在康普頓閃光過(guò)程中，電子與X射線或其他高能射線發(fā)生彈性散射，使得高能射線的波長(zhǎng)變長(zhǎng)，這是吸收輻射能的主要途徑之一。在康普頓效應(yīng)中，單個(gè)光子與單個(gè)自由電子或束縛電子碰撞。在碰撞中，光子將部分能量和動(dòng)量傳遞給電子，導(dǎo)致電子反沖。電子-正電子對(duì)是指輻射能直接轉(zhuǎn)化為物質(zhì)的過(guò)程，也是高能粒子通過(guò)物質(zhì)時(shí)無(wú)機(jī)閃爍晶體吸收高能射線的主要途徑之一。要產(chǎn)生正負(fù)電子對(duì)，光子的總能量必須大于1.02MeV。當(dāng)物體受到高能電磁輻射時(shí)，其作用主要取決于入射光子的能量和閃爍體上離子吸收的原子數(shù)量。一般0.1MeV以下的光子能量主要是光電效應(yīng)，0.1 ~ 10mv主要是康普頓閃光，10mv以上主要是正負(fù)電子對(duì)效應(yīng)。YAP基體中Mn離子和Ce離子之間存在明顯的能量轉(zhuǎn)移過(guò)程。甘肅CeYAP晶體銷(xiāo)售商
由于晶體放肩階段屬?gòu)?qiáng)迫限制晶體直徑增大的過(guò)程，晶體尺寸的變化率比較大，如果程序段過(guò)少，容易在晶體表面出現(xiàn)明顯的分段現(xiàn)象，從而影響晶體的內(nèi)部質(zhì)量。在確?？刂凭鹊那疤嵯?，為了效控制晶體外形尺寸，需要考慮增加晶體的生長(zhǎng)程序。在生長(zhǎng)大尺寸Ce: YAP晶體時(shí)我們使用300個(gè)程序段放肩（3504歐路控制器程序段共500段），而采用818歐陸控制器的放肩程序分為30段。結(jié)果表明，增加程序段后，晶體放肩部分的外形控制得到明顯改善 北京生長(zhǎng)CeYAP晶體不同厚度Ce:YAP晶體自吸收比較。遼寧進(jìn)口CeYAP晶體現(xiàn)貨供應(yīng)有觀點(diǎn)認(rèn)為YAP晶體的本征紫外發(fā)光中心與反位缺陷YAl3+有關(guān)。
無(wú)機(jī)閃爍晶體的性能表征？電子元器件是構(gòu)成電子信息系統(tǒng)的基本功能單元，是各種電子元件、器件、模塊、部件、組件的統(tǒng)稱(chēng)，同時(shí)還涵蓋與上述電子元器件結(jié)構(gòu)與性能密切相關(guān)的封裝外殼、電子功能材料等?；仡欉^(guò)去一年國(guó)內(nèi)激光晶體，閃爍晶體，光學(xué)晶體，光學(xué)元件及生產(chǎn)加工產(chǎn)業(yè)運(yùn)行情況，上半年市場(chǎng)低迷、部分外資企業(yè)產(chǎn)線轉(zhuǎn)移、中小企業(yè)經(jīng)營(yíng)困難，開(kāi)工不足等都是顯而易見(jiàn)的消極影響。但隨著激光晶體，閃爍晶體，光學(xué)晶體，光學(xué)元件及生產(chǎn)加工產(chǎn)業(yè)受到相關(guān)部門(mén)高度重視、下游企業(yè)與元器件產(chǎn)業(yè)的黏性增強(qiáng)、下游 5G 產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景明朗等利好因素的驅(qū)使下，我國(guó)電子元器件行業(yè)下半年形勢(shì)逐漸好轉(zhuǎn)。
品質(zhì)優(yōu)的CeYAP晶體注意事項(xiàng)：用提拉法生長(zhǎng)大尺寸Ce: YAP晶體，包括改進(jìn)生長(zhǎng)設(shè)備和調(diào)整生長(zhǎng)工藝。因?yàn)橐郧暗纳L(zhǎng)工藝不適合生長(zhǎng)大尺寸的Ce: YAP晶體，尤其是晶體形狀、肩部和等徑部分不能得到有效控制，影響晶體質(zhì)量。為了解決存在的問(wèn)題，我們改進(jìn)了晶體生長(zhǎng)爐的功率控制系統(tǒng)和重量傳感系統(tǒng)，重新設(shè)計(jì)了坩堝和保溫罩，并對(duì)溫度場(chǎng)過(guò)程進(jìn)行了適當(dāng)?shù)奶剿?。Ce:YAG衰減快(80ns)，在530nm處發(fā)出熒光，其發(fā)射波長(zhǎng)與硅光電二極管的探測(cè)敏感區(qū)相匹配，因此可應(yīng)用于低能射線粒子的探測(cè)等領(lǐng)域。CeYAP高溫閃爍晶體具有良好的物化性能是無(wú)機(jī)閃爍晶體中較有優(yōu)勢(shì)的晶體。
目前國(guó)內(nèi)生長(zhǎng)的Ce: YAP晶體仍存在出光率低的問(wèn)題，其機(jī)理應(yīng)該與自吸收有關(guān)，但尚未得到有效解決。為了比較不同退火條件下退火對(duì)自吸收的影響，我們測(cè)量了相同厚度(2mm)和濃度(0.3%)的Ce: YAP晶體在不同溫度和氣氛下退火后的透射光譜、熒光光譜和XEL光譜。從圖4-8可以看出，直拉法生長(zhǎng)的Ce: YAP晶體經(jīng)氫退火后透射邊藍(lán)移，自吸收減弱。當(dāng)進(jìn)行氧退火時(shí)，通過(guò)邊緣紅移增強(qiáng)了自吸收。氫的退火溫度越高，自吸收越弱。氧的退火溫度越高，自吸收越強(qiáng)。然而，退火溫度的上限約為1600。如果溫度太高，晶體容易起霧，導(dǎo)致幾乎不滲透。由于存在Ce3+離子的非輻射躍遷，Ce,Mn:YAP的衰減時(shí)間的快慢成分均變?yōu)樵瓉?lái)的一半。甘肅CeYAP晶體銷(xiāo)售商
CeYAP晶體在裝爐時(shí)，為了保證爐體內(nèi)徑向溫度軸對(duì)稱(chēng)分布，線圈、石英管、坩堝及籽晶中心應(yīng)該保持一致。甘肅CeYAP晶體銷(xiāo)售商
無(wú)機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)理閃爍體的本質(zhì)是在盡可能短的時(shí)間內(nèi)把高能射線或者粒子轉(zhuǎn)化成可探測(cè)的可見(jiàn)光。通常高能射線與無(wú)機(jī)閃爍晶體相互作用存在有三種方式，光電效應(yīng)，康普頓散射，正負(fù)電子對(duì)。光電效應(yīng)中，一個(gè)離子吸收光子后，會(huì)從它的一個(gè)殼層中發(fā)射出光電子，光電子能量為光子能量和電子結(jié)合能之差。當(dāng)該殼層的空位別外層較高能量的電子填充時(shí)，結(jié)合能會(huì)以X射線或者俄歇電子的形式釋放出來(lái)。產(chǎn)生的X射線將在二次光電過(guò)程中北吸收，入射光的全部能量則被閃爍體所吸收。甘肅CeYAP晶體銷(xiāo)售商
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