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從Ce3+ 離子2F7/2和2F5/2 態(tài)能級(jí)在YAP 晶體中的能級(jí)分裂看,2F7/2能級(jí)在晶體場(chǎng)中分裂的子能級(jí)寬度對(duì)應(yīng)波數(shù)范圍為3250 cm-1到2085cm-1, 2F5/2 態(tài)能級(jí)分裂的子能級(jí)寬度范圍為500 cm-1左右, 5d比較低能級(jí)的對(duì)應(yīng)波數(shù)為33000 cm-1。可以得到Ce3+ 在YAP基質(zhì)中激發(fā)譜(d-f 躍遷)的比較低能級(jí)躍遷的波長(zhǎng)為336.1nm(29750 cm-1),因此316nm的激發(fā)峰成分雖然發(fā)光波長(zhǎng)比較偏紅光方向,但仍在允許范圍內(nèi)。當(dāng)激發(fā)波長(zhǎng)從294nm(34013cm-1)到316nm(31645 cm-1)變化時(shí),各子能級(jí)都有可能被激發(fā),且不同能量激發(fā)時(shí)各子能級(jí)之間的躍遷強(qiáng)度比可能會(huì)有所差別。CeYAP作為閃爍晶體,用水平區(qū)熔法生長(zhǎng)了CeYAP閃爍晶體。云南雙摻CeYAP晶體公司
發(fā)光材料的X射線激發(fā)發(fā)射光譜指的是X射線經(jīng)過(guò)發(fā)光材料時(shí),發(fā)光材料從X射線那里獲得能量產(chǎn)生二次電子,二次電子激發(fā)發(fā)光材料的發(fā)光中心,然后發(fā)光中心退激發(fā)光,樣品所發(fā)出的光經(jīng)分光儀器(單色儀)分成不同顏色(或波長(zhǎng))的光,通過(guò)光電倍增管測(cè)出不同波長(zhǎng)的發(fā)光強(qiáng)度,得到樣品的發(fā)光按照波長(zhǎng)或頻率的一個(gè)分布Ce:YAP晶體生長(zhǎng)過(guò)程詳細(xì)介紹有嗎?因此激發(fā)譜中幾個(gè)發(fā)光成分其實(shí)還可以再分解為不同子能級(jí)的發(fā)光,而且疊加后的峰形會(huì)比單峰明顯展寬,普通的擬和只能作近似表達(dá)。云南雙摻CeYAP晶體公司Ce: YAP晶體的d-f躍遷為寬帶發(fā)射,峰值在365 nm。
Ca2+離子和Si4+離子摻雜對(duì)Ce : YAP晶體有哪些影響?釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶是一種優(yōu)良的激光基質(zhì)材料和光學(xué)襯底材料,其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體得到了普遍的應(yīng)用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料在1992年引起了人們的注意。Moszynski和Ludziejewski分別于1994年和1997年系統(tǒng)地研究了Ce:YAG晶體的閃爍特性,指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)異的閃爍特性。Ce:YAG衰減快(80ns),在530nm處發(fā)出熒光,其發(fā)射波長(zhǎng)與硅光電二極管的探測(cè)敏感區(qū)相匹配,因此可應(yīng)用于低能射線粒子的探測(cè)等領(lǐng)域。
摻鈰高溫閃爍晶體是無(wú)機(jī)閃爍晶體的一個(gè)重要發(fā)展方向,其中鈰:YAP和鈰3360Yag是較好的晶體。隨著應(yīng)用要求的變化,閃爍晶體的尺寸越來(lái)越大,因此生長(zhǎng)大尺寸的閃爍晶體變得更加重要。同時(shí),國(guó)內(nèi)生長(zhǎng)的Ce:YAP晶體自吸收現(xiàn)象普遍存在,導(dǎo)致無(wú)法有效提高出光量,其機(jī)理尚不清楚。為了有效提高Ce:YAP晶體的閃爍性能,解決其自吸收問(wèn)題,提高其發(fā)光強(qiáng)度,重點(diǎn)研究了Ce:YAP晶體的自吸收機(jī)制。同時(shí),為了獲得高發(fā)光效率的大尺寸Ce:YAG晶體,嘗試用溫度梯度法生長(zhǎng)大尺寸Ce:YAG晶體,并探索了晶體的比較好熱處理?xiàng)l件。1991年,Baryshevky等人用水平區(qū)熔法生長(zhǎng)了Ce:YAP閃爍晶體。
Ce: YAG 閃爍晶體的生長(zhǎng)參數(shù):根據(jù)Ir坩堝的尺寸以及熱場(chǎng)條件,通過(guò)觀察YAP熔體對(duì)流狀態(tài),本論文選擇晶體轉(zhuǎn)速為10-20RPM;考慮到Ce離子在YAP晶體中的分凝系數(shù)較大(約為0.5)和晶體的尺寸(Φ55mm),實(shí)驗(yàn)中選用了1-2mm/h的提拉速度。生長(zhǎng)流程:裝爐→抽真空→充氣→升溫化料→烤晶種→下種→縮頸→生長(zhǎng)→提拉→降溫→取出晶體進(jìn)行退火。在裝爐時(shí),為了保證爐體內(nèi)徑向溫度軸對(duì)稱分布,線圈中心、石英管中心、坩堝中心及籽晶中心應(yīng)該保持一致。Ce和Mn: YAP的衰變時(shí)間明顯短于Ce、Mn : YAP,其快、慢成分分別為10.8ns和34.6 ns。甘肅新型CeYAP晶體批發(fā)
研究表明,Ce4離子對(duì)Ce3離子發(fā)光有猝滅作用。云南雙摻CeYAP晶體公司
在40k,由在X-ray激發(fā)的純CsI晶體的能量效率為30%;然而,它的發(fā)光效率在室溫下非常低,這就是為什么純CsI晶體難以用于閃爍過(guò)程的原因。堿土金屬氟化物,如氟化鈣、氟化鍶等。在室溫下,激子發(fā)光仍然保持高產(chǎn)率。在這種情況下,我們可以討論Vk中心在上述反應(yīng)中亞穩(wěn)態(tài)的作用。因此,離子晶體表現(xiàn)出一種非常有趣的性質(zhì),即純晶體或沒(méi)有發(fā)光中心的晶體可以產(chǎn)生有效的發(fā)光。這是因?yàn)樵谳椪者^(guò)程中,晶體中會(huì)產(chǎn)生大量的Vk發(fā)光中心。在維克激子發(fā)光后,VK中心消失了,水晶恢復(fù)了原來(lái)的屬性。云南雙摻CeYAP晶體公司
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