為了了解過渡金屬摻雜對Ce: YAP自吸收可能產(chǎn)生的影響，我們對比了Cu(0.5%), Fe(0.5%)，Mn(0.5%) 等過渡金屬摻雜的純YAP晶體的透過譜。由此可見，Mn摻雜YAP在480nm處有明顯吸收峰，Cu 摻雜則在370nm左右存在吸收峰，F(xiàn)e摻雜YAP并將在下節(jié)討論。我們生長的Ce: YAP 在350nm到500nm范圍內不存在額外吸收峰，少量過渡金屬離子的存在對吸收只會造成線性疊加影響, 且低濃度吸收并不足以造成Ce: YAP晶體的自吸收，因此過渡金屬離子污染造成Ce: YAP吸收帶紅移可能性不大。CeYAP晶體具有良好的物化性能，是無機閃爍晶體中較有優(yōu)勢的晶體。江西雙摻CeYAP晶體廠家直銷
CeYAG晶體應該如何退火？研究了Ce:YAP晶體的自吸收機制。在實際應用中，國產(chǎn)Ce: YAP晶體存在嚴重的自吸收問題，直接影響晶體的發(fā)光效率。比較了鈰離子濃度、退火、輻照和雜質對鈰： YAP晶體自吸收的影響。通過分析Ce: YAP晶體的自吸收機制，發(fā)現(xiàn)在YAP中存在一個Ce4離子的寬帶電荷轉移吸收峰，其半峰全寬接近100納米。結果表明，還原Ce4離子可以被Ce: YAP晶體的自吸收，Ce4離子可以明顯猝滅Ce3離子的發(fā)光。 不同氣氛生長Ce:YAP晶體透過和熒光譜有什么不同？黑龍江專業(yè)CeYAP晶體我們生長的Ce: YAP 在350nm到500nm范圍內不存在額外吸收峰。
近年來，出現(xiàn)了一些新的快速閃爍材料，如Zn0基閃爍體、摻鐠氧化物晶體[2，3]、Yb: YAG等。Zn0和Yb: YAG的衰減時間小于1ns，但出光率低，Zn0晶體的生長非常困難。由于Pr3中d-f躍遷發(fā)光的存在，其氧化物晶體的衰變時間比摻鈰氧化物晶體快。比如Pr3360YAG是17ns，但是Pr的復雜能級對光產(chǎn)額影響很大。0近有報道稱，摻鎵Zn0的發(fā)光強度有了很大的提高，對時間特性影響不大。由于各種原因，這些新的閃爍材料在實際應用之前還有很長的路要走。閃爍材料會議也經(jīng)常舉行。
無機晶體中的載流子熱化時間為10-11 s到10-12s，比電子之間的弛豫時間長(一般為10-13 s到10-15 s)，因此可以認為電子-電子弛豫過程和電子-聲子弛豫過程依次發(fā)生。在空間坐標下，熱化過程可以表示為具有一定特征長度L的載流子遷移過程，對于離子晶體，L為102 ~ 103nm；對于典型的半導體，l大于103納米。限制載流子遷移的散射中心是晶體中存在的固有缺陷和雜質缺陷。中性點缺陷散射的低能電子的截面與該點缺陷的幾何截面有關。對于帶電點缺陷，散射與庫侖勢有關，散射截面可用0的盧瑟福公式計算。不同厚度Ce:YAP晶體自吸收比較。晶體生長過程中大的溫度梯度以及快的降溫速率等是CeYAP晶體產(chǎn)生開裂的主要原因。
國外生長的YAP單晶已達到50毫米，長約150毫米，重約1380克。隨著生長技術的提高，中科院上海光學力學研究所已經(jīng)能夠生長出直徑為50 mm的大單晶，但形狀控制和質量有待進一步提高。比較了不同價離子摻雜對Ce: YAP晶體閃爍性能的影響。結果表明，二價離子摻雜對Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強的負面影響，而四價離子摻雜有助于提高Ce:Yap晶體的部分閃爍性能。還研究了錳離子摻雜對Ce: YAP晶體性能的影響。發(fā)現(xiàn)YAP基體中Mn離子和Ce離子之間存在明顯的能量轉移過程，Ce和Mn: YAP的衰變時間明顯短于Ce、Mn : YAP，其快、慢成分分別為10.8ns和34.6 ns。CeYAP晶體發(fā)光波長為360－380nm，可與目前的光電接受裝置有效耦合。天津新型CeYAP晶體性能
CeYAP是一種有吸引力的閃爍體。江西雙摻CeYAP晶體廠家直銷
有人計算過YAP晶體的能帶結構[77，78]。結果表明，該氧化物晶體的價帶頂端由未結合的O2-離子組成，而價帶he心主要由O2-離子的2S能級和Y3離子的4P能級的混合物組成。導帶底部主要由Y3離子的4d和5S軌道組成，而Al3的3d能級在導帶中占據(jù)較高的能級位置。YAP晶體的禁帶寬度為7.9 eV，主要由Y-O相互作用決定，而不是Al-O相互作用。文獻[26]中也報道了YAP晶體的帶隙為8.02 eV。由于YAP晶體結構的各向異性，很難獲得高質量的晶體，但由于其廣闊的應用前景，人們對YAP晶體的生長過程做了大量的探索和研究。江西雙摻CeYAP晶體廠家直銷
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