青海品質(zhì)CeYAG晶體廠家直供

釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學(xué)襯底材料，例如，Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、**醫(yī)療、以及科研等領(lǐng)域。特別是近二十年來，隨著LD泵浦固體激光器的迅猛發(fā)展，國際上對Yb:YAG激光晶體又掀起研究高潮，出現(xiàn)了大量的文獻報道。早期為了發(fā)展可調(diào)諧激光晶體，人們研究了Ce:YAG晶體的光學(xué)特性，由于存在嚴(yán)重的激發(fā)態(tài)吸收，使得Ce:YAG的研究停滯不前[。盡管1967年，Blasse已經(jīng)發(fā)現(xiàn)Ce:YAG熒光粉[98]具有優(yōu)良的閃爍性能，但是對其單晶的研究并沒有受到足夠的重視。CeYAG晶體發(fā)光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設(shè)備有效耦合。青海品質(zhì)CeYAG晶體廠家直供

電子-空穴對的產(chǎn)生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結(jié)果。主要包括原子的電離和激發(fā)，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知，高能射線不能直接電離和激發(fā)無機閃爍晶體中的原子。相反，它們通過光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對效應(yīng)產(chǎn)生的電子電離和激發(fā)晶體中的原子。當(dāng)入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時，主要發(fā)生光電效應(yīng)，即高能射線與晶體中原子的內(nèi)層電子(通常是K層)相互作用產(chǎn)生初級光電子。遼寧雙折射CeYAG晶體制造CeYAG晶體的閃爍特性及其應(yīng)用。

根據(jù)經(jīng)典熒光理論，參數(shù)q也可以由公式(1.15) [14]計算。公式中，Wr和Wnr分別為輻射和非輻射躍遷概率；c是猝滅常數(shù)，Eq是猝滅能，kb是為玻爾茲曼常數(shù)，t是完全溫度。分析表明，光輸出主要與晶體的帶隙、基體的組成和結(jié)構(gòu)、能量傳輸效率和溫度有關(guān)。當(dāng)帶隙變?yōu)榱銜r，閃爍晶體將獲得比較大光輸出。但一般情況下，當(dāng)Eg小于2eV時，無輻射躍遷的概率會增大，從而Q變小，光輸出變小。結(jié)果表明，摻鈰離子閃爍晶體的光輸出差異主要是由S 的差異引起的。

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點。因此，鈰離子摻雜的無機氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無機閃爍晶體，被譽為新一代高性能無機閃爍晶體CeYAG晶體是立方結(jié)構(gòu)，并且很容易制造出透明的對稱性很好的晶體。

閃爍晶體的本質(zhì)是一種能量轉(zhuǎn)換器，所以能量轉(zhuǎn)換效率()是表征所有閃爍晶體0基本的參數(shù)，是指閃爍晶體輻射的光子能量(Ep)與閃爍晶體吸收的總能量(er)之比。閃爍晶體發(fā)射光子的平均能量是發(fā)射的閃爍光子數(shù)。光輸出(LR)是反映閃爍體晶體，能量轉(zhuǎn)換效率的重要的物理參數(shù)，是指閃爍體吸收并消耗1mV射線能量后發(fā)出的可見/紫外光子數(shù)。即閃爍過程中產(chǎn)生的閃爍光子數(shù)與閃爍晶體中光線或粒子損失的能量之比。 提拉法生長Ce:YAG晶體。鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數(shù)大于鉬，容易從鉬坩堝中取出。陜西雙折射CeYAG晶體現(xiàn)貨直供

Ce:YAG晶體的光學(xué)吸收譜多少？青海品質(zhì)CeYAG晶體廠家直供

CeYAG晶體最大直徑多少？閃爍過程的三個步驟(a . 電子空穴對產(chǎn)生；電子空穴被傳送到發(fā)光中心；c .從發(fā)光中心輻射的熒光)到閃爍的總效率。在以上三個參數(shù)中，很難建立能量傳遞的理論模型，因此很難計算出S [51][56]?？梢钥隙ǖ氖牵瑹o機閃爍晶體中的各種缺陷會俘獲電子空穴對，使S值 大降低。與參數(shù)s相比，參數(shù)和q可以從理論上計算出來。根據(jù)羅賓斯[19]和阿雷米普奇[51]提出的模型。公式中，Ei為電離能；是產(chǎn)生實際產(chǎn)生一個電子空穴對所需的能量；k為能量損失分?jǐn)?shù)，與高頻介電常數(shù)()，靜電常數(shù)()和光學(xué)縱模聲子能量()有關(guān)。Lf是電子(或空穴)損失的能量分?jǐn)?shù)。青海品質(zhì)CeYAG晶體廠家直供

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