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我們采用溫梯法生長(zhǎng)了Ce:YAG 晶體,原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末,按照化學(xué)式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生長(zhǎng)方向 <111>,高純 Ar 氣氛,具體生長(zhǎng)方法見(jiàn)第二章所述。如圖 5-1,生長(zhǎng)的晶體尺寸為Φ110×80mm,呈黃黑色,主要是由發(fā)熱體質(zhì)量欠佳造成的碳揮發(fā)物引起的。晶體*在放肩部位有兩處小裂紋,外形絕大部分保持完整。生長(zhǎng)出來(lái)的晶體經(jīng)過(guò)高溫空氣退火 24 小時(shí)后,黑色基本消失。圖 5-2 為晶體切片樣品,樣品經(jīng)空氣退火后加工,從圖可見(jiàn)在晶體的中心位置仍有少量黑色物質(zhì),中心部分的碳污染無(wú)法消除說(shuō)明退火不充分,經(jīng)再次空氣退火可完全消除。由應(yīng)力儀下觀(guān)察的結(jié)果來(lái)看,晶體中無(wú)明顯應(yīng)力,也沒(méi)有因小面生長(zhǎng)現(xiàn)象而產(chǎn)生的**,說(shuō)明晶體生長(zhǎng)過(guò)程中固液界面較平。CeYAG晶體,屬于無(wú)機(jī)閃爍體。黑龍江雙摻CeYAG晶體生產(chǎn)廠(chǎng)家
什么是閃爍晶體?關(guān)于閃爍晶體你對(duì)它了解多不多?和小編來(lái)看看下文的介紹吧。我們之所以能看到五彩繽紛的世界,是因?yàn)檠劬δ芙邮罩車(chē)矬w發(fā)出或反射的可見(jiàn)光,但這單單只是世界的一小部分。自然界中還存在著許多肉眼看不見(jiàn)的高能射線(xiàn)或粒子,甚至普通的傳感器也無(wú)法直接探測(cè)到,人們必須借助一類(lèi)被稱(chēng)為閃爍晶體的特殊材料,才能感知到它們的存在。閃爍晶體置于光電倍增管和準(zhǔn)直器之間,其作用是將熒光轉(zhuǎn)化為γ射線(xiàn)。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。廣東新型CeYAG晶體在5KV之內(nèi)以及超過(guò)100KV的更高加速電壓下,CeYAG晶體具有更好的響應(yīng)。
閃爍晶體有其他的說(shuō)法,你知道嗎?不知道的話(huà)就和小編一起來(lái)看看吧,閃爍晶體又稱(chēng)熒光晶體。由放射線(xiàn)激發(fā)產(chǎn)生高效發(fā)光的熒光晶體。當(dāng)其受到X射線(xiàn)、γ射線(xiàn)或其他荷電粒子輻照時(shí),其中的價(jià)電子就會(huì)因受到激發(fā)而進(jìn)入激發(fā)態(tài),即由價(jià)帶進(jìn)入導(dǎo)帶。當(dāng)電子由導(dǎo)帶自發(fā)躍遷返回價(jià)帶時(shí),多余的能量即以熒光形式發(fā)射出來(lái),從而產(chǎn)生熒光。由無(wú)機(jī)物質(zhì)用提拉法或坩堝下降法生長(zhǎng)制成。國(guó)際上發(fā)現(xiàn)、研究和開(kāi)發(fā)了為數(shù)較多的閃爍晶體。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?/p>
閃爍晶體可用于x射線(xiàn)、γ射線(xiàn)、中子及其他高能粒子的探測(cè),以閃爍晶體為關(guān)鍵的探測(cè)和成像技術(shù)已經(jīng)在核醫(yī)學(xué)、高能物理、安全檢查、工業(yè)無(wú)損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應(yīng)用。閃爍晶體到底是什么?可能很多人都沒(méi)聽(tīng)過(guò)這個(gè)詞,但其實(shí),在我們的日常生活中并不陌生。閃爍體是一種當(dāng)被電離輻射激發(fā)之后會(huì)表現(xiàn)出發(fā)光特性的材料,是將高能轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光的一種典型光電轉(zhuǎn)換材料,可用于輻射探測(cè)和安全防護(hù),通常在應(yīng)用中將其加工成晶體,稱(chēng)為閃爍晶體。CeYAG晶體是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體。
一種生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法技術(shù),坩堝下降法生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法。該晶體化學(xué)式為:(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12;0≤x≤1,0≤y≤1,0≤m≤0.05;其中A為L(zhǎng)u、Tb、Pr、La、Gd中的一種;B為Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一種。晶體生長(zhǎng)爐溫范圍1900~2000℃,坩堝下降方向固液界面的溫度梯度為10~50℃/cm,坩堝下降速率為0.1~5mm/h,籽晶可采用等方向,坩堝直徑為30~120mm,高度為50~200mm。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)采用坩堝下降法具有操作簡(jiǎn)單,成本低,生長(zhǎng)的CeYAG晶體體積大、內(nèi)部缺陷少、摻雜濃度高等優(yōu)點(diǎn)。用CeYAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測(cè)器可應(yīng)用于低能射線(xiàn)、粒子等輕帶電粒子的探測(cè)等核物理實(shí)驗(yàn)。黑龍江雙摻CeYAG晶體生產(chǎn)廠(chǎng)家
如果高能射線(xiàn)入射,其熒光光譜向紅色移動(dòng),發(fā)射波長(zhǎng)為550納米,可以很好地與硅光二極管耦合。黑龍江雙摻CeYAG晶體生產(chǎn)廠(chǎng)家
CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰,這是Ce3+的特征吸收峰。目前商用白光LED中使用的藍(lán)光芯片的發(fā)射波長(zhǎng)為460nm。中心波長(zhǎng)460nm的CeYAG單晶的寬吸收帶表明,它能有效地吸收藍(lán)晶片發(fā)出的藍(lán)光,將藍(lán)晶片發(fā)出的藍(lán)光和CeYAG晶片發(fā)出的黃光疊加成白光。此外,CeYAG單晶具有良好的熱穩(wěn)定性,這對(duì)大功率白光LED器件的制造尤為重要。隨著CeYAG晶片厚度的增加,藍(lán)晶片和CeYAG晶片封裝的白光LED器件的光效率逐漸提高,色溫和顯色指數(shù)逐漸降低,隨著晶片厚度的增加,Ce3+的含量相對(duì)增加。吸收的藍(lán)光越多,發(fā)出的黃光越多,導(dǎo)致晶圓的發(fā)光從藍(lán)色變成白色變成黃色。黑龍江雙摻CeYAG晶體生產(chǎn)廠(chǎng)家
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