在激光制導等領域，半導體常常與稀土共同出現(xiàn)，甚至一些武器直接是用稀土命名。比如坦克使用的摻釹釔鋁石榴石激光測距機，這是現(xiàn)代先進坦克的標配裝備，從美國的M1到英國的“挑戰(zhàn)者”和德國的“豹2”，無一例外，它的測量距離達到20公里，精度比普通的光學測距儀高很多。稀土與汽車稀土和半導體的另一個大的交集則在汽車產業(yè)。汽車電子如今已經成為一個專有名詞，截止目前，全球的汽車電子市場已經逼近2萬億元的市場規(guī)模，隨著新能源汽車與自動駕駛技術的持續(xù)發(fā)力，汽車電子還將持續(xù)高速增長，而稀土也將迎來更大的成長空間。TmYAP晶體物化性能優(yōu)良。湖北新型TmYAP晶體公司
Tm:YAP晶體結構及分凝系數(shù)如前所述，YAP晶體屬正交晶系畸變鈣鈦礦結構，空間群為D162h (Pnma)，其結構示意圖如圖4-2所示，其中Al3+的配位數(shù)為6，處于氧八面體的中心，而Y3+的配位數(shù)是12，處于氧配位多面體的中心。Y-O鍵間距離2.62?，使稀土離子很容易取代Y3+進入晶格1。我們通過XRD測試對所生長Tm:YAP晶體結構進行分析。不同濃度Tm:YAP與純YAP的XRD譜比較，其中摻Tm3+YAP晶體與純YAP晶體的衍射圖譜完全一致，沒有出現(xiàn)雜峰，說明Tm:YAP晶體結晶完整，呈完好的YAP相。海南進口TmYAP晶體廠家TmYAP晶體能級結構通過低溫吸收譜和熒光譜，可以比較準確的確定TmYAP晶體的能級結構。
Tm:YAP晶體能級結構圖有嗎？Tm:YAP晶體熒光譜及熒光壽命的溫度依賴特性為4at%Tm:YAP晶體b方向非偏振溫度依賴熒光光譜。低溫下Tm:YAP*有少量尖銳發(fā)射峰，隨溫度升高，譜線逐漸展寬，在左側出現(xiàn)新的熒光峰。這是因為在低溫時，熒光主要通過3F4能態(tài)的比較低Stark能級向基態(tài)3H6各Stark能級躍遷產生，當溫度升高時，比較多的3F4態(tài)Tm3+處于較高Stark能級，這些離子向基態(tài)3H6發(fā)生輻射躍遷,使熒光譜向短波長方向擴展, 譜帶“重心”向短波長移動。同時，由于譜線的加寬, 使相鄰熒光譜線發(fā)生部分重疊, 并逐漸呈準連續(xù)帶狀分布。
Tm:YAP吸收系數(shù)與濃度變化成正比?X射線粉末不衍射，本研究采用x光粉末衍射儀分析晶體相和晶胞參數(shù)。X射線粉末衍射儀一般由X射線發(fā)生器、衍射儀測角臺和探測器組成。在傳統(tǒng)的x光衍射過程中，安裝在測角儀上的樣品通常旋轉一個角度，探測器旋轉兩個角度。-2掃描主要用于物質相的x光粉末衍射測定。根據(jù)掃描衍射圖，結晶度、晶面取向度、晶格畸變、應力等。并且可以初步判斷晶體中是否存在第二相物質。Tm:YAP晶體能級結構通過低溫吸收譜和熒光譜，可以比較準確的確定Tm:YAP晶體的能級結構。由吸收譜和發(fā)射譜交疊，可確定3F4能級零聲子線位置EZL=5621cm-1，然后根據(jù)發(fā)射譜確定基態(tài)13個stark能級，再根據(jù)吸收譜確定激發(fā)態(tài)能級，在這里我們給出了包含3H4、3H5、3F4以及基態(tài)3H6的能級圖結構。Tm:YAP晶體可以為活性離子提供合適的摻雜位置。
退火對3at%Tm:YAP晶體的影響我們對3at%Tm:YAP樣品分別進行了H2和O2退火實驗，其中H2退火為1150℃保溫20h，O2退火為1200℃保溫10h，O2退火后晶體顏色加深，而H2退火后晶體顏色變淺。通過對退火前后吸收譜分析我們發(fā)現(xiàn)，氧氣退火使212nm-628nm吸收明顯增加，并且在254nm和372nm處出現(xiàn)兩個比較寬的吸收峰，而氫氣退火使該段吸收減少，并且差分吸收譜在254nm和372nm處也出現(xiàn)兩個凹陷的峰。我們認為這些缺陷的形成是由于Fe3+、Fe2+的存在造成。其中254nm左右為Fe3+吸收峰，372nm差吸收峰對應Fe3+→O2-→Fe2+電荷轉移吸收峰，氧氣退火使Fe3+增加而Fe2+減少，故兩處吸收峰增強，而氫氣退火使Fe3+減少而Fe2+增加，故兩處吸收峰減弱。2μm波段激光輸出效率高于Tm:YAG晶體，直接輸出線偏振激光。上海新型TmYAP晶體好不好
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Tm:YAP晶體熒光譜及熒光壽命？一、基質材料，激光工作物質中的基體材料為離子提供了外場，使離子產生合適的激光發(fā)射，并影響發(fā)射峰位置和發(fā)射線寬。由相同活化離子的不同基質組成的工作物質可以具有不同的發(fā)射波長范圍、激光閾值和激光傾斜效率。Tm:YAP晶體結構及分凝系數(shù)如前所述，YAP晶體屬正交晶系畸變鈣鈦礦結構，空間群為D162h (Pnma)，其結構示意圖如圖4-2所示，其中Al3+的配位數(shù)為6，處于氧八面體的中心，而Y3+的配位數(shù)是12，處于氧配位多面體的中心。Y-O鍵間距離2.62?，使稀土離子很容易取代Y3+進入晶格1。湖北新型TmYAP晶體公司
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