甘肅CeYAG晶體規(guī)格

來源: 發(fā)布時間:2022-06-22

一般來說,m值越大意味著檢波器的信噪比越好。當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時,晶體中電子空穴對Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設(shè)電子空穴對轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān)),可以得出:無機閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(,Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān)。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48,000 ph/mev)。將其他無機閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進(jìn)行比較得到的相對值(%NaI(Tl))稱為“相對光輸出”。相對光輸出通常用于表征無機閃爍晶體的光輸出。如今無機閃爍晶體的閃爍機制不斷得到改進(jìn)和發(fā)展。甘肅CeYAG晶體規(guī)格

隨著核物理和高能物理的發(fā)展,出現(xiàn)了一個必須解決的問題,那就是粒子質(zhì)量的起源。為了理解這個問題,世界上正在建造能量不斷增加的大型對撞機和加速器。這些裝置上用來測量各種質(zhì)子、電子、Uons、介子等粒子能量的探針稱為電磁量熱儀,閃爍晶體是構(gòu)建電磁量熱儀的中心材料。例如,美國斯坦福線性加速中心(SLAC)、日本高能研究所(KEK)使用CsI(Tl)晶體進(jìn)行Babar和BELLE實驗、歐洲核中心(CERN)使用PbWO4晶體進(jìn)行CMS實驗等。表1-3列出了近年來世界上重要高能物理實驗中使用的無機閃爍晶體[27][28]。表1-3近年來設(shè)計的晶體量熱儀中使用的無機閃爍晶體。山西進(jìn)口CeYAG晶體品牌Ce:YAG晶體的生長溫度約為1970,生長周期約為15天。

Ce:YAG晶體的硬度能達(dá)到多少?深剖Ce;YAG晶體,隸屬于無機閃爍晶體。無機閃爍晶體發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射過程包括從熱化電子-空穴對到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移和發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。電子空穴對的能量轉(zhuǎn)移效率取決于電子空穴相對發(fā)光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發(fā)光中心,其能量轉(zhuǎn)移效率高;相反,能量傳遞效率低。這種情況下,電子和空穴往往被晶體中的雜質(zhì)或晶格缺陷俘獲,形成各種F-H色心對。同時,電子-空穴對在與晶格相互作用時也會產(chǎn)生自陷,比如離子閃爍晶體中經(jīng)常出現(xiàn)的Vk中心,這個Vk中心在本征離子閃爍晶體的發(fā)光機制中起著重要作用。

CeYAG單晶與陶瓷的發(fā)光性能,制備了不同Ce~(3+)摻雜濃度(摩爾分?jǐn)?shù))的釔鋁石榴石(YAG)單晶和陶瓷,并對激光激發(fā)CeYAG單晶和陶瓷的光通量、光電轉(zhuǎn)換效率、顯色指數(shù)及色溫進(jìn)行了研究。在電流為2.6A的激光激發(fā)下,Ce~(3+)摻雜濃度為0.3%的陶瓷的光通量較高,為617.2lm;Ce~(3+)摻雜濃度為0.5%的單晶的顯色指數(shù)較高,為62,色溫為5841K。在功率為2.61W、材料中心功率密度達(dá)10.8W·mm-2的激光激發(fā)下,CeYAG單晶和陶瓷的光轉(zhuǎn)換均未達(dá)到飽和,對應(yīng)的光-光轉(zhuǎn)換效率均約為240lm·W-1。實驗結(jié)果表明,在高功率密度激光激發(fā)下,陶瓷和單晶均適用于產(chǎn)生高亮度白光。閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下,能將高能粒子的動能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽芏l(fā)出閃光的晶體。

一種藍(lán)光半導(dǎo)體激光器激發(fā)CeYAG晶體的激光照明系統(tǒng),包括藍(lán)光半導(dǎo)體激光器,光學(xué)耦合透鏡組,光纖,CeYAG晶體模塊,光學(xué)透鏡組,上述元件依次排列于同一光路上.其中N個(N≥1)藍(lán)光半導(dǎo)體激光器經(jīng)過光學(xué)耦合透鏡組的準(zhǔn)直和聚焦,耦合進(jìn)光纖,多根光纖可以進(jìn)行捆綁合束,也可以進(jìn)行熔融拉錐合束,從光纖出來的藍(lán)光半導(dǎo)體激光激發(fā)具有高激光損傷閾值的CeYAG晶體模塊,產(chǎn)生490~700nm波段的熒光(即受激發(fā)熒光),并通過對CeYAG晶體模塊的光學(xué)設(shè)計達(dá)到對透射的藍(lán)色激光和受激發(fā)熒光的勻化,光學(xué)透鏡組對CeYAG晶體模塊勻化后的光線進(jìn)行配光曲線的調(diào)節(jié),從而產(chǎn)生用于照明領(lǐng)域的均勻白光。通常,在閃爍晶體中,閃爍光的強度從零瞬開始增加,并達(dá)到比較大值I0(t=0)。甘肅CeYAG晶體規(guī)格

CeYAG閃爍晶體還可以應(yīng)用于電子探測成像(SEM)、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。甘肅CeYAG晶體規(guī)格

關(guān)于新型閃爍晶體及其應(yīng)用的國際學(xué)術(shù)交流極其頻繁和活躍。例如,關(guān)于新閃爍晶體及其應(yīng)用的第1次國際會議“水晶2000”于1992年在法國夏蒙尼舉行,由“水晶透明協(xié)作”小組主辦。隨后,研究合作小組分別于1994年、1995年、1997年、1999年和2001年在美國,荷蘭,中國和俄羅斯舉行了兩年一次的新型閃爍材料學(xué)術(shù)研討會[39]。這些研討會極大地促進(jìn)了具有高光輸出和快速衰減的無機閃爍晶體的研究和發(fā)展。特別是鈰離子摻雜的無機閃爍晶體,如Ce:YAP、Ce:LSO和Ce:LuAP,受到了極大的關(guān)注,被認(rèn)為是新一代高光輸出、快衰減的無機閃爍晶體材料。提拉法生長Ce:YAG晶體?甘肅CeYAG晶體規(guī)格

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