YbYAG晶體主要特點：簡單的電子結(jié)構(gòu)排除了激發(fā)態(tài)吸收和各種有害的猝滅過程。940 nm寬吸收帶2F5/2鐿能級的壽命。低量子缺陷?？筛鶕?jù)要求提供定制。YbYAG晶體主要應用：材料加工，微加工，焊接，切割。高功率薄盤激光器。YbYAG晶體技術(shù)特性：吸收峰波長942nm。峰值吸收截面7，7×10-21厘米2。峰值吸收帶寬18nm。激光波長1030nm。壽命2F5/2鐿能級950μs。發(fā)射截面@1030nm 2，1×10-20厘米2。折射率@632，8nm 1，83。晶體結(jié)構(gòu)立方體。由于晶體中含有Yb2+，使晶格發(fā)生畸變，不但使晶格缺陷大量增加，而且也對Yb3+的能級結(jié)構(gòu)造成不利影響。導致了370nm和625nm處存在吸收波段和Re-F色心的形成。YbYAG晶體發(fā)光快成分衰減常數(shù)為1.2 ns。湖北提拉法生長YbYAG晶體行情
YbYAG晶體的優(yōu)勢：1、高斜率效率。2、高光學質(zhì)量。3、熱導率高，機械強度高。4、無激發(fā)態(tài)吸收和上轉(zhuǎn)換。5、單位泵浦功率產(chǎn)生的熱負荷比NdYAG晶體低。6、二極管泵浦吸收帶寬約8nm@940nm，適合常用的高功率InGaAs激光二極管（波長940nm或970nm)泵浦。在YbYAG晶體中發(fā)現(xiàn)濃度猝滅現(xiàn)象，對猝滅機制進行了分析研究。指出退火前晶體的熒光濃度猝滅現(xiàn)象主要由Yb2＋、色心和由此產(chǎn)生的晶格畸變所致。高摻雜濃度時痕量稀土雜質(zhì)離子的存在也將導致濃度猝滅．確定了YbYAG晶體中Yb3+的理想摻雜濃度。河南國產(chǎn)YbYAG晶體現(xiàn)貨直供YbYAG是一種適合LD泵浦的高平均功率和高光束質(zhì)量的發(fā)射1um左右波長的激光材料。
YbYAG激光晶體，Yb3 + 離子摻雜YAG 晶體( YbYAG) 作為一種性能優(yōu)良的激光晶體已廣泛應用于高效、高功率激光領(lǐng)域。作為特殊的激光工作物質(zhì)，不只具有YAG基質(zhì)材料所具有的優(yōu)良的物理性質(zhì)和穩(wěn)定的化學性能，而且具有很好的激光工作性能。這使YbYAG晶體成為一種很有潛力的激光晶體。在相同的半導體泵浦功率下，YbYAG泵浦生熱為NdYAG的三分之一，就夠很容易的被InGaAs半導體激光器所泵浦，是一種適合LD泵浦的高平均功率和高光束質(zhì)量的發(fā)射1um左右波長的激光材料。
一種YbYAG激光晶體的生長方法，所用的裝置為感應加熱提拉式單晶爐，其步驟包括按照YbYAG比例稱量原料并混合均勻，置于銥坩堝中，裝爐。單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫。下籽晶生長晶體。晶體生長完畢緩慢降溫至室溫，出爐。其特征在于所述單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫的具體過程包括單晶爐緩慢抽真空至8×10-3MP，充入純氮氣，至0.12MP壓力后開始升溫，至1500℃時觀察爐內(nèi)的壓力，根據(jù)爐內(nèi)的壓力再充入1～5％的氧氣，然后再升溫熔料。這里的關(guān)鍵是采用兩步充氣的方法，是基于銥坩堝在1500℃以下的高溫段會與氧氣起強烈的反應，而超過這一溫度反應則會在一定程度上。這樣充氣過程生長的晶體出爐后無色。高長徑比的YbYAG單晶光纖，展現(xiàn)出的柔性特征將有利于實現(xiàn)全固態(tài)、高緊湊性的高功率激光器件。
YbYAG晶體性能實驗測量，為了測量脈沖時間寬度小于20ns時的γ射線時間分辨圖像，發(fā)展了新型無機閃爍體YbYAG，并實驗測量了晶體的發(fā)光衰減時間、X射線激發(fā)發(fā)光光譜、相對效率和發(fā)光空間分辨等性能，研究了YbYAG晶體的發(fā)光性能。實驗表明，YbYAG發(fā)光有三種衰減成分，快成分衰減常數(shù)為1.2ns，慢成分衰減常數(shù)與射線種類有關(guān)。X射線激發(fā)發(fā)光光譜在250~800 nm范圍，有三個發(fā)光峰，分別為320，380和500nm，且320 nm處強度較大。相對發(fā)光效率為1900 ph/MeV。使用鎢分辨卡測得YbYAG空間分辨能力為2 lp/m，使用刀口法測得空間調(diào)制傳遞函數(shù)為0.5時的頻率為0.7 lp/mm。結(jié)果說明YbYAG晶體性能能夠滿足所需測量要求。在相同的半導體泵浦功率下，Yb:YAG泵浦生熱為Nd:YAG的三分之一。湖北提拉法生長YbYAG晶體行情
采用二極管泵浦YbYAG晶體實現(xiàn)準三能級連續(xù)1024 nm薄盤激光器。湖北提拉法生長YbYAG晶體行情
YbYAG晶體的熱學性質(zhì)及其對激光性能的影響，對于中頻感應加熱提拉法(Czochralski Method)生長的高摻雜濃度(原子數(shù)分數(shù)0.30)YbYAG晶體，經(jīng)退火后采用差示掃描量熱計法測量了晶體的比熱容，通過激光脈沖法測量了不同摻雜濃度(原子數(shù)分數(shù)0.05～0.30YbYAG晶體的熱擴散率和熱導率。實驗表明，隨著Yb3+離子濃度增加，YbYAG晶體在300 K溫度下的導熱性能有明顯的降低。原子數(shù)分數(shù)為0.30的YbYAG晶體的激光實驗表明，高摻雜濃度YbYAG晶體熱導率的降低導致了激光閾值的增加。湖北提拉法生長YbYAG晶體行情
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