上海國產(chǎn)CeYAP晶體公司

對于摻Ce3的無機閃爍晶體，高能射線作用下的閃爍機制一般認為如下[16，17]:晶體吸收高能射線后，晶體內(nèi)部產(chǎn)生大量的熱化電子空穴對。由于鈰元素的四階電離能是所有稀土元素中比較低的(如圖1-6所示)，晶體發(fā)光中心的Ce3離子首先俘獲一個空穴形成Ce4離子。然后一個電子被捕獲，變成Ce3。此時，電子和空穴被鈰離子重組。復(fù)合產(chǎn)生的能量將Ce3離子從4f基態(tài)激發(fā)到5d激發(fā)態(tài)，然后Ce3離子從5d激發(fā)態(tài)輻射弛豫到4f基態(tài)發(fā)光由于摻雜鈰離子的無機閃爍體通常具有高光輸出和快速衰減的特點。發(fā)現(xiàn)YAP基質(zhì)中Ce，Mn之間存在明顯的能量轉(zhuǎn)移過程。上海國產(chǎn)CeYAP晶體公司

為了研究過渡金屬可能對Ce: YAP晶體性能的影響，我們生長了Mn 離子摻雜的Ce: YAP 晶體，并與Mn: YAP和Ce: YAP 晶體進行了比較。選用Mn 離子一是由于Mn 對YAP 晶體的吸收譜影響很大；二是M. A. Noginov等人將Ce離子摻入Mn: YAP中來獲得三價Mn離子[113]，Ce3+離子可以為Mn4+ 離子提供一個電子，使其變成三價：Ce3+ + Mn4+ → Ce4+ + Mn3+，正好研究Mn 對Ce離子價態(tài)變化的影響；而且Mn離子和Ce離子之間可能存在能量傳遞過程，對研究Ce: YAP晶體的閃爍性能會有一些參考作用。江西大尺寸CeYAP晶體少量過渡金屬離子的存在對吸收只會造成線性疊加影響, 且低濃度吸收并不足以造成Ce: YAP晶體的自吸收。

在室溫下，陷激子的三線態(tài)-單線態(tài)躍遷只在某些基質(zhì)中有效。具有復(fù)雜陰離子的化合物如WO4和MoO4也顯示出固有的發(fā)光。發(fā)光來源于電荷數(shù)高的過渡金屬離子，0外層電子構(gòu)型為np6nd0。有些化合物，如CdWO4和CaWO4，光輸出很高。在離子晶體中還觀察到了一種新的內(nèi)在發(fā)光：中心帶上部和價帶之間的躍遷，簡稱為中心-價帶躍遷。這種發(fā)光躍遷衰減時間快(子納秒級)，但光輸出低。 品質(zhì)優(yōu)的CeYAP晶體成本價不同濃度Ce:YAP晶體自吸收比較。在本世紀(jì)，一些重要的閃爍材料因其商業(yè)應(yīng)用前景而得到廣泛應(yīng)用，或者因其優(yōu)異的性能而在科學(xué)研究中得到普遍關(guān)注和發(fā)展。

CeYAG晶體應(yīng)該如何退火？研究了Ce:YAP晶體的自吸收機制。在實際應(yīng)用中，國產(chǎn)Ce: YAP晶體存在嚴(yán)重的自吸收問題，直接影響晶體的發(fā)光效率。比較了鈰離子濃度、退火、輻照和雜質(zhì)對鈰： YAP晶體自吸收的影響。通過分析Ce: YAP晶體的自吸收機制，發(fā)現(xiàn)在YAP中存在一個Ce4離子的寬帶電荷轉(zhuǎn)移吸收峰，其半峰全寬接近100納米。結(jié)果表明，還原Ce4離子可以被Ce: YAP晶體的自吸收，Ce4離子可以明顯猝滅Ce3離子的發(fā)光。 不同氣氛生長Ce:YAP晶體透過和熒光譜有什么不同？二價離子摻雜對Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強的負面影響。

作為未摻雜晶體的ceF3具有本征發(fā)光，而另一方面，以Ce為基質(zhì)的晶體和以Ce為摻雜劑的晶體表現(xiàn)出與Ce3相同的5d4f躍遷發(fā)光。表1-2無機閃爍體中主要電子躍遷和發(fā)光中心的分類，對于閃爍體，一般要求其發(fā)光中心具有較高的輻射躍遷概率。表1-2總結(jié)了無機閃爍晶體中幾種主要類型的發(fā)光中心。具有S20外層電子構(gòu)型的類汞離子可以產(chǎn)生很高的光輸出，但很難獲得很短的衰變時間。Eu2也存在類似的情況。Ce3的5d4f躍遷是允許的躍遷，在各種襯底中既有高光輸出又有快衰減時間。Ce: YAP作為一種性能優(yōu)越的高溫閃爍晶體，在高能核物理和核醫(yī)學(xué)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。吉林白光LED用CeYAP晶體定制

無機閃爍晶體的閃爍機理閃爍體的本質(zhì)是在盡可能短的時間內(nèi)把高能射線或者粒子轉(zhuǎn)化成可探測的可見光。上海國產(chǎn)CeYAP晶體公司

Ce:YAP晶體的生長裝置圖有嗎？電子空穴對的產(chǎn)生，假設(shè)具有中等能量(小于0.1兆電子伏)的X射線或伽馬射線量子與閃爍體或任何凝聚物質(zhì)相互作用。在這種情況下，光電效應(yīng)占主導(dǎo)地位，在原子的內(nèi)殼層(通常是K層)會產(chǎn)生一個空穴和一個自由或準(zhǔn)自由電子。這個過程可以表示為一個原子A在固體中的單個電離反應(yīng)：AhAe，這里，h替代完全被固體吸收的入射光量子的能量，產(chǎn)生的一次電子的能量等于HEk，其中Ek是原子A的K電子殼層的能量(對于NaI和CsI晶體中的I原子，Ek約為33 KeV)。 上海國產(chǎn)CeYAP晶體公司

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