重慶國(guó)產(chǎn)CeYAG晶體材料

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-06-30

物質(zhì)的有效原子序數(shù)可由公式計(jì)算:式中,Wi為構(gòu)成晶體的原子I的重量百分比,Zi為構(gòu)成晶體的原子I的有效原子數(shù)。從公式中可以看出,大的有效原子序數(shù)往往與重密度不一致。此外,在許多場(chǎng)合下,經(jīng)常使用吸收系數(shù)()、輻射長(zhǎng)度(X0)和摩爾半徑(RM)來(lái)代替晶體的有效原子序數(shù)或密度來(lái)表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的性能。這些性能參數(shù)與晶體的密度()和有效原子序數(shù)(z)之間的關(guān)系如下[14][24]。,RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.12)(ne是晶體中的電子密度和吸收截面,a是原子量)當(dāng)I (t)=i0/e時(shí),t=就是所謂的光衰減常數(shù)。閃爍晶體是核醫(yī)學(xué)影像設(shè)備比如X光、CT等檢查設(shè)備的關(guān)鍵部件。重慶國(guó)產(chǎn)CeYAG晶體材料

文獻(xiàn)已經(jīng)系統(tǒng)地報(bào)道了Ce:YAP高溫晶體的閃爍性能,現(xiàn)總結(jié)如下:相對(duì)光輸出約為NaI:Tl的38-50%;光衰減,對(duì)于γ-射線激發(fā),快成分衰減時(shí)間約為26.7±0.12ns,強(qiáng)度占89±2%,慢成分衰減常數(shù)為140±10ns,對(duì)于α-粒子激發(fā)快成分衰減常數(shù)為24.8±0.12ns,強(qiáng)度占85±2%,慢成分衰減常數(shù)為100±5ns;中等密度(5.35g/cm3)和中等有效原子序數(shù)(Zeff=39)等。另外,與CsI:Tl閃爍晶體相比,Ce:YAG閃爍晶體在小于500Kev能量范圍其γ響應(yīng)小,光衰減快,不潮解等,因此可望部分取代CsI:Tl閃爍晶體的應(yīng)用。貴州專業(yè)CeYAG晶體哪家好新一代閃爍晶體在核醫(yī)學(xué)影像診斷、安全檢查、地質(zhì)勘探、無(wú)損檢測(cè)等各種射線的探測(cè)領(lǐng)域有著很多應(yīng)用。

什么是閃爍晶體?關(guān)于閃爍晶體你對(duì)它了解多不多?和小編來(lái)看看下文的介紹吧。我們之所以能看到五彩繽紛的世界,是因?yàn)檠劬δ芙邮罩車矬w發(fā)出或反射的可見(jiàn)光,但這單單只是世界的一小部分。自然界中還存在著許多肉眼看不見(jiàn)的高能射線或粒子,甚至普通的傳感器也無(wú)法直接探測(cè)到,人們必須借助一類被稱為閃爍晶體的特殊材料,才能感知到它們的存在。閃爍晶體置于光電倍增管和準(zhǔn)直器之間,其作用是將熒光轉(zhuǎn)化為γ射線。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?/p>

Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能,而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力,能與硅光二極管有效耦合,耐高溫不潮解,可在極端條件下應(yīng)用。因此,用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測(cè)器可普遍應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測(cè)等核物理實(shí)驗(yàn)。此外,Ce:YAG單片機(jī)還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件,在大規(guī)模集成電路的檢測(cè)中有著重要而普遍的應(yīng)用。另外,與CsI:Tl閃爍晶體相比,Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小,光衰減快,在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解,有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。表1-11比較了Ce3360 YAG和CsI:Tl閃爍晶體的主要閃爍特性。Ce:YAG晶體的生長(zhǎng)溫度約為1970,生長(zhǎng)周期約為15天。

一種藍(lán)光半導(dǎo)體激光器激發(fā)CeYAG晶體的激光照明系統(tǒng),包括藍(lán)光半導(dǎo)體激光器,光學(xué)耦合透鏡組,光纖,CeYAG晶體模塊,光學(xué)透鏡組,上述元件依次排列于同一光路上.其中N個(gè)(N≥1)藍(lán)光半導(dǎo)體激光器經(jīng)過(guò)光學(xué)耦合透鏡組的準(zhǔn)直和聚焦,耦合進(jìn)光纖,多根光纖可以進(jìn)行捆綁合束,也可以進(jìn)行熔融拉錐合束,從光纖出來(lái)的藍(lán)光半導(dǎo)體激光激發(fā)具有高激光損傷閾值的CeYAG晶體模塊,產(chǎn)生490~700nm波段的熒光(即受激發(fā)熒光),并通過(guò)對(duì)CeYAG晶體模塊的光學(xué)設(shè)計(jì)達(dá)到對(duì)透射的藍(lán)色激光和受激發(fā)熒光的勻化,光學(xué)透鏡組對(duì)CeYAG晶體模塊勻化后的光線進(jìn)行配光曲線的調(diào)節(jié),從而產(chǎn)生用于照明領(lǐng)域的均勻白光。無(wú)機(jī)閃爍體是一種能將高能射線(X/射線,入射到其上的)或粒子轉(zhuǎn)化為紫外光或可見(jiàn)光的晶體能量轉(zhuǎn)換器。貴州專業(yè)CeYAG晶體哪家好

當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時(shí),晶體中電子空穴對(duì)Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。重慶國(guó)產(chǎn)CeYAG晶體材料

大功率LED照明的需求越來(lái)越大,但隨著藍(lán)光LED芯片功率的不斷上升,散熱和光衰減等問(wèn)題也愈發(fā)顯現(xiàn)出來(lái)。為探索大功率LED特種照明,基于陣列藍(lán)光LED激發(fā)CeYAG熒光晶體,采用創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)裝置,在小面積端面輸出高流明密度的光。研究影響LED出光的因素、不同摻雜濃度(物質(zhì)的量濃度)晶棒對(duì)于藍(lán)光的吸收、大功率LED激發(fā)不同Ce離子摻雜濃度晶棒的出光效果、晶棒端面處理情況對(duì)于出光的影響等。結(jié)果表明,利用氮化鋁制成的基板滿足大功率LED的散熱需求,摻雜濃度為0.8%的晶棒出光光通量更高,對(duì)晶棒端面進(jìn)行處理可大幅提升出光光通量。重慶國(guó)產(chǎn)CeYAG晶體材料

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