CeYAG單晶復合紅色熒光粉的制備及其在白光LED上的應用，采用提拉法生長了CeYAG單晶，并以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度的變化對其色坐標，亮度，發(fā)光效率和色溫的影響.由于460nm藍光芯片激發(fā)的CeYAG單晶白光LED缺少紅光成分，采用流延法將紅色熒光粉CaAlSiN_3:Eu~(2+)涂覆在CeYAG單晶襯底上制備白光LED.制備的白光LED色度隨紅粉含量的變化由冷白光逐漸向暖白光區(qū)域移動，色溫逐漸降低，顯色指數上升。Ce:YAG晶體的光學吸收譜多少？河南白光LED用CeYAG晶體價格
CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖，較大優(yōu)點是其發(fā)光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間（約70ns，而CsI衰減時間約為300ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學性能穩(wěn)定，主要應用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領域，另外它還可以應用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領域。由于Ce離子在YAG基質中的分凝系數?。s為0.1），使Ce離子很難摻入YAG晶體中，而且隨著晶體直徑的增大，晶體生長難度急劇增加。河北大尺寸CeYAG晶體批發(fā)報價CeYAG作為閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖。
白光LED用CeYAG單晶光學性能及封裝工藝的研究，采用提拉法生長了白光LED用CeYAG單晶，通過吸收光譜、激發(fā)發(fā)射光譜和變溫光譜對其光學性能和熱穩(wěn)定性進行了表征，并研究了晶片用于封裝白光LED光源中各因素對其光電性能的影響。CeYAG晶片能被466 nm波長的藍光有效激發(fā)，產生500~700 nm范圍內的寬發(fā)射帶。Ce3+的4f→5d軌道的躍遷吸收對應于202、219、247.3、347.4和455.5 nm五個吸收峰，據此量化分裂的5d能級能量，依次為21954、29154、40437、45662和49505 cm-1。溫度升高，Ce3+的2F7/2能量升高導致了發(fā)光強度的降低，可降低幅度(13.28%)不大。
深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無機閃爍晶體。無機閃爍晶體發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射過程包括從熱化電子-空穴對到發(fā)光中心的能量轉移和發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。電子空穴對的能量轉移效率取決于電子空穴相對發(fā)光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發(fā)光中心，其能量轉移效率高；相反，能量傳遞效率低。這種情況下，電子和空穴往往被晶體中的雜質或晶格缺陷俘獲，形成各種F-H色心對。同時，電子-空穴對在與晶格相互作用時也會產生自陷，比如離子閃爍晶體中經常出現(xiàn)的Vk中心，這個Vk中心在本征離子閃爍晶體的發(fā)光機制中起著重要作用。無機閃爍晶體研究的真正前奏始于半個世紀前羅伯特霍夫斯塔德發(fā)現(xiàn)NaI(Tl)單晶的優(yōu)異閃爍性能。
電子-空穴對的產生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結果。主要包括原子的電離和激發(fā)，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知，高能射線不能直接電離和激發(fā)無機閃爍晶體中的原子。相反，它們通過光電效應、康普頓效應和電子對效應產生的電子電離和激發(fā)晶體中的原子。當入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時，主要發(fā)生光電效應，即高能射線與晶體中原子的內層電子(通常是K層)相互作用產生初級光電子。閃爍晶體可用于輻射探測和安全防護。廣西國產CeYAG晶體直銷
CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫。河南白光LED用CeYAG晶體價格
當您外出旅行攜帶行李通過安檢時，當患者就診做CT造影時，您或許不知道閃爍晶體正在為人們的安全和健康作出貢獻。事實上，閃爍晶體作為高級射線探測裝備關鍵部件的關鍵材料。隨著高重頻輻射成像技術的發(fā)展和時間飛行技術在核醫(yī)學成像領域的應用，超快閃爍晶體的重要性愈加凸顯，已經成為閃爍晶體研究領域的熱點方向。閃爍晶體是單晶態(tài)的閃爍體材料，是應用較廣的一類閃爍體材料，在高能物理、核物理、天體物理、安全檢查、醫(yī)學成像、工業(yè)探傷、環(huán)境監(jiān)控以及資源、能源勘探等諸多與國計民生息息相關領域，具有非常廣的應用。例如，在地鐵站和機場等場所使用的行包安檢機，就是利用閃爍晶體探測穿透行包的X射線，從而實現(xiàn)不開箱查驗管制刀具等違禁物品。河南白光LED用CeYAG晶體價格
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