上海人工CeYAP晶體公司

來源: 發(fā)布時間:2021-12-12

有時線性吸收系數(shù)被質(zhì)量吸收系數(shù)微米=/d (d袋表密度)代替。因為質(zhì)量吸收系數(shù)與材料的晶體結構和相態(tài)無關。與鹵素化合物晶體相比,氧化物晶體具有優(yōu)異的熱力學性質(zhì)和穩(wěn)定的化學性質(zhì)。因此,鈰離子摻雜的無機氧化物閃爍晶體,包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽和磷酸鹽,已經(jīng)引起了極大的關注和光泛的研究。下表總結了鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體的基本閃爍特性。由表可知,大多數(shù)摻鈰離子的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快速衰減的特性,尤其是摻鈰離子的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍特性,如Ce:YAP、Ce3360YAG、Ce:LSO和Ce3360Lyso,被認為是新一代高性能無機閃爍晶體。Ce:YAP晶體在弱還原氣氛中生長,發(fā)現(xiàn)晶體的自吸收被有效壓制。上海人工CeYAP晶體公司

目前國內(nèi)生長的Ce: YAP晶體仍存在出光率低的問題,其機理應該與自吸收有關,但尚未得到有效解決。為了比較不同退火條件下退火對自吸收的影響,我們測量了相同厚度(2mm)和濃度(0.3%)的Ce: YAP晶體在不同溫度和氣氛下退火后的透射光譜、熒光光譜和XEL光譜。從圖4-8可以看出,直拉法生長的Ce: YAP晶體經(jīng)氫退火后透射邊藍移,自吸收減弱。當進行氧退火時,通過邊緣紅移增強了自吸收。氫的退火溫度越高,自吸收越弱。氧的退火溫度越高,自吸收越強。然而,退火溫度的上限約為1600。如果溫度太高,晶體容易起霧,導致幾乎不滲透。國產(chǎn)CeYAP晶體批發(fā)CeYAP晶體具有良好的物化性能,是無機閃爍晶體中較有優(yōu)勢的晶體。

用溫梯法成功生長了直徑為 110mm 的大尺寸 Ce: YAG 閃爍晶體,晶體具有良好的外形和光學性質(zhì)。研究了不同溫度和氣氛等退火條件對 Ce: YAG(TGT)閃爍晶體發(fā)光性能的影響,發(fā)現(xiàn)1100℃ 氧氣退火對提高晶體的發(fā)光強度具有比較好效果,發(fā)光強度提高了近60%。并初步分析了 Ce: YAG(TGT)閃爍晶體存在的缺陷以及其對晶體的發(fā)光性能和閃爍時間的影響。測試了大尺寸 Ce: YAG 閃爍晶體的相對光輸出、γ射線靈敏度與DD中子靈敏度、γ射線相對能量響應等性能,結果表明溫梯法生長的Ce: YAG 晶體在高能射線和中子探測方面具有較大的應用價值。 陜西CeYAP晶體供應YAP中形成色心的另外一種可能原因是晶體中存在雜質(zhì)離子.

鈰釔鋁石榴石(TGT)閃爍晶體的缺陷及其對晶體發(fā)光性能和閃爍時間的影響。生長CeYAP晶體推薦貨源閃爍材料的發(fā)展歷史可以大致分為幾個階段?首先,用提拉法生長大尺寸Ce: YAP晶體,包括改進生長設備和調(diào)整生長工藝。因為以前的生長工藝不適合生長大尺寸的Ce: YAP晶體,尤其是晶體形狀、肩部和等徑部分不能得到有效控制,影響晶體質(zhì)量。為了解決存在的問題,我們改進了晶體生長爐的功率控制系統(tǒng)和重量傳感系統(tǒng),重新設計了坩堝和保溫罩,并對溫度場過程進行了適當?shù)奶剿?。離子摻雜濃度、原料的純度以及生長工藝條件等是影響CeYAP晶體缺陷的主要原因。

為了研究過渡金屬可能對Ce: YAP晶體性能的影響,我們生長了Mn 離子摻雜的Ce: YAP 晶體,并與Mn: YAP和Ce: YAP 晶體進行了比較。選用Mn 離子一是由于Mn 對YAP 晶體的吸收譜影響很大;二是M. A. Noginov等人將Ce離子摻入Mn: YAP中來獲得三價Mn離子[113],Ce3+離子可以為Mn4+ 離子提供一個電子,使其變成三價:Ce3+ + Mn4+ → Ce4+ + Mn3+,正好研究Mn 對Ce離子價態(tài)變化的影響;而且Mn離子和Ce離子之間可能存在能量傳遞過程,對研究Ce: YAP晶體的閃爍性能會有一些參考作用。鈣鈦礦結構的YAP晶體的孿晶習性很容易揭示。安徽科研用CeYAP晶體報價

CeYAP是一種性能優(yōu)良的快閃爍晶體,它擁有較高的光輸出、快的衰減時間。上海人工CeYAP晶體公司

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