MES系統(tǒng)在機加工行業(yè)的應用與優(yōu)勢
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CeYAG單晶復合紅色熒光粉的制備及其在白光LED上的應用,采用提拉法生長了CeYAG單晶,并以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED),研究了CeYAG單晶厚度的變化對其色坐標,亮度,發(fā)光效率和色溫的影響.由于460nm藍光芯片激發(fā)的CeYAG單晶白光LED缺少紅光成分,采用流延法將紅色熒光粉CaAlSiN_3:Eu~(2+)涂覆在CeYAG單晶襯底上制備白光LED.制備的白光LED色度隨紅粉含量的變化由冷白光逐漸向暖白光區(qū)域移動,色溫逐漸降低,顯色指數(shù)上升。CeYAG晶體的閃爍特性及其應用。湖南專業(yè)CeYAG晶體批發(fā)價
目前,Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化,主要用于掃描電鏡(SEM)的顯示部件,其生長方法主要為提拉法和溫梯法。近年來, Ce:YAG單晶薄膜[84],以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨特的優(yōu)勢也備受人們的關注.為了填補我國在高溫閃爍晶體研究領域的空白,本論文選取具有優(yōu)良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對象,圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問題及其發(fā)展趨勢,重點開展了提拉法與溫梯法生長Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。湖南專業(yè)CeYAG晶體批發(fā)價CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎?
一種生長CeYAG單晶熒光材料的方法技術,坩堝下降法生長CeYAG單晶熒光材料的方法。該晶體化學式為:(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12;0≤x≤1,0≤y≤1,0≤m≤0.05;其中A為Lu、Tb、Pr、La、Gd中的一種;B為Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一種。晶體生長爐溫范圍1900~2000℃,坩堝下降方向固液界面的溫度梯度為10~50℃/cm,坩堝下降速率為0.1~5mm/h,籽晶可采用等方向,坩堝直徑為30~120mm,高度為50~200mm。本發(fā)明專利技術采用坩堝下降法具有操作簡單,成本低,生長的CeYAG晶體體積大、內(nèi)部缺陷少、摻雜濃度高等優(yōu)點。
閃爍晶體是在高能射線的前提下形成的,當高能射線或其它放射離子穿過一些晶體時,由于高能射線和放射離子的影響會讓晶體發(fā)出亮光,這樣的晶體就是我們所說的閃爍晶體。并不是所有的物質(zhì)都能作為閃爍晶體,現(xiàn)階段能夠成為閃爍晶體的主要有鹵化物、硅酸鹽等幾種分子。閃爍晶體一般都是用于各種射線、中子及高能粒子的檢測,但經(jīng)過多年的發(fā)展,閃爍晶體現(xiàn)在已經(jīng)較多的應用于醫(yī)學檢測、物理學、安全檢查、地址勘探等各個方面。希望以上的一些相關的介紹能夠對你有一些幫助。CeYAG閃爍晶體熱力學性能穩(wěn)定。
釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學襯底材料,例如,Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)廣泛應用于工業(yè)、**醫(yī)療、以及科研等領域。特別是近二十年來,隨著LD泵浦固體激光器的迅猛發(fā)展,國際上對Yb:YAG激光晶體又掀起研究高潮,出現(xiàn)了大量的文獻報道。早期為了發(fā)展可調(diào)諧激光晶體,人們研究了Ce:YAG晶體的光學特性,由于存在嚴重的激發(fā)態(tài)吸收,使得Ce:YAG的研究停滯不前[。盡管1967年,Blasse已經(jīng)發(fā)現(xiàn)Ce:YAG熒光粉[98]具有優(yōu)良的閃爍性能,但是對其單晶的研究并沒有受到足夠的重視。Ce:YAG屬于無機閃爍體。重慶新型CeYAG晶體銷售商
以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管。湖南專業(yè)CeYAG晶體批發(fā)價
根據(jù)經(jīng)典熒光理論,參數(shù)q也可以由公式(1.15) [14]計算。公式中,Wr和Wnr分別為輻射和非輻射躍遷概率;c是猝滅常數(shù),Eq是猝滅能,kb是為玻爾茲曼常數(shù),t是完全溫度。分析表明,光輸出主要與晶體的帶隙、基體的組成和結構、能量傳輸效率和溫度有關。當帶隙變?yōu)榱銜r,閃爍晶體將獲得比較大光輸出。但一般情況下,當Eg小于2eV時,無輻射躍遷的概率會增大,從而Q變小,光輸出變小。結果表明,摻鈰離子閃爍晶體的光輸出差異主要是由S 的差異引起的。湖南專業(yè)CeYAG晶體批發(fā)價
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