新型YbYAG晶體定制

關(guān)于YbYAG晶體的一些相關(guān)的介紹在這里了，感興趣的可以來看看，提拉法生長直徑8 inch YbYAG激光晶體，設(shè)計制造了適于生長直徑8 inch YbYAG激光晶體的生長系統(tǒng)和熱場，采用感應加熱提拉法成功生長出了直徑8英寸YbYAG激光晶體，晶體等徑部分較小直徑202 mm，等徑長超過215 mm，總重63.7 kg，晶體外形完整，內(nèi)部無氣泡，包裹物，開裂等宏觀缺陷，5 mW綠光激光照射下，未見散射顆粒。Yb:YAG晶體或摻鐿釔鋁石榴石在高功率半導體泵浦激光器領(lǐng)域，被人們認為是取代Nd:YAG 晶體的選擇。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。YbYAG晶體低溫下的選擇激發(fā)熒光光譜進一步表明了Yb3+離子強的電子-聲子耦合作用的存在。新型YbYAG晶體定制

你知道YbYAG晶體生長裝置有哪些嗎？和小編一起來看看吧，YbYAG晶體的生長裝置：坩堝和籽晶夾，坩堝的材料要求化學性質(zhì)穩(wěn)定、純度高，熔點要高于原料的熔點200℃以上。常用的坩堝材料為鉑、銥、二氧化硅或其它高熔點氧化物。其中鉑、銥主要用于生長氧化物類晶體。籽晶用籽晶夾來裝夾。籽晶要求選用無位錯或位錯密度低的相應單晶。傳動系統(tǒng)：傳動系統(tǒng)由籽晶桿、坩堝軸和升降系統(tǒng)組成，并采用高精密的稀土永磁直流電機與籽晶桿連接傳動，以保證旋轉(zhuǎn)以及提拉的穩(wěn)定性與準確性。希望以上的一些介紹能夠?qū)δ阌袔椭?。江西YbYAG晶體公司YbYAG/YAG復合結(jié)構(gòu)微片激光晶體是薄片激光器領(lǐng)域內(nèi)非常優(yōu)良的激光材料。

YbYAG晶體由于其良好的物理特性，成為了碟片激光器理想的激光介質(zhì)。由于摻鐿材料的準三能級結(jié)構(gòu)特性使其對溫度十分敏感，因此研究YbYAG激光器工作過程中的熱效應顯得非常重要。本文提出了一個研究YbYAG激光器準三能級產(chǎn)熱過程的物理模型來計算碟片的熱負載系數(shù)，模型中包含了四部分產(chǎn)熱：自發(fā)輻射產(chǎn)熱，激光產(chǎn)熱，ASE效應產(chǎn)熱以及上下能級的無輻射躍遷產(chǎn)熱。結(jié)合速率方程模型和前面提到的ASE效應模型，得到了一個完整的關(guān)于碟片激光器的輸出特性模型。

YbYAG晶體的熱學性質(zhì)及其對激光性能的影響，對于中頻感應加熱提拉法(Czochralski Method)生長的高摻雜濃度(原子數(shù)分數(shù)0.30)YbYAG晶體，經(jīng)退火后采用差示掃描量熱計法測量了晶體的比熱容，通過激光脈沖法測量了不同摻雜濃度(原子數(shù)分數(shù)0.05～0.30YbYAG晶體的熱擴散率和熱導率。實驗表明，隨著Yb3+離子濃度增加，YbYAG晶體在300 K溫度下的導熱性能有明顯的降低。原子數(shù)分數(shù)為0.30的YbYAG晶體的激光實驗表明，高摻雜濃度YbYAG晶體熱導率的降低導致了激光閾值的增加。YbYAG晶體可發(fā)射1030 nm近紅外激光。

通過測量不同溫度下YbYAG晶體的吸收光譜和低溫光譜發(fā)現(xiàn)，即使在低溫下，YbYAG晶體也具有非常豐富的吸收帶和發(fā)射帶，這主要是由于Yb的4f電子所受屏蔽較少，易于與周圍晶格產(chǎn)生較強的相互作用，并且YAG基質(zhì)有非常豐富的聲子振動峰，當兩個Strak能級的間隔與晶格聲子振動能量相匹配時，一個強的振動結(jié)構(gòu)就會出現(xiàn)。YbYAG晶體低溫下的選擇激發(fā)熒光光譜進一步表明了Yb3+離子強的電子-聲子耦合作用的存在。這種作用也導致了YbYAG晶體零聲子線的溫度展寬和線移。當溫度從8K升溫到300K時，零聲子線從6.3cm-1展寬到42cm-1。隨溫度升高，零聲子線逐漸紅移，300K時，零聲子線相對于8K時向長波移動了約8cm-1。YbYAG具有YAG基質(zhì)材料所具有的優(yōu)良的物理性質(zhì)和穩(wěn)定的化學性能。云南非復合YbYAG晶體參數(shù)

YbYAG晶體成為一種很有潛力的激光晶體。新型YbYAG晶體定制

YbYAG激光晶體的高溫退火和高濃度摻雜效應，測定了提拉法生長的不同摻雜濃度的YbYAG晶體從紫外到近紅外區(qū)的吸收光譜，發(fā)現(xiàn)高溫氧化氣氛退火后原先可見光區(qū)色心寬帶吸收消失的同時，在紫外區(qū)出現(xiàn)新的吸收帶，并通過色心的轉(zhuǎn)化對這一現(xiàn)象進行了解釋。在紫外區(qū)和近紅外區(qū)吸收光譜中，發(fā)現(xiàn)隨摻雜濃度的升高220 nm和940 nm附近的吸收帶的位置略有移動，提出是由于Yb3+離子摻雜引起的晶格結(jié)構(gòu)畸變導致了YbYAG晶體光譜性質(zhì)的改變。YbYAG與傳統(tǒng)的晶體相比具有更大的吸收帶寬,更長的上能級壽命。新型YbYAG晶體定制

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