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Ce:YAG晶體的光學(xué)吸收譜多少？鈰離子摻雜的鋁酸釔（Ce:YAlO3或Ce:YAP）和釔鋁石榴石（Ce:Y3Al5O12或Ce:YAG）高溫閃爍晶體不僅具有高光輸出和快衰減的閃爍特性（見表1－9），而且YAP和YAG基質(zhì)晶體還具有優(yōu)良的物理化學(xué)特性（基本物理化學(xué)特性見表1-10）。它們的缺點(diǎn)是密度低有效原子序數(shù)小，但是它們可以廣泛應(yīng)用在中低能量射線和粒子探測(cè)領(lǐng)域中[45][49]。Ce:YAP和Ce:YAG是較為典型的兩種高光輸出快衰減高溫?zé)o機(jī)閃爍晶體，對(duì)它們的生長(zhǎng)特征、晶體缺陷以及光學(xué)閃爍性能等的研究，對(duì)研究和探索其它鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有重要借鑒意義。如今無(wú)機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)制不斷得到改進(jìn)和發(fā)展。甘肅大尺寸CeYAG晶體直銷

以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度及驅(qū)動(dòng)電壓的變化對(duì)其發(fā)射光譜、色坐標(biāo)、亮度、光視效能和色溫的影響。研究結(jié)果表明，在基于CeYAG單晶的白光LED中，發(fā)射光的色坐標(biāo)以及藍(lán)光與黃綠光之間的相對(duì)強(qiáng)度可通過(guò)對(duì)CeYAG單晶片厚度的改變進(jìn)行調(diào)整。在恒定電壓驅(qū)動(dòng)下，白光LED樣品的亮度、光視效能和色溫均隨單晶片厚度的減小而增加。當(dāng)CeYAG單晶厚度為0.6 mm時(shí)，可獲得較純的白發(fā)射光，并且其色坐標(biāo)具有較高的可靠性和穩(wěn)定性，基本不受驅(qū)動(dòng)電壓變化的影響。研究結(jié)果表明CeYAG單晶是一種可用于新型白光LED的理想熒光材料。四川雙折射CeYAG晶體供應(yīng)Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力。

當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時(shí)，晶體中電子空穴對(duì)Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設(shè)電子空穴對(duì)轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān))，可以得出：無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān)。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48，000 ph/mev)。將其他無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進(jìn)行比較得到的相對(duì)值(%NaI(Tl))稱為“相對(duì)光輸出”。相對(duì)光輸出通常用于表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出。

物質(zhì)的有效原子序數(shù)可由公式計(jì)算：式中，Wi為構(gòu)成晶體的原子I的重量百分比，Zi為構(gòu)成晶體的原子I的有效原子數(shù)。從公式中可以看出，大的有效原子序數(shù)往往與重密度不一致。此外，在許多場(chǎng)合下，經(jīng)常使用吸收系數(shù)()、輻射長(zhǎng)度(X0)和摩爾半徑(RM)來(lái)代替晶體的有效原子序數(shù)或密度來(lái)表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的性能。這些性能參數(shù)與晶體的密度()和有效原子序數(shù)(z)之間的關(guān)系如下[14][24]。，RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.12)(ne是晶體中的電子密度和吸收截面，a是原子量)當(dāng)I (t)=i0/e時(shí)，t=就是所謂的光衰減常數(shù)。CeYAG高溫閃爍晶體主要應(yīng)用在輕粒子探測(cè)、α粒子探測(cè)、gamma射線探測(cè)等領(lǐng)域。

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對(duì)稱性取代Y3位。在晶體場(chǎng)的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級(jí)分裂為5個(gè)子能級(jí)，比較低5d子能級(jí)離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點(diǎn)。在可見光范圍內(nèi)可以觀察到4個(gè)特征吸收峰，峰值波長(zhǎng)分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對(duì)應(yīng)于Ce3離子從4f到5d的亞能級(jí)躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對(duì)應(yīng)比較低5d子能級(jí)至2F5/2基態(tài)能級(jí)。如果高能射線入射，其熒光光譜向紅色移動(dòng)，發(fā)射波長(zhǎng)為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。Ce:YAG閃爍晶體具有比較大光輸出。江蘇國(guó)產(chǎn)CeYAG晶體公司

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汽車電子、互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品、移動(dòng)通信、智慧家庭、5G、消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域成為中國(guó)電子元器件市場(chǎng)發(fā)展的源源不斷的動(dòng)力，帶動(dòng)了電子元器件的市場(chǎng)需求，也加快電子元器件更迭換代的速度，從下游需求層面來(lái)看，電子元器件市場(chǎng)的發(fā)展前景極為可觀?；仡欉^(guò)去一年國(guó)內(nèi)Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG產(chǎn)業(yè)運(yùn)行情況，上半年市場(chǎng)低迷、部分外資企業(yè)產(chǎn)線轉(zhuǎn)移、中小企業(yè)經(jīng)營(yíng)困難，開工不足等都是顯而易見的消極影響。但隨著Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG產(chǎn)業(yè)受到相關(guān)部門高度重視、下游企業(yè)與元器件產(chǎn)業(yè)的黏性增強(qiáng)、下游 5G 產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景明朗等利好因素的驅(qū)使下，我國(guó)電子元器件行業(yè)下半年形勢(shì)逐漸好轉(zhuǎn)。目前汽車行業(yè)、醫(yī)治、航空、通信等領(lǐng)域的無(wú)一不刺激著電子元器件。就拿近期的熱門話題“5G”來(lái)說(shuō)，新的領(lǐng)域需要新的技術(shù)填充。“5G”所需要的元器件開發(fā)有限責(zé)任公司（自然）要求相信也是會(huì)更高，制造工藝更難。服務(wù)包括電信服務(wù)、互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)、信息接入軟件應(yīng)用等。信息服務(wù)的建設(shè)是各類信息產(chǎn)品應(yīng)用的基礎(chǔ),加大網(wǎng)絡(luò)提速降費(fèi)力度和加快推進(jìn)5G技術(shù)商用有利于推動(dòng)加工產(chǎn)品創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化升級(jí)。甘肅大尺寸CeYAG晶體直銷

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