CeYAG單晶與陶瓷的發(fā)光性能，制備了不同Ce~(3+)摻雜濃度(摩爾分?jǐn)?shù))的釔鋁石榴石(YAG)單晶和陶瓷，并對激光激發(fā)CeYAG單晶和陶瓷的光通量、光電轉(zhuǎn)換效率、顯色指數(shù)及色溫進行了研究。在電流為2.6A的激光激發(fā)下，Ce~(3+)摻雜濃度為0.3%的陶瓷的光通量較高，為617.2lm;Ce~(3+)摻雜濃度為0.5%的單晶的顯色指數(shù)較高，為62，色溫為5841K。在功率為2.61W、材料中心功率密度達10.8W·mm-2的激光激發(fā)下，CeYAG單晶和陶瓷的光轉(zhuǎn)換均未達到飽和，對應(yīng)的光-光轉(zhuǎn)換效率均約為240lm·W-1。實驗結(jié)果表明，在高功率密度激光激發(fā)下，陶瓷和單晶均適用于產(chǎn)生高亮度白光。如今無機閃爍晶體的閃爍機制不斷得到改進和發(fā)展。青海國產(chǎn)CeYAG晶體元件
Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應(yīng)用。因此，用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可普遍應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測等核物理實驗。此外，Ce:YAG單片機還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測中有著重要而普遍的應(yīng)用。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小，光衰減快，在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。表1-11比較了Ce3360 YAG和CsI:Tl閃爍晶體的主要閃爍特性。青海國產(chǎn)CeYAG晶體元件CeYAG晶體能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應(yīng)用。
如果高能射線入射，其熒光光譜向紅色移動，發(fā)射波長為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。Ce:YAG晶體的光學(xué)吸收譜多少？當(dāng)無機閃爍體中電子(空穴)的能量小于電離閾值時（(Ce:YAG屬于無機閃爍體），電子(空穴)開始與晶格相互作用，即所謂的電子-聲子弛豫或熱化。在熱化過程中，電子和空穴分別向無機閃爍晶體導(dǎo)帶的下部和價帶的上部移動，終形成一定數(shù)量的熱化電子空穴對，能量約為禁帶寬度eg。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48，000 ph/mev)。將其他無機閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進行比較得到的相對值(%NaI(Tl))稱為“相對光輸出”。相對光輸出通常用于表征無機閃爍晶體的光輸出。
CeYAG單晶是一種綜合性能優(yōu)良的快衰變閃爍材料，具有高的光輸出（20000光子MeV），快的發(fā)光衰減（~70ns），優(yōu)異的熱機械性能，發(fā)光峰值波長（540nm）與普通光電倍增管（PMT）的接收靈敏波長很好地匹配和硅光電二極管（PD），良好的光脈沖區(qū)分了γ射線和α粒子，CeYAG適合于探測α粒子、電子和β射線等帶電粒子，特別是CeYAG單晶良好的力學(xué)性能，使制備厚度小于30um的薄膜成為可能。CeYAG閃爍探測器應(yīng)用于電子顯微鏡、β和X射線計數(shù)、電子和X射線成像屏等領(lǐng)域。電子-空穴對的數(shù)量直接決定了無機閃爍晶體的光輸出。
高能物理和核物理實驗要求無機閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸出高。此外，由于高能物理領(lǐng)域無機閃爍晶體數(shù)量巨大，合適的價格也是一個重要指標(biāo) 什么YAG晶體可以用于極端的探測環(huán)境中？此外，在較高濃度或溫度的情況下，閃爍晶體中的發(fā)光中心也可以通過濃度或熱猝滅產(chǎn)生較短的光衰減，但這往往伴隨著晶體光輸出的降低。閃爍晶體的品質(zhì)因數(shù)，Birks第1次將品質(zhì)因數(shù)(m)的概念引入無機閃爍晶體的表征中。品質(zhì)因數(shù)是指閃爍晶體的光輸出與光衰減的比值，國內(nèi)外對鈰離子摻雜的無機閃爍體進行了大量的研究和探索[40]-[50]，涉及的閃爍體包括氟化合物、溴化物、氧化物和硫化物等無機閃爍體，Ce:YAG晶體拋光難度大嗎？口碑好的CeYAG晶體服務(wù)電話，有Ce:YAG晶體的光致熒光譜嗎？通常應(yīng)用的閃爍晶體材料都是用人工方法培育出來的。青海國產(chǎn)CeYAG晶體元件
CeYAG晶體的激光照明系統(tǒng)，包括藍光半導(dǎo)體激光器，光學(xué)耦合透鏡組。青海國產(chǎn)CeYAG晶體元件
Ce:YAG閃爍晶體的主要應(yīng)用在哪里？高溫閃爍晶體今后的發(fā)展趨勢主要包括以下幾個方面：1、尋求優(yōu)化的高溫閃爍晶體生長方法以及工藝技術(shù)。目前，多數(shù)高溫閃爍晶體主要是通過提拉法生長的，探索改進的提拉法或其它的工程化生長工藝技術(shù)對研究開發(fā)高溫閃爍晶體具有十分重要的意義。2、開展多摻雜以及探索新型發(fā)光離子的高溫閃爍晶體也會逐步受到人們的重視。隨著探測器件的小型化多功能化的迅猛發(fā)展，具有多種探測功能的復(fù)合閃爍探測單晶材料將會成為一個研究熱點。另外，探索其它發(fā)光中心離子的閃爍性能也將會逐步引起人們的關(guān)注，特別對能與現(xiàn)有的探測設(shè)備耦合匹配，容易摻雜等激發(fā)離子的研究。青海國產(chǎn)CeYAG晶體元件
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