河北白光LED用CeYAG晶體規(guī)格

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-12-28

隨著核物理和高能物理的發(fā)展,出現(xiàn)了一個(gè)必須解決的問題,那就是粒子質(zhì)量的起源。為了理解這個(gè)問題,世界上正在建造能量不斷增加的大型對(duì)撞機(jī)和加速器。這些裝置上用來(lái)測(cè)量各種質(zhì)子、電子、Uons、介子等粒子能量的探針稱為電磁量熱儀,閃爍晶體是構(gòu)建電磁量熱儀的中心材料。例如,美國(guó)斯坦福線性加速中心(SLAC)、日本高能研究所(KEK)使用CsI(Tl)晶體進(jìn)行Babar和BELLE實(shí)驗(yàn)、歐洲核中心(CERN)使用PbWO4晶體進(jìn)行CMS實(shí)驗(yàn)等。表1-3列出了近年來(lái)世界上重要高能物理實(shí)驗(yàn)中使用的無(wú)機(jī)閃爍晶體[27][28]。表1-3近年來(lái)設(shè)計(jì)的晶體量熱儀中使用的無(wú)機(jī)閃爍晶體。CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間。河北白光LED用CeYAG晶體規(guī)格

什么是閃爍晶體?關(guān)于閃爍晶體你對(duì)它了解多不多?和小編來(lái)看看下文的介紹吧。我們之所以能看到五彩繽紛的世界,是因?yàn)檠劬δ芙邮罩車矬w發(fā)出或反射的可見光,但這單單只是世界的一小部分。自然界中還存在著許多肉眼看不見的高能射線或粒子,甚至普通的傳感器也無(wú)法直接探測(cè)到,人們必須借助一類被稱為閃爍晶體的特殊材料,才能感知到它們的存在。閃爍晶體置于光電倍增管和準(zhǔn)直器之間,其作用是將熒光轉(zhuǎn)化為γ射線。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭:幽蠈I(yè)CeYAG晶體參數(shù)CeYAG晶體是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體。

當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時(shí),晶體中電子空穴對(duì)Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設(shè)電子空穴對(duì)轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān)),可以得出:無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(,Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān)。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48,000 ph/mev)。將其他無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進(jìn)行比較得到的相對(duì)值(%NaI(Tl))稱為“相對(duì)光輸出”。相對(duì)光輸出通常用于表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出。

CeYAG晶體,屬于無(wú)機(jī)閃爍體。無(wú)機(jī)閃爍晶體研究的真正前奏始于半個(gè)世紀(jì)前羅伯特霍夫斯塔德發(fā)現(xiàn)NaI(Tl)單晶的優(yōu)異閃爍性能。經(jīng)過半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展,無(wú)機(jī)閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體,如BGO、銫:Na、鋇F2、PWO和鈰Ce:LSO等,而且極大地拓展了閃爍晶體在高能物理和核物理、醫(yī)療、安檢、工業(yè)等領(lǐng)域的應(yīng)用[2]-[12];此外,無(wú)機(jī)閃爍晶體[13]-[23]、[41]、[51]、[56]-[58]的閃爍機(jī)制不斷得到改進(jìn)和發(fā)展,為改進(jìn)現(xiàn)有閃爍體和尋找性能更好的新型無(wú)機(jī)閃爍晶體提供了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。在5KV之內(nèi)以及超過100KV的更高加速電壓下,CeYAG晶體具有更好的響應(yīng)。

Ce:YAG閃爍晶體的主要應(yīng)用在哪里?CeYAG晶體可以用于核天文學(xué)、核空間物理學(xué)、核考古學(xué)、核地質(zhì)學(xué)以及核測(cè)量學(xué)等領(lǐng)域中?在大多數(shù)無(wú)機(jī)閃爍晶體中,經(jīng)常顯示兩個(gè)或更多的光衰減時(shí)間常數(shù),它們分別對(duì)應(yīng)于快成分和慢成分。BaF2晶體是目前所有無(wú)機(jī)閃爍晶體中光衰減常數(shù)0快(約0.8ns)的閃爍材料。此外,BaF2還具有約600毫微秒的慢分量。在許多閃爍計(jì)數(shù)應(yīng)用中,不只無(wú)機(jī)閃爍晶體的光衰減性能特別重要,其光輸出性能也同樣重要。因此,品質(zhì)因數(shù)(M)通常用于表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的性能,M指光輸出與光衰減的比率。如果高能射線入射,其熒光光譜向紅色移動(dòng),發(fā)射波長(zhǎng)為550納米,可以很好地與硅光二極管耦合。吉林白光LED用CeYAG晶體批發(fā)報(bào)價(jià)

CeYAG高溫閃爍晶體主要應(yīng)用在輕粒子探測(cè)、α粒子探測(cè)、gamma射線探測(cè)等領(lǐng)域。河北白光LED用CeYAG晶體規(guī)格

CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能,采用溫梯法生長(zhǎng)了CeYAG晶體和真空燒結(jié)法制備了CeYAG透明陶瓷,并對(duì)晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能進(jìn)行了對(duì)比研究.CeYAG晶體和陶瓷都具有位于230,340和460nm波段的Ce3+離子的特征吸收帶和540nm附近的發(fā)射峰,但CeYAG晶體同時(shí)存在296和370nm的色心吸收,其發(fā)射峰位于398nm,而透明陶瓷中不存在.CeYAG晶體和陶瓷的X射線熒光中均存在520nm附近的Ce3+離子發(fā)射,但晶體中還存在由反格位缺陷引起的300nm的發(fā)射.CeYAG晶體和陶瓷的光產(chǎn)額分別為16800和9800photons/MeV,納秒燈激發(fā)下的熒光壽命分別為61.9和62.97ns.CeYAG晶體與陶瓷相比,具有高的光產(chǎn)額和快的熒光衰減特性。河北白光LED用CeYAG晶體規(guī)格

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