍵的探測和成像技術(shù)已經(jīng)在核醫(yī)學、高能物理、安全檢查、工業(yè)無損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應用。閃爍晶體可以發(fā)出透明的熒光，在高能射線或其他放射性粒子通過時，會發(fā)出閃爍光，該種材料可以應用在射線、中子、高能粒子的探測中，經(jīng)過了百年的發(fā)展，閃爍晶體材料已經(jīng)在安全檢查、高能物理、核醫(yī)學等領(lǐng)域得到推廣。CeYAG閃爍晶體還可以應用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。海南生長CeYAG晶體現(xiàn)貨供應

CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫。江蘇品質(zhì)CeYAG晶體型號

采用提拉法生長CeYAG單晶，通過X射線衍射和激發(fā)發(fā)射光譜對其晶相結(jié)構(gòu)和光譜特性進行了表征，研究了CeYAG單晶封裝白光LED的較佳摻雜濃度.在455 nm藍光激發(fā)下，CeYAG單晶的發(fā)射光譜可由中心波長526 nm(5d12 EgГ8g→4f12 F7/2Г8u)的寬發(fā)射帶(500650 nm)組成激發(fā)光譜由343 nm (4f12F5/2Г7u→5d12EgГ7g)和466 nm(4f12F5/2Г7u→5d12EgГ8g)2個激發(fā)峰組成Stokes位移為2448cm-1，Huang-Rhys因子為6.12.研究結(jié)果表明，CeYAG單晶中Ce離子摻雜濃度與封裝的白光LED之間有對應關(guān)系，在650nm紅粉調(diào)節(jié)下Ce離子較佳摻雜濃度范圍為0.0340.066。江蘇品質(zhì)CeYAG晶體型號

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