安徽人工TmYAP晶體現(xiàn)貨直供

Tm:YAP晶體熒光譜及熒光壽命的溫度依賴特性多少？為了更好了解Tm3+在Tm:YAP晶體中吸收躍遷特性以及其溫度依賴特性，我們測試了4at%Tm:YAP晶體b向樣品的變溫吸收譜。圖4-7為3H6→3H4躍遷對應的變溫吸收譜。低溫下Tm3+吸收為尖銳譜線，隨溫度升高，吸收峰變寬，吸收強度減弱，這是由于溫度升高，晶格熱振動增強，吸收過程將伴隨更多的聲子發(fā)射，使躍遷幾率減小，強度減弱，譜峰變寬。紅外側805nm之后存在兩個較弱的吸收峰，隨溫度升**度增強，我們認為這兩個小峰對應基態(tài)中較高的Stark能級吸收躍遷。隨溫度升高，基態(tài)中較高的Stark能級熱布局增大，因而躍遷強度增大。整個吸收光譜隨溫度升高重心紅移。TmYAP晶體2mm波段激光輸出效率高于TmYAG。安徽人工TmYAP晶體現(xiàn)貨直供

Tm:YAP晶體結構及分凝系數(shù)如前所述，YAP晶體屬正交晶系畸變鈣鈦礦結構，空間群為D162h (Pnma)，其結構示意圖如圖4-2所示，其中Al3+的配位數(shù)為6，處于氧八面體的中心，而Y3+的配位數(shù)是12，處于氧配位多面體的中心。Y-O鍵間距離2.62?，使稀土離子很容易取代Y3+進入晶格1。我們通過XRD測試對所生長Tm:YAP晶體結構進行分析。不同濃度Tm:YAP與純YAP的XRD譜比較，其中摻Tm3+YAP晶體與純YAP晶體的衍射圖譜完全一致，沒有出現(xiàn)雜峰，說明Tm:YAP晶體結晶完整，呈完好的YAP相。黑龍江激光二極管抽運TmYAP晶體報價TmYAP晶體795nm泵浦吸收帶比常用的。

到目前為止，2m激光器經(jīng)歷了近50年的發(fā)展，已經(jīng)普遍應用于科學研究、醫(yī)療等領域。綜上所述，目前2m激光主要通過以下方式實現(xiàn)：摻Tm3固態(tài)激光器。摻Tm3固體激光器是2m波段**重要的固體激光器。Tm3離子在790nm附近的吸收與商用二極管的吸收匹配良好，2m波段激光輸出對應3f4和3h6能級之間的躍遷，具有長熒光壽命的特點，由于Tm3離子的交叉弛豫，其量子效率接近200%，可以實現(xiàn)連續(xù)波高功率激光輸出。Tm:YAG、Tm:LuAG、Tm:YAP、Tm:YLF/LuLF等。

Tm:YAP晶體的熱導率多少？Tm:YAP晶體的激光實驗研究我們采用實驗裝置，對3at%、4at%及5at%濃度Tm:YAP晶體在哈爾濱工業(yè)大學可調諧激光實驗室進行了激光性能的測試。激光功率的測量采用Coherent Fieldmate功率計，探頭為PM-30。激光波長的測量采用WDG30光柵單色儀，焦距30cm，光柵常數(shù)300條/mm，閃耀波長2mm。我們通過XRD測試對所生長Tm:YAP晶體結構進行分析。不同濃度Tm:YAP與純YAP的XRD譜比較，其中摻Tm3+YAP晶體與純YAP晶體的衍射圖譜完全一致，沒有出現(xiàn)雜峰，說明Tm:YAP晶體結晶完整，呈完好的YAP相。Tm:YAP可輸出1.94m連續(xù)和1.965~2.020m連續(xù)調諧激光輸出。

室溫下晶體的吸收光譜是在JASCO V-570 type ultraviolet/visible/near-IR spectrophotometer 光譜儀上測定的。測試范圍一般為190~2500nm，從190~350nm范圍，光源為氘燈（deuterium lamp），從340~2500nm范圍用鹵燈（halogen lamp）。在我們的實驗中，測試范圍一般為190-2100，光譜分辨率為2nm。測試的原理是根據(jù)光的吸收定律（Lambert’s law）： I/I0=e-αL (2-4)其中I0為入射光強度，I為透過樣品厚度為L的介質后的光強度，α為吸收系數(shù)。測試得到的吸收光譜數(shù)據(jù)為各波長下的光密度D，即lg(I/I0)。光密度D、吸收截面積σabs和吸收系數(shù)α具有如下的關系：α=(2-5)；σabs=(2-6)式中N為離子的摻雜濃度。Tm:YAG晶體發(fā)射的橫截面積比Tm:YAP晶體稍低。黑龍江激光二極管抽運TmYAP晶體報價

Tm:YAG晶體因為其工作波長為2013nm而在激光雷達和其他大氣探測領域有廣泛應用。安徽人工TmYAP晶體現(xiàn)貨直供

Tm:YAG晶體中文名摻銩釔鋁石榴石晶體,Tm:YAG晶體具有2微米波長銩激光源的理想銩晶體棒介質。Tm:YAG晶體的H4和F4能級的自淬滅機制可在上能級產生雙光子激發(fā)，這就潛在地使得激光獲得了高量子效率的有效途徑。Tm:YAG晶體因為其工作波長為2013nm而在激光雷達和其他大氣探測領域有普遍應用。Tm的熒光壽命，9.2ms@6％ Tm:YAG晶體是Tm:YAP晶體的兩倍長，Tm:YAG晶體發(fā)射的橫截面積比Tm:YAP晶體稍低，吸收帶峰值為785nm，比較適宜于半導體二極管的泵浦。安徽人工TmYAP晶體現(xiàn)貨直供

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