你對CeYAG晶體了解多少呢？和小編一起來看看吧，CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，除了高能射線探測成像應(yīng)用外，在高能物理與核物理實驗、安檢、醫(yī)療等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。CeYAG晶體是立方結(jié)構(gòu)，并且很容易制造出透明的對 稱性很好的該晶體，非常適合用于白光LED的制造。CeYAG單晶制備工藝復雜，難以制備大尺寸，高摻雜濃度等缺點，限制了其應(yīng)用。由于YAG具有立方相晶體結(jié)構(gòu)，具有光學均勻性，無雙折射效應(yīng)等特征。再是晶體狀態(tài)，這表明光纖拉制過程中芯棒與套管之間存在擴散現(xiàn)象.光纖在314nm光泵浦的情況下，產(chǎn)生約67nm(FWHM)光譜寬度的熒光輻射。CeYAG晶體的良好的溫度機械性能有利于制備出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。山東雙摻CeYAG晶體品牌
和小編來看看閃爍晶體的知識，閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽芏l(fā)出閃光的晶體。通常應(yīng)用的閃爍晶體材料都是用人工方法培育出來的，種類也很多，從化學成分來講有氧化物、鹵化物（包括碘化物、氟化物）等。閃爍晶體可用于x射線、γ射線、中子及其他高能粒子的探測，以閃爍晶體為關(guān)鍵的探測和成像技術(shù)已經(jīng)在核醫(yī)學、高能物理、安全檢查、工業(yè)無損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應(yīng)用。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭＝K國產(chǎn)CeYAG晶體規(guī)格CeYAG高溫閃爍晶體主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域。
鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學性能以及穩(wěn)定的化學性質(zhì)等優(yōu)點。因此，鈰離子摻雜的無機氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無機閃爍晶體，被譽為新一代高性能無機閃爍晶體
無機閃爍晶體的主要應(yīng)用，與塑料聚合物、液體、液晶和熒光粉等普通閃爍材料相比，無機閃爍晶體具有密度高、體積小、物理化學性質(zhì)和閃爍性能優(yōu)異等突出特點、可用于高能物理和核物理實驗、核醫(yī)學成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描)、工業(yè)CT的在線檢測、油井勘探、安全檢查和反恐斗爭，此外，無機閃爍晶體在核天文學、核空間物理學、核考古學、核地質(zhì)學和核測量方面具有巨大的潛在應(yīng)用價值。這些領(lǐng)域會越來越受到人們的重視。而且隨著核技術(shù)向各個行業(yè)的滲透和其他技術(shù)的快速發(fā)展，將會給無機閃爍晶體的研發(fā)帶來更多的機遇和挑戰(zhàn)。利用閃爍晶體探測注入人體內(nèi)的放射性示蹤劑產(chǎn)生的高能伽馬射線。
無機閃爍晶體晶體應(yīng)用很廣，可用在核醫(yī)學成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描)，X射線斷層掃描(XCT)和正電子發(fā)射斷層掃描(正電子發(fā)射斷層掃描)是現(xiàn)代影像醫(yī)學領(lǐng)域的兩種前沿核醫(yī)學成像技術(shù)[29]-[33]。前者提供患病組織的解剖圖像，而后者提供患病組織的功能成像。二者優(yōu)勢互補，在心-血.管.疾；病和腫‘’瘤的診斷和治聊中發(fā)揮重要作用。尤其是PET成像技術(shù)，不只是現(xiàn)代影像醫(yī)學的前沿技術(shù)，也是本世紀末生命科學的重大突破。它可以在體外無損傷、定量、動態(tài)地從分子水平觀察人體內(nèi)代謝物質(zhì)或藥物的活性及其在疾病中的變化。相對光輸出通常用于表征無機閃爍晶體的光輸出。山東雙摻CeYAG晶體品牌
CeYAG閃爍晶體是將高能轉(zhuǎn)換為可見光的一種典型光電轉(zhuǎn)換材料。山東雙摻CeYAG晶體品牌
CeYAG晶體最大直徑多少？閃爍過程的三個步驟(a . 電子空穴對產(chǎn)生；電子空穴被傳送到發(fā)光中心；c .從發(fā)光中心輻射的熒光)到閃爍的總效率。在以上三個參數(shù)中，很難建立能量傳遞的理論模型，因此很難計算出S [51][56]?？梢钥隙ǖ氖牵瑹o機閃爍晶體中的各種缺陷會俘獲電子空穴對，使S值 大降低。與參數(shù)s相比，參數(shù)和q可以從理論上計算出來。根據(jù)羅賓斯[19]和阿雷米普奇[51]提出的模型。公式中，Ei為電離能；是產(chǎn)生實際產(chǎn)生一個電子空穴對所需的能量；k為能量損失分數(shù)，與高頻介電常數(shù)()，靜電常數(shù)()和光學縱模聲子能量()有關(guān)。Lf是電子(或空穴)損失的能量分數(shù)。山東雙摻CeYAG晶體品牌